在JEITA和歐盟的《限制有毒物質指令》(RoHS)與《電氣及電子設備廢料指令》(WEEE)公布的最后期限之前實施一種高成本效益、可靠的無鉛電鍍策略，已經成為電子組件制造業在過去幾年來的共同目標。

對于半導體組件供貨商而言，主要的挑戰在于選擇一種成本效益高并且不會產生可靠性問題的策略和制程，實施與無鉛焊料的前向兼容以及與含鉛(Pb)焊料的后向兼容。對現有的無鉛替代方案進行審查并權衡這些選擇之后，擬定可行的策略。

對現有文獻進行研究，并透過與知名組織(如iNEMI和JEDEC)交流互動對電子產業進行評估，任何組件制造商均可從眾多無鉛鍍層解決方案中精選出若干方案。安森美半導體首先考慮了五種外部鍍層。每一種解決方案都有優勢和劣勢。其中包括：
? 錫－銀(Sn-Ag)鍍層
? 錫－鉍(Sn-Bi)鍍層
? 錫－銅(Sn-Cu)鍍層
? 預鍍鎳－鈀－金(Ni-Pd-Au)導線架
? 純霧錫鍍層

Sn-Ag鍍層的錫含量約為3.5%，具有良好的可焊性和機械屬性。但是Sn-Ag鍍層容易產生錫胡晶(tin whisker)，這是所有高錫含量替代方案的主要可靠性風險。由于材料成本較高并且鍍浴控制程序復雜，Sn-Ag鍍層比較昂貴。從‘總擁有成本’的角度考慮，Sn-Ag鍍層并不能作為一種完全可行的選擇。

自2000年，以Sn-Bi用作鉛鍍層已在日本得以廣泛應用，因此人們開始密切關注這一系統。當鉍含量為3%時，Sn-Bi的熔化溫度約為220℃，選擇該鍍層肯定可行。但是Sn-Bi材料易碎，鍍層控制復雜，而且它會產生錫胡晶。關于鉍的真實毒性也有疑問，且含鉛焊料后向兼容性問題仍存在爭議。內部屏蔽實驗和調查確認了這些Sn-Bi問題的存在，所以這種鍍層只能作為臨時解決方案。

Sn-Cu鍍層可形成一種銅含量為0.7%的高強度低熔點合金，其熔點為227℃。此鍍層的價格相對低廉，且具有良好的可焊性。但是Sn-Cu容易產生錫胡晶，甚至合金成份的微小改變就會大大改變共晶溫度。由于精確控制鍍層成份困難，且Sn-Cu鉛加工與合金(Alloy) 42導線架不兼容，所以該系統不能作為一種可行的解決方案。

預鍍的Ni-Pd和Ni-Pd-Au導線架作為無鉛焊接的替代方案，于1989年首先由德州儀器(TI)引進。其主要優勢在于該技術適于商業應用，且封裝制程得以簡化。但是對大批量產品應用而言，Ni-Pd-Au解決方案不具備優勢，主要原因在于其成本較高，而且根據現有文獻記錄，該方案存在可靠性問題。此外，鍍層在彎曲時會發生斷裂，而且在焊接、引線接合和成形時也存在問題。

鈀和金成本高且難以預計，導線架的供貨商數量也有限，這些都是該方案的劣勢所在。由于此鍍層系統與Alloy 42導線架不兼容，其應用范圍進一步受限。因此，對于大批量生產線而言，這種解決方案不是一種可行的替代方案。

純霧錫(matte tin)是大批量半導體制造商鍍層應用的首選。其原因眾多。對于各種導線架而言，霧錫制程不僅具有良好焊接特性，而且它是一種低成本解決方案，不存在Sn-Ag、Sn-Bi和Sn-Cu系統中的雙合金成份控制問題。

霧錫解決方案得以廣泛應用的另一個關鍵因素是其供應充足，此因素與上述技術密切相關。霧錫最重要的一個優勢可能在于它可與含鉛焊料后向兼容。鑒于世界上許多無鉛政策在執行上存在延遲，這種后向兼容仍較為重要。由于安森美半導體在特定應用中使用霧錫有悠久歷史，因此霧錫制程解決方案已成為大多數需要無鉛外部鍍層的公司的首選。
風險考慮

上文討論了鍍層成份的選擇問題，現在我們將重點探討可降低風險的策略，該方案必須可以有效地解決與該鍍層形成錫胡晶相關的可靠性問題。研究表明，下列四種方案是減少錫胡晶產生的最可行解決方案：
? 對霧錫鍍層進行退火
? 增加霧錫鍍層的厚度
? 在鉛鍍層中加入鎳阻劑
? 對錫鍍層進行重流
就減少胡晶的問題而言，成本效益最高的方案是對鍍錫層進行退火。大量研究表明，在銅基板上對錫鍍層進行退火可以大大減少胡晶的產生。具體操作方法是在溫度為150℃下，對錫鍍層進行一小時的退火。根據現有文獻記載，在鍍層操作完成后24小時內對錫鍍層進行退火較為有效。

從文獻中我們可以清楚了解，盡管錫鍍層的最佳厚度尚不清楚，錫沉積越厚，越不容易產生胡晶。根據文獻中提供的參考數據，安森美半導體方案中的錫鍍層仍將集中介于7.5至12.5微米之間。我們相信，該方案可以在不影響鍍層質量的前提下，減少胡晶，提高成本效益。

另一種被廣泛認可的減少胡晶方案是在錫鍍層上加入鎳阻劑。然而，在鍍層上加入鎳會使許多產品的成本增加，在市場上失去價格競爭力。此外，眾所周知，盡管鎳阻劑會使胡晶增加數倍，但這很大程度上取決于所使用的錫鍍層浴類型。大家普遍認為，鎳之所以可以減少胡晶產生，原因在于它會對錫鍍層中的應力產生影響。
由于使用鍍鎳減少胡晶的產生取決于所使用的錫鍍層浴，安森美半導體采用的對策側重于選擇基于甲基硫酸(MSA)的錫鍍層化學方法。MSA電鍍化學方法不僅可以控制錫鍍層中產生的應力，而且可以產生一種不易產生胡晶的鍍層。

文獻也討論到，另一種減少胡晶的方案是在錫熔點232℃以上進行錫重流，但是這種處理方法的有效性尚不清楚。因此，錫重流不能作為減少胡晶產生的制程。但是，安森美半導體采用的方案包括了采用重流測試作為確定整體霧錫制程有效性的方法。這種方法在很大程度上重復了最后的封裝制程。

需要對所有含大量錫的鍍層進行持續測試和檢查，以確保胡晶的產生得以控制。用于錫胡晶評估的測試條件和檢查程序在過去幾年中發生了重大變化，可以將其看作是一個移動的目標。JEDEC和iNEMI的動議已經帶動了越來越多的標準化工作，以確定進行上述評估所運用的方法。安森美半導體將嚴格遵守JEDEC標準JESD22A121中的建議。該標準不僅要求對特定的溫度循環、環境溫度/濕度儲存和高溫/高濕度存儲進行測試，還規定了所需的錫胡晶檢查程序。
除了監測當前的電鍍化學方法外，還將在這些新近議定并得以標準化的JEDEC測試條件下進行實驗，以便將樣品組錫胡晶與下列屬性相比較。
1. 霧錫鍍層的厚度范圍為5至15微米
2. 重流與不重流的比較
3. 銅導線架與鍍銅Alloy 42導線架的比較
4. 基于MSA的不同錫鍍層浴化學方法