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電子發燒友網>模擬技術>碳化硅IDM巨頭實現突破,年產能24萬片!

碳化硅IDM巨頭實現突破,年產能24萬片!

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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

三安光電8英寸碳化硅量產加速!

業內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

碳化硅器件的生產流程,碳化硅有哪些優劣勢?

中游器件制造環節,不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發,以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:366818

2024年中國碳化硅晶圓全球占比將達到50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產能。目前,這些中國企業的總產能約為每月6。隨著各公司產能的逐步釋放,預計到2024年,每月產能將達到12年產能將達到150。
2023-11-20 10:59:332671

2024年中國碳化硅晶圓產能,或超全球總產能的50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能,目前這些中國企業每月的總產能約為6。隨著各公司產能釋放,預計2024年月產能將達到12,年產能150。
2023-11-24 15:59:233723

碳化硅產業鏈圖譜

共讀好書 碳化硅產業鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環節組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料,根據電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長碳化硅外延,制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411

國內主要碳化硅襯底廠商產能現狀

國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環節。部分廠商還自研單晶爐設備及外延等產品。
2024-01-12 11:37:034786

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延產線

預計該項目投資總額3.5億元人民幣,將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。
2024-02-29 16:24:011234

宇泉保定半導體揭牌,年產165碳化硅功率模塊

據《保定晚報》報道,宇泉半導體(保定)有限公司是由保定高新區攜手北京世紀金光半導體有限公司共同組建而成。該項目自去年11月份起展開籌備工作,旨在吸引世紀金光半導體的“年產165碳化硅功率模塊生產項目”落地。
2024-05-30 09:14:162203

宇泉半導體年產165碳化硅功率模塊項目投產

近日,宇泉半導體(保定)有限公司在河北保定高新區舉行了隆重的揭牌儀式,這標志著公司投資的年產165碳化硅功率模塊項目正式步入生產階段。
2024-05-31 10:01:121711

中國碳化硅襯底行業產能激增,市場或將迎來價格戰

從2023年起,中國碳化硅襯底行業迎來了前所未有的發展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個項目的全國落地,行業產能迅速擴張,達到了新的高度。根據最新行業數據,國內碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關
2024-06-03 14:18:171096

方正微電子:2025年車規SiC MOS年產能將達16.8

10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導體領域的IDM(集成設備制造)企業,公司現擁有兩個生產基地(fab)。其中,Fab1已實現每月90006英寸SiC(碳化硅)晶圓的產能,預計到2024
2024-10-16 15:27:214090

Wolfspeed碳化硅助力實現高性能功率系統

Wolfspeed碳化硅助力實現高性能功率系統
2024-10-24 10:51:362

中國臺灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產能合計達7.2

近日,中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成或正在積極推進中,合計年產能將達到7.2。   在中國臺灣,SiC新玩家格棋化合物半導體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364

國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突破 1.1 國產SiC碳化硅功率半導體企業從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

【新啟航】碳化硅外延 TTV 厚度與生長工藝參數的關聯性研究

一、引言 碳化硅外延作為功率半導體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產品質量的關鍵指標,直接影響器件的性能與可靠性 。外延的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參數起著決定性
2025-09-18 14:44:40645

Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用

的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強大的知識產權組合支撐著材料和器件方面的關鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術得以實現大規模商用。
2025-09-22 09:31:47654

2023年國內主要碳化硅襯底供應商產能現狀

電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可,簽下
2024-01-08 08:25:345166

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