第500萬顆GaNFast芯片花落全球頂級手機廠商

Navitas Semiconductor 納微半導體今日宣布，交付基于其GaNFast技術的第500萬顆氮化鎵功率IC芯片。7月24日，納微半導體副總裁查瑩杰先生，將第500萬顆GaNFast氮化鎵功率IC芯片，交到了OPPO副總裁、OPPO研究院院長劉暢先生的手中，表明了OPPO對納微半導體GaNFast技術的肯定，以及新材料對電源領域二次革命的見證。

OPPO作為快充行業的先行者，一直引領著智能手機的快充市場，最早期的VOOC閃充“充電五分鐘，通話兩小時”深入人心，演進自SuperVOOC架構的125W 超級閃充更是把手機快充功率提到了史無前例的高度。技術創新無止境，現階段OPPO最新一代的輕便型快充產品，均采用納微半導體的GaNFast氮化鎵功率IC芯片，顛覆了傳統市場對輕便型快速充電器的尺寸框架。

OPPO副總裁、OPPO研究院院長劉暢先生表示：“本次與納微的合作，完美地契合了公司對新產品、新材料、新工藝、新技術不斷探索和追求的主旨。我們能感受到納微半導體的企業遠見和卓越技術，也希望通過深入的合作，推動氮化鎵化技術的發展，加速第三代寬禁帶半導體的產品化。”

納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩杰先生表示：“非常高興OPPO作為頂級移動設備制造商開始采用基于GaNFast技術的快速充電器。納微半導體的GaNFast氮化鎵功率IC芯片，是單芯片IC包含GaN場效應晶體管、GaN數字電路和GaN模擬電路，能快速推動新一代高頻、高效率、高功率密度電源轉換器的設計作商用化。納微半導體非常有幸為OPPO新一代的閃充技術提供GaNFast氮化鎵功率IC芯片，助力OPPO的產品改善用戶體驗和技術創新。納微半導體的GaNFast氮化鎵功率IC芯片搭載于OPPO的50W 超閃餅干充電器、110W 超閃mini充電器等多款產品和技術平臺，呈現全新的產品形態。