以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導體此前被廣泛應用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導體銷售營運總監李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 納微 (Navitas) 半導體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學會學術年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應用。
2017-10-30 11:54:4814245 今年2月，納微半導體發布了寬禁帶行業首份可持續發展報告。報告指出，每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節省 4 kg CO2排放，GaN有望節省高達 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量，相當于 650
2022-06-15 18:19:511086 
前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502386 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。
2021-12-30 15:06:091790 
2022年1月18日，納微半導體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發布的K50冠軍版電競手機所標配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021867 氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發貨數量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481184 
芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）發布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現。 氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim? ，其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ，可為 手機
2024-10-17 16:31:091304 
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發到商業化應用，氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新，其影響波及了現今整個微波和射頻行業。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發現了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業發展非常快，同樣也是氮化物半導體產業發展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 本文主要介紹了納微半導體英文手冊.
2018-06-26 08:00:00
37 納微半導體今日正式宣布，其出貨量創下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障。
2021-01-27 16:43:142250 納微半導體正式宣布，其出貨量創下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障，反應了全球移動消費電子市場正加速采用氮化鎵芯片，實現移動設備和相關設備的快速充電。
2021-02-01 11:12:142246 ? 納微半導體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發中心。納微半導體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業應用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:212059 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經成功出貨。
2021-08-24 09:42:301764 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關拓撲，集成氮化鎵開關管、獨立驅動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102573 
納微半導體今日宣布，小米正式發布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化鎵功率芯片的行業領導者納微半導體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業 Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產品。
2021-11-02 09:51:311289 
全球首款160W氮化鎵充電器亮相MWC 2022，納微半導體GaNFast??技術進入realme GT Neo 3智能手機供應鏈。
2022-03-01 16:34:371331 
氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power［FET］）、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132198 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562299 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:312749 氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體宣布，正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問機構Natural Capital Partners頒發的CarbonNeutral?公司認證的半導體公司。
2022-06-06 14:48:112763 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導體是氮化鎵功率芯片行業領導者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術的
2022-07-29 16:17:441027 
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導體：為什么？
-氮化鎵與其他半導體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 極具戰略意義的硅控制器技術，加速GaN和SiC市場推進，搶奪傳統硅功率器件在多元化市場中的份額。 加利福尼亞州托倫斯，2023年1月19日訊：唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:264967 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:562408 
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342742 
氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509674 來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中，氮化鎵憑借著在消費產品快充電源領域的如
2023-02-17 18:13:204099 納微半導體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業價值10億美元。1個月后，納微半導體再進
2023-02-21 14:57:110 領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統硅功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 15:01:47925 早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發的節奏，成為氮化鎵領域的頭部企業。同時，納微也不斷開發氮化鎵和碳化硅產品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453085 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184060 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324485 在功率半導體行業，納微半導體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創新，贏得了行業領導者的地位。值此成立十周年之際，納微半導體回顧了其一路走來的輝煌歷程，并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 納微半導體，作為功率半導體領域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業領頭羊，近日公布了其針對AI人工智能數據中心的最新電源技術路線圖。此舉旨在滿足未來12至18個月內，AI系統功率需求可能呈現高達3倍的指數級增長。
2024-03-16 09:39:551722 納微半導體，作為功率半導體領域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術的引領者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時，納微半導體將設立一個獨特而富有未來感的“納微芯球”展臺，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術，引領觀眾領略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411 納微氮化鎵技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發電機。
2024-04-22 14:07:26954 加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺，
2024-05-24 15:37:331345 在電力電子領域，納微半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術，已成為行業內的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術成果。
2024-05-30 14:43:081171 近日，納微半導體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數據中心所需電源功率呈指數級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術正不斷取得新的突破。近日，納微半導體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態照明電源等多個領域展現出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311134 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）十年前納微半導體作為氮化鎵行業的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產品，也推動了“氮化鎵”的認知普及，當然也成就了納微
2024-10-23 09:43:592386 
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081235 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發布全新的功率轉換技術，將觸發多個行業領域的顛覆性變革。該創新涵蓋半導體與系統級解決方案，預計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術對傳統硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381785 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族， 集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264300 
納微半導體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車、電機馬達和工業領域的應用新進展。
2025-04-27 09:31:571008 關系 ，正式啟動并持續推進業內領先的 8英寸硅基氮化鎵技術生產。 納微半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布一項重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執行官，自2025年9月1日起正式履職。同時，Chris
2025-08-29 15:22:423924 納微半導體正式發布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。
2025-10-15 15:54:592482 
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