基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮流電阻設計，開發出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
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德爾福科技推出業界領先800伏碳化硅逆變器，將電動汽車充電時間減半
2019-09-20 14:55:532585 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動，增加了系統復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:48 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點，在電子器件領域有著
2022-02-17 14:36:16
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優異的半導體性能，在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
），P阱與N-形成的PiN會投入工作，減小浪涌時刻VF的增長，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 圖（4）二極管正向與電流密度關系圖 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結構。 05
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品，具有極高的工作效率，性能優越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
應用范圍也越來越廣。據報道，美國特斯拉公司的馬達驅動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外，很多讀者都已經在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體，其內部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，導通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，這一塊也是金航標產品的研發方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導體研發的igbt、碳化硅場效應管、ldo電源管理芯片，也廣泛應用于逆變器、電池管理等場合，和金航標的信號連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
具體來說，在新能源發電系統中，采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 采用新型碳化硅結型場效應功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統光伏逆變器相比，具有開關頻率高、體積小、效率高的特點。本文對橋式碳化硅模塊的驅動，以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關
2020-04-14 08:00:003 碳化硅雙逆變器800V系統首個原型。該碳化硅逆變器乃GLM與著名日本半導體和電子元件制造商ROHM Co.， Ltd. （“ROHM”）共同研發，自今年2月雙方宣布共同研發合作后僅五個月便完成首個原型。項目計劃將于未來二十四個月內投入量產。
2020-08-06 09:09:001272 博世于2019年10月在德國正式宣布其開始碳化硅相關業務。功率碳化硅半導體生產基地位于德國羅伊特林根。 ? 博世碳化硅MOSFET以封裝或裸片形式提供。博世碳化硅為客戶提供多種封裝選擇，新開
2021-02-19 11:55:305742 
第三代功率半導體碳化硅 SiC（silicon carbide）具有高耐壓等級、開關速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅動系統的效率、功率密度和可靠性。 首先，設計了兩電平三相逆變器主電路
2021-04-16 11:10:0043 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32148 。其中400V電壓的電池組，主要在過去的電動汽車中使用，受電流限制，充電速率和輸出功率較低。 而800V是新型電動汽車所采用的電壓，高壓母線支持更大容量的電池組，支持最高350kW的充電功率。電壓的提升也減小了系統電流，相比400V平臺，800V平臺的整體性能得到了很高
2021-06-29 17:44:384221 ，基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:044200 逆變器平臺第 5 代 （IPG5） 是一款 800 V 碳化硅逆變器，可實現更快的充電、更高的效率和更長的續航里程，已在 McLaren Applied 接近滿負荷生產。
2022-07-29 16:31:171656 能源效率不斷需要進一步優化：這促使工業市場尋求不同的資源。 現在的半導體主要用硅和鍺生產。碳化硅 (SiC)已成為處理新型寬帶隙時最重要的資源，這要歸功于其具有更低損耗和更高開關速度的特性。 碳化硅
2022-08-04 09:26:231882 
基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設計
2022-08-27 15:57:021221 
新能源汽車800V時代的超強風口到來 碳化硅器件市場需求上量“雙碳”成為各個國家的主要發展戰略，新能源汽車的節能減排成為落實“雙碳”的主要抓手之一，因此，“雙碳”戰略的實施有力推進新能源汽車的加速發展。
2022-09-02 09:48:382181 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。
2022-10-14 17:52:067086 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料，具有比傳統硅材料更加優異的性能，尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，開關速度快、效率高，可大幅降低產品功耗，提高能量轉換效率并減小產品體積。
2023-02-03 14:18:271407 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:321748 與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。 隨著新行業和產品采用電子和半導體，設計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:553 汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器，用于將直流電轉換為交流電，以驅動電動車的電動機。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器，將直流電轉換為高頻的脈寬調制信號，再通過濾波電路將其轉換為交流電輸出。
2023-02-25 15:02:394611 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現代半導體技術制造而成，可以實現高功率、高效率、高頻率的控制和開關，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:224048 新開發的800V SiC功率模塊，可提升5%的續航里程，并改善聲學表現。同時，得益于法雷奧與碳化硅半導體供應商的精誠合作，800V高功率逆變器的重量減少了約40%。800V 逆變器系列產品同時適用于乘用車和商用車。量產時間為2025年。
2023-03-01 11:17:561735 碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；800V時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間。
2023-05-18 16:11:55631 材料。碳化硅器件相較于硅基器件，具有優越的電氣性能，如耐高壓、耐高溫和低損耗。隨著新能源汽車滲透率不斷提升，疊加800V高壓平臺的逐步實現，SiC器件市場將高速增長。
2023-06-28 11:19:141616 
森國科碳化硅MOS第三代功率半導體 新能源汽車系統架構中涉及到功率半導體應用的組件包括：電機驅動系統、車載充電系統（OBC）、電源轉換系統（車載?DC/DC）和非車載充電樁。碳化硅功率器件應用于電機
2023-07-03 11:13:131068 
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24797 
%的份額。到2027財年，將碳化硅功率半導體業務的銷售額提升到2700億日元（約人民幣139億）。 為此，羅姆在收購端開始發力，羅姆已與Solar Frontier達成協議，收購Solar
2023-07-19 19:37:011445 電動汽車（EV）電池系統從400V到800V的轉變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15976 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16577 
智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發，2022年12月正式立項為量產項目。
2023-11-03 16:48:16946 
”的時代，光伏電站電壓等級將從1000V提升至1500V及以上，對功率器件的物理性能提出了更高的要求，此時碳化硅進入了大眾視野。
2023-11-06 09:42:172402 
目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:241211 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 小米自研小米800V碳化硅高壓平臺：871V
2023-12-28 14:19:111284 
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設備，主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優越性能，如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:542585 碳化硅（SiC）在半導體產業中的發展呈現出蓬勃的態勢，其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產業中發展的分析： 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無機物
2024-11-29 09:30:051573 碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667 近日，博世汽車電子中國區（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產基地，并于2025年1月成功下線首批產品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步，也進一步提升了本土市場的響應速度，增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291115 目前，越來越多的汽車牽引逆變器開發者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個備受青睞且經過廣泛驗證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET
2025-03-17 10:41:561040 
到IDM模式的戰略轉型 國產SiC碳化硅功率半導體企業發展歷程詮釋了中國半導體產業的轉型升級路徑。國產SiC碳化硅功率半導體企業創立初期采用Fabless模式，專注于 芯片設計與市場開拓 ，但很快意識到IDM（集成設計制造）模式對碳化硅領域的重要性。國產SiC碳化硅功率半導體企業布
2025-06-07 06:17:30911 驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道，小編表示地鐵、老人、手機.jpg，火速去內部打探消息——結果只想說一句：別慌，博世還在，且蓄勢待發！這樣精彩的舞臺，怎會少了博世這位心動嘉賓。
2025-07-04 09:46:01910 
基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03983 
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商，產品
2025-12-12 14:14:06565
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