高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。

通過選用高功率體積小的氮化鎵芯片，搭配高能量密度和小體積的阻容感，使充電器擁有了超小體積。

氮化鎵（GaN）是氮和鎵的化合物。相比傳統硅基半導體，有著更出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作溫度。

下圖是近年快速充電頭小型化的發展進程：

小米GaN充電器采用2顆KEMET聚合物鉭電容（100uF/ 25V）并聯使用作為輸出濾波。與傳統使用的鋁電解電容相比，輸出更加穩定且體積能夠減小75%。

圖源：充電頭網

在空間不受限的情況下，也可以使用聚合物鋁電解電容，KEMET同樣可以提供此類產品。

KEMET產品在充電頭中的應用

除了用作輸出濾波的聚合物鉭電容和聚合物鋁電解電容，在輸入端，基美也可以提供安規薄膜電容和安規陶瓷電容。此外，在輸出端的整流濾波上可以選用KEMET X7R貼片陶瓷電容。

具體推薦系列如下：

01、T521系列聚合物鉭電容

T521有機電容器是具有導電聚合物陰極的固體電解電容器，具有體積小，低ESR，高電容等特點。與液體電解質的電容器不同，T521系列具有非常長的使用壽命和高紋波電流能力。

容值范圍：4.7~1，500 μF

工作溫度：?55℃~125℃

電壓范圍：2V~75V

主要應用：DC / DC轉換器；音頻/聲音電路；電源輸入輸出；便攜式電子設備；WiFi模塊；電信；消費類電子產品，空間受限的密集電路，微處理器去耦和高紋波電流應用。

02、A750系列聚合物鋁固體電解電容器

A750系列鋁電解電容在較寬的溫度范圍內具有更長的使用壽命和更高的穩定性。消除了因干燥而導致爆炸的風險，并且由于其低ESR特性，在正常操作期間能夠承受較高的紋波電流。

電容范圍：47~2，200 μF

額定電壓：2.5V~63V

工作溫度：?55°C ~+105°C

主要應用：手機充電器，計算機主板，服務器和適配器（筆記本電腦電源）

03、R46系列X2薄膜安規電容

R46系列由金屬化聚丙烯薄膜制成，認證：ENEC，UL，cUL，CQC，具有自愈特性。

額定電壓：275 VAC 50/60 Hz

電容范圍：0.01~10 μF

引線間距：10.0~37.5毫米

電容容差：±20％，±10％

工作溫度：?40°C~+110°C

主要應用：用于需要X2安全等級的跨線應用中的電磁干擾（EMI）抑制

04、CAS系列貼片安規電容

CAS系列貼片安規電容器專門為抑制干擾的交流線路濾波應用而設計， 這些電容器非常適合要求將潛在破壞性或破壞性的線路瞬變和EMI保持在易受影響的設備之外的應用。

電容范圍：3.0pF~22nF

額定電壓：250VAC

工作溫度：?55℃~125°C

主要應用：線到線（X類）過濾，線對地（Y類）濾波，天線耦合，初級和次級耦合（開關電源），線路干擾抑制（電動機和電動機控制，繼電器，開關電源和逆變器）

05、X7R系列高容值貼片陶瓷電容

KEMET X7R MLCC最高工作溫度125℃，容值變化小，適合于旁路和去耦應用，或用于對Q和電容特性穩定性要求不高的鑒頻電路。

容值范圍：10 pF~47μF

工作溫度：?55℃~+ 125℃

主要應用：去耦，旁路，濾波和瞬態電壓抑制