下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19
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大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進(jìn)行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
了市場上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結(jié)構(gòu)的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，這種結(jié)構(gòu)更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:006425 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:184422 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中，采用M1及其衍生的M2技術(shù)平臺，而這次發(fā)布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:004884 逆變器應(yīng)用）。M3系列工藝平臺延續(xù)了過去幾代產(chǎn)品上使用的平面型結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了顯著的技術(shù)指標(biāo)提升。 圖源：安森美 ? SiC MOSFET采用溝槽型結(jié)構(gòu)能夠突破平面結(jié)構(gòu)的限制，進(jìn)一步提高功率器件的功率密度，這在硅基MOSFET上已經(jīng)被廣泛驗(yàn)證。安森美最近在官微上也正式宣布，
2025-01-03 00:22:005195 
看到很多人寫51程序，都喜歡用Proteus進(jìn)行仿真。可仿真真的有必要嗎？我看未必。如今的單片機(jī)在線下載都已經(jīng)十分方便，燒寫次數(shù)也已經(jīng)達(dá)10萬次以上，那么直接將實(shí)物焊接出來進(jìn)行實(shí)物調(diào)試，這才是根本
2013-09-17 09:26:50
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
血小板帶到150毫米晶圓，幾乎沒有殺死設(shè)備的微管。 隨著有希望的供應(yīng)商忙于進(jìn)行他們想要商業(yè)化的進(jìn)步，未來幾年內(nèi)發(fā)布的SiC MOSFET研究進(jìn)展有所放緩。然而，該階段已經(jīng)設(shè)定為最終改進(jìn)，旨在進(jìn)一步收緊
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
` NCE2302采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和低2.5V的柵電壓操作。本設(shè)備適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。產(chǎn)品型號：NCE2302 產(chǎn)品種類：MOSFET 產(chǎn)品特性
2021-07-21 17:13:14
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）
有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
為何大家不優(yōu)先推薦高頻內(nèi)存呢？高頻真的有必要嗎？高低頻DDR4內(nèi)存差異是什么？
2021-06-18 07:57:14
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
的輸出電容依然會分壓，當(dāng)回路中存在電壓震蕩時，低壓Si MOSFET依然有被擊穿的風(fēng)險。SiC MOSFET溝槽柵的主要優(yōu)勢來源于縱向溝道，這不但提高了載流子遷移率（這是由于SiC（1120）晶面
2022-03-29 10:58:06
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），以進(jìn)一步降低損耗。以下為示例。下一次計(jì)劃詳細(xì)介紹全SiC功率模塊的特點(diǎn)和優(yōu)勢。關(guān)鍵要點(diǎn)
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
大家決定32郵票孔式樣的核心板有必要嗎，每次做板子都要搞一次最小系統(tǒng)的，想先做一個F1的核心板，64P/100P或者144P的理論上可以做到一個板子上，然后需要什么核心焊什么，外圍都焊好了放那，不知道大家什么想法
2020-05-13 00:50:28
在項(xiàng)目“backup_fw” 中手動設(shè)定applicationimg 地址有必要嗎，還是不需要勾選，若勾選了，這個地址的值是根據(jù)什么設(shè)定的，謝謝！
2024-06-03 06:44:37
大三了，還有參加電子設(shè)計(jì)大賽的必要嗎？
2013-04-17 23:37:57
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作開關(guān)而專門設(shè)計(jì)的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅(qū)動與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會問“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
!= OSPrioCur) 這個if語句有存在的必要嗎？我是這么想的：1.uC/OS-II里的任務(wù)優(yōu)先級是唯一的，即：不能存在優(yōu)先級相等的任務(wù)。2.運(yùn)行中的任務(wù)根本就不在就緒列表中。基于以上2點(diǎn)，本人認(rèn)為“當(dāng)前
2019-06-26 04:37:05
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對該方面的新發(fā)展進(jìn)行了論述。本文上篇著重于降低通態(tài)電阻Rds（on）方面的技術(shù)發(fā)展，下篇著
2008-11-14 15:43:14
25 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展-減小漏源通態(tài)電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對該方面的新發(fā)展進(jìn)行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:0411 對于低壓功率溝槽MOSFET的開關(guān)性能，柵－漏電荷Qgd是一個重要的參數(shù)。本文利用數(shù)值模擬軟件TCAD（器件與工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)），研究了氧化層厚度、溝道雜質(zhì)分布、外延層雜質(zhì)濃
2010-08-02 16:31:2633 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的最新結(jié)構(gòu)。由于溝槽柵結(jié)構(gòu)與平面柵結(jié)構(gòu)在基區(qū)載流子輸運(yùn)、柵極結(jié)電容計(jì)算等方面存在較大的不同，沿用平面柵結(jié)構(gòu)的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:100 屏下指紋辨識真的有必要嗎？到底他會帶來什么使用上的問題呢？。
2018-02-05 16:46:1210791 家用指紋鎖有必要嗎?對于這個問題，主要是看各個家庭和你所在小區(qū)的安保性好不好;因?yàn)橐袁F(xiàn)在市面上的機(jī)械鎖來說基本上小偷都能在幾秒內(nèi)技術(shù)開啟門鎖，而換了家用指紋鎖后因?yàn)楝F(xiàn)在標(biāo)配用的鎖芯是超B級或者是C級
2019-03-28 15:13:231880 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
2019-09-24 14:39:282466 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:122665 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201447 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173264 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面
2023-01-12 14:34:012202 
PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:081969 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:011454 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521411 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:562548 
在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:521337 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。
2024-04-10 12:31:522085 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 綜上所述，PD3.1快充協(xié)議對我們是有必要的。它不僅提升了充電功率和效率，還增加了多項(xiàng)實(shí)用功能，提高了充電的便利性和安全性。同時，PD3.1協(xié)議也是推動充電技術(shù)統(tǒng)一和標(biāo)準(zhǔn)化的重要步驟，對于促進(jìn)資源的合理利用和環(huán)境的保護(hù)也具有重要意義。
2024-11-15 21:49:022196 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001996 設(shè)計(jì)與繁復(fù)工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領(lǐng)域持續(xù)“占鰲”，成為行業(yè)標(biāo)桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”？低
2025-05-15 17:05:23538 本文為2024年P(guān)CIM論文更多精彩內(nèi)容請關(guān)注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有
2025-08-29 17:10:021600 
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