1. 多維市場持續推動，功率半導體穩健增長

1.1 功率半導體介紹及分類

功率半導體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產業鏈中最核心的一類 器件之一。能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起著功率轉換、功率放大、 功率開關、線路保護、逆變（直流轉交流）和整流（交流轉直流）等作用。

功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半 導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

據中商產業研究院數據，功率半導體分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 為代表 的晶體管占比最大，約 28.8%。從目前市場需求來看，硅基 MOSFET、硅基 IGBT 以及碳化硅為目前功率半導 體分立器件的主力產品。本文也將重點圍繞硅基 MOSFET、IGBT 和碳化硅等功率分立器件（含模塊）展開分析和研究。

MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單和輻射強等優 點，通常被用于放大電路或開關電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 Planar MOSFET、溝槽型 Trench MOSFET、屏蔽柵 SGT MOSFET 和超級結 SJ MOSFET。按照導電溝道可分為 N 溝道和 P 溝道，即 N-MOSFET 和 PMOSFET。按照柵極電壓幅值可分為耗盡型和增強型。

隨著 MOSFET 技術和工藝不斷成熟，成本將不斷下調。中高端產品也將逐漸向 中低端產品下沉。比如 Trench MOSFET 將從中端下沉至中低端，替代部分平面 MOSFET 的低端市場。SGT MOSFET 將部分替代 Trench MOSFET 的低壓應 用市場，從中高端下沉至中端。SGT MOSFET、SJ MOSFET 和碳化硅 MOSFET 或是 MOSFET 未來三大主 力產品。自上世紀 70 年代 MOSFET 誕生以來，從平面 MOSFET 發展到 Trench MOSFET，再到 SGT MOSFET 和 SJ MOSFET，再到當下火熱的第三代寬禁帶 MOSFET（碳化硅、氮化鎵），功率 MOSFET 的技術迭代方向主要圍繞制程、 設計（結構上變化）、工藝優化以及材料變更，以實現器件的高性能——高頻率、 高功率和低損耗等。

IGBT 俗稱電力電子裝置的“CPU”，是能源變換與傳輸的核心器件，由 BJT 和 MOSFET 組合而成，是一種全控型、電壓驅動的功率半導體器件。IGBT 沒有 放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT 同時具有 BJT 和 MOSFET 的優點，即高輸入阻抗、低導通壓降、驅動功率小而飽和壓降低等， IGBT 與 BJT 或 MOS 管相比，其優勢是它提供了一個比標準雙極型晶體管更大 的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。因此廣泛應用于 直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路 和牽引傳動等場景。

IGBT 相比 MOSFET，可在更高電壓下持續工作，同時需要兼顧高功率密度、低 損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的 IGBT 芯片，不僅僅需要在設計端不斷優化器件結構，對晶圓制造和封裝也提高了更高的要 求。

1.2 中國功率半導體發展現狀

產品由低端逐步走向中高端，國產替代空間廣闊。我國功率半導體產業仍處于起 步階段，總體呈現產業鏈完整、廠家多、發展迅速等特點。截止 2022 年 4 月，中國 功率半導體相關企業已超 320 家。主要分布在廣東（130 家）和江蘇（56 家）等東 南沿海地區。

國產功率半導體已在眾多領域應用，特別是低端產品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規）等，已初現“規模化效應、國產化率相對較高”等特 點。在中高端領域，如 SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規產品，由于起步 晚、工藝相對復雜以及缺乏車規驗證機會等問題，國內廠家依然在追隨海外廠家技術 發展路線。但近年來，市場逐漸從依賴進口向國內自給自足轉變，國產替代潛力大。

芯片進口金額持續處于高位，功率半導體市場空間足夠大。據中國海關總署數據， 2021 年，中國進口集成電路 6354.8 億個，同比增長 16.92%。全年進口金額累計為 4325.54 億美元，同比增漲 23.59%。中國為功率半導體消費大國，2021 年中國功率 半導體市場規模約為 183 億美元，同比增長 6.4%，預計 2022 年將進一步增長至 191 億美元。

國家和地方政策支持，加速國產替代進程。受益于國家和地方政府的鼓勵政策， 國內電動汽車與充電樁、光伏與儲能等領域需求增長，功率半導體競爭格局有望被重 塑——國內功率半導體的國產化進程有望加速。

1.3 功率半導體前景廣闊，汽車、充電樁和光伏多輪驅動

功率半導體應用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產業鏈。以 MOSFET、IGBT 以 及 SiC MOSFET 為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同，廣泛應用于汽車、充 電樁、光伏發電、風力發電、消費電子、軌道交通、工業電機、儲能、航空航天和軍 工等眾多領域。

據 Yole 數據預測，至 2025 年，全球功率半導體分立器件和模塊的市場規模將 分別達到 76 億美元和 113 億美元。據中國產業信息網數據，2023 年中國大陸地區 IGBT 市場規模預計達到 290.8 億元，同比增長 11.6%。據中國半導體器件行業現狀 深度分析與未來投資預測報告數據，2023 年中國大陸地區 MOSFET 市場規模將達 到 396.2 億元（56.6 億美元，人民幣兌美元匯率按照 7 計算），同比增長 4.8%。

以 MOSFET 為例，據 Yole 預測，到 2026 年，全球 MOSFET（包括分立器件 和模塊）市場總規模預計將達到 94.8 億美元，復合增長率達 3.8%（2020 年至 2026 年）。MOSFET 汽車應用（電動汽車和汽車充電樁）占比居首位，高達 33%，其中電 動汽車和充電樁分別占比 25%和 8%。從耐壓范圍看，到 2026 年，低壓 MOSFET （0-40V）占總需求的 39%，中壓（41V-400V）占 26%，高壓（大于等于 600V）廣 泛應用在 220V 系統中，占總需求的 35%。同時，SiC MOSFET 和 GaN MOSFET 市場滲透率在逐步提高。

2020 年以來，電動汽車、汽車充電樁和光伏逆變器可謂拉動功率半導體增長的 三駕馬車。

電動汽車：電動汽車進一步滲透終端消費市場，帶動功率器件和模塊需求快速 增長。特別是 MOSFET 和 IGBT（包括單管及模組）的增長較為顯著。據貝殼投 研數據，2021 年中國車規級 IGBT 市場規模為 47.8 億元，預計到 2025 年，其 將達到 151.6 億元。據芯謀研究數據，2021 年和 2025 年中國車規 MOSFET 的 市場規模分別為 73.5 億元（10.5 億美元，匯率按 7 計算）和 122.5 億元（預測 數據，17.5 億美元，匯率按 7 計算）。

充電樁：受益于新能源汽車快速增長，與之配套的充電樁市場亦呈現快速發 展態勢。據億渡數據預測，至 2026 年，中國充電設施市場規模將達 2870.2 億元，2022 年到 2026 年復合增長率高達 37.83%。從直流充電樁相關零部 件分解可以看出，充電機是充電樁的最核心部件，成本占充電樁的 50%以上， 而功率半導體是充電機的最核心組成部分，成本占充電機的一半以上。

光伏：據中國光伏行業協會數據，至 2025 年，中國新增光伏裝機保守預測為 90GW，同比增長 10%。據未來智庫數據預測，2025 年中國光伏逆變器市場 規模達 196 億元。逆變器是光伏系統的心臟，中高壓 MOSFET、IGBT 及碳化硅等功率器件是 光伏逆變器的核心，其決定著光伏逆變器的性能高低，進而直接影響光伏系 統的穩定性、發電效率以及使用壽命。據中商產業研究院數據，光伏逆變器 主要由機械件、電感和半導體器件構成，分別占比 27.6%、14.2%、11.8%。

綜上，在電動汽車、充電樁以及光伏逆變器等多輪驅動下，功率器件有望穩健增 長，為千億賽道奠定堅實路基。

2. 汽車電動化大勢所趨，功率半導體深度受益

汽車的百年史里，數次技術變革都極大的推動了汽車消費和汽車工業的發展，如 發動機控制、自動變速、底盤、主被動安全、通信及多媒體影音等技術。雖然這些技 術給汽車的駕駛感受和舒適性都帶來了提升，但汽車能源供給方式、駕駛方式以及驅 動方式都沒有發生變化。

如今，傳統燃油車動力和傳動系統將被電動車的大、小三電系統取代。自動駕駛、 線控底盤、網聯化和軟件化，車、路和云端協同等賦予了汽車新的定義和生命力。汽 車已不再單單是一個載客的交通工具，而是被定義為一個智能科技終端、可以在其中 工作和休閑的第三移動空間。

2.1 電動汽車加速滲透，IGBT、MOSFET 最先受益

電動汽車作為新能源汽車的最重要載體和代表，是承載先進汽車科技的代名詞，也逐漸成為消費者選擇的主流。而中國已成為引領全球電動汽車技術發展的最大的新 能源汽車產銷市場。2016 年中國電動汽車市場滲透率僅有 1%。而在疫情等外界因 素影響之下，2022 年前三季度中國電動汽車市場滲透率已經達到 24%，實現了飛躍 式增長。

2022 年 1-9 月份，全球新能源汽車銷量再創新高，達 726 萬輛，同比增長 67.56%。其中歐洲銷售 166 萬輛，同比增長 6.68%；美國銷量快速提升，達 72 萬輛，同比增長 59.67%；中國新能源汽車銷量繼續領跑全球，銷量達到 400 多萬輛，同比增長 110%。全球新能源汽車累計銷量突破 2500 萬輛。2022 年 1-12 月份，中國新能源汽車銷量共計 688.7 萬輛，同比 2021 年增加 1 倍。可見，即使上半年疫情影響帶來的供應鏈中斷、動力電池上游原材料漲價以及多數汽車芯 片依然緊缺的形勢下，新能源汽車銷售市場熱情不減。如比亞迪增長最為顯著，全年累計 銷售 186.85 萬輛，同比增長 152.5%，其中純電車型銷量突破 91.1 萬輛。

車載功率半導體穩健發展，離不開高壓平臺應用的助推。整車動力電池電壓平臺有 望將逐漸從現有的 400V 升級到 800V 系統，以滿足消費者對電動汽車的長續航、快速充 電等期待，而這將對功率半導體的性能參數提出了更高的要求，中高壓功率器件如 SJMOSFET、IGBT和碳化硅 MOSFET將會在車端大量應用，其單車價值量有望繼續提升。據半導體行業縱橫數據，混動和純電動汽車上功率半導體價值量分別占單車半導體 總價值的 40%和 55%。據英飛凌統計數據，純電動汽車半導體價值量預估在 1000 美元 左右，而功率半導體達 550-600 美元左右。而車載功率半導體中最具代表的即 IGBT 和 MOSFET。

車規功率半導體需求強勁，電動化與高壓化是兩大重要推動力。隨著汽車電動化、高 壓化逐步滲透，功率半導體在電動汽車上單車價值量有望進一步提高。

在傳統燃油車上，單車功率半導體價值量在 71 美元左右。且主要以中、低壓 MOSFET 應用為主，比如在車門、車窗、座椅調節、后視鏡、儀表、影音、HUD、 自動啟停、雨刷、天窗、轉向 ECU、制動 ECU、安全氣囊、空調電動水泵、座 艙儀表燈、前后視大燈驅動等涉及電機等應用場景大量使用。MOSFET 單車用 量超 100 顆。比如單個轉向 ECU 中使用數量達 8 顆。平均單價 2-10 元人民幣 不等。

電動汽車包括純電動，插電混動，混動（中混和強混）等。在此類汽車上， 電機驅動、照明、熱管理、電動汽車主驅逆變器、DC/DC、升壓器和 OBC （車載充電器）等產品將依據各自的工作功率大小，選擇不同的功率半導體 器件。高、中、低壓硅基 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有廣泛使用。

不同類型的功率半導體分立器件和模塊，在汽車上都能找到應用的落腳點。車載功 率半導體種類多，在做選型時，成本和效率是最關鍵的兩大要素。首先需要考慮需要多大 功率，再去匹配多大的電壓和電流，再結合系統效率和成本最終設計出一套最優方案。功 率半導體分立器件和模塊根據在車上不同的系統應用，則選用不同規格的器件。由此可見，功率半導體在電動汽車上應用場景非常廣泛。不同種類，不同規格的 產品都能匹配到不同的系統應用。電動汽車銷量穩健增長，最先獲益的有望是當前具 代表性的功率半導體——硅基 MOSFET、IGBT 以及碳化硅。

2.2 加快產品開發驗證，重塑車規競爭格局

海外廠家依然是供貨主體，本土企業份額有望持續擴大。由于車規芯片對可靠性、 安全性、試驗等要求相對苛刻，且汽車行業供應鏈相對封閉，車規功率半導體國產化 率一直以來比較低。歐、美、日等地的廠家憑借多年的技術積累和先進的制造能力等 占據著市場主導地位。據 Omdia 數據，英飛凌和安森美穩居全球功率半導體銷售額第一和第二的位置， 而其后排名相對動態。日本在全球功率半導體前十的榜單中占據五席，實力非常強勁。安世半導體是國內為數不多的被列入全球第一梯隊的功率半導體廠家，2021 年排名 第八，相比 2019 年上升一名。

英飛凌——全球功率半導體龍頭。英飛凌引領全球功率半導體市場，其功率 半導體出貨量占全球總市場近 40%，已經連續多年居首位。國內多數車廠 都采用英飛凌方案，特別是用于主驅逆變器里的 IGBT 單管和模塊。同時也 有不少做模塊封裝的廠家從英飛凌采購晶圓。英飛凌在車載 IGBT 產品上取得的不菲成績離不開其多年持續的研發投入、 技術創新、戰略投資和并購、與供應鏈上下游深度合作以及超前的戰略眼光 和對市場未來發展趨勢的精準預判。

安森美——穩坐功率半導體第二把交椅。功率半導體一直占據安森美總營收 的半壁江山。汽車為安森美最大營收來源，2022 年第四季度汽車收入達 9.89 億美元，占總營收的 47.01%，同比增長 54%，創下新記錄。

美歐日等國功率半導體企業具備技術、產能、體系、人才和管理等眾多優勢，市 場地位依然穩固。而中國作為全球最大功率半導體消費市場，近年來發展勢頭良好。截止 2022 年 4 月份，相關企業超 300 家，產業鏈布局完整，其中不乏一些技術實力 深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 企業。

以安世半導體、比亞迪半導體、斯達半導、中車時代電氣和士蘭微等為代表的功 率半導體企業，在技術沉淀、車規認證、制造工藝、試驗測試、技術支持、體系搭建、 上車批量驗證、問題解決以及產能提升和人才培養方面都積累了寶貴經驗。

在車規功率半導體中，MOSFET 和 IGBT 最具代表性。

車規 MOSFET：車規 MOSFET 不論在燃油車上還是電動車上，應用非常廣泛， 且 MOSFET 產品主要被海外企業壟斷。自 2020 年以來，海外頭部供應商都相繼面臨產能緊張、漲價和斷供等問題。此 時，對于一直在等候卻缺乏合適契機進入車載領域的本土廠商來說，正是切入汽 車供應鏈的絕佳時機。經過兩年的蓄勢，國內部分相關企業在上車批量供貨的同 時，同步在加快新的車規 MOSFET 的研發和驗證。低壓 MOS——主要以 40V，60V，100V Planar 平面型、Trench 溝槽型和 SGT 屏蔽柵 MOSFET 為主。因為單車用量大、應用場景多且復雜，自 2021 年以來， 市場缺貨嚴重。

中壓 SGT MOSFET：車規級 SGT MOSFET 工作電壓范圍通常在 30V-250V 之 間的 MOSFET 產品，其中中壓（100V-250V）一般并聯多個 MOSFET 單管用 于 A00 級小型電動汽車或中混車輛（動力電池電壓在 200V 上下）的主驅逆變 器、OBC、DC/DC、空調壓縮機等零部件當中起到逆變、整流等作用。高壓 SJ MOSFET，車規級 SJ MOSFET 工作電壓通常在 650V-900V，主要用 于當前廣泛搭載的 400V 動力電池平臺汽車的主驅逆變器、OBC、DCDC 和 PTC 等產品上。

車規 IGBT：IGBT 通常分為單管、模塊和 IPM 模塊。全球車載 IGBT 和 MOSFET 一樣，主要被美歐日等國家的廠家壟斷。如英飛凌、安森美、富士電機、三菱電 機和賽米控等。其中，英飛凌占據車規 IGBT 主要市場份額，英飛凌最早在 2007 年推出車規級 IGBT 模塊——HybridPACK 系列。在國內市場，比亞迪、斯達半導和時代電氣穩居前十。

IGBT 已發展至第七代，英飛凌作為 IGBT 龍頭，其技術早在 2018 年已經迭代 至第七代。第五、六、七代均是在第四代技術基礎上針對大功率、高開關頻率等 需求進行的設計優化。不同代差對應不同的器件設計，也對應著不同的器件性能 和應用場景。目前國內多數廠家已經發展到了等同英飛凌的第四代和第五代技術， 而第四、五代 IGBT 也正好是目前車規 IGBT 應用的主流技術。

功率半導體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅動總成。其中，電機控制器是功率半導體器件和模塊的重要應用 領域，其主要用途是將動力電池輸出的直流電轉換成驅動電機所需要的三相交流電。電機控制器由功率半導體器件或模塊、電容、驅動電路板和控制電路板等零部件 組成。其中功率半導體器件或模塊占總成本的 37%左右，是電機控制器最為核心的 零部件之一。

由于電機控制器是功能安全件，通常消費級或工規級的功率半導體器件和模塊不 滿足上車條件。因此長期以來，電機控制器中的功率半導體器件和模塊一直依賴進口。近年來，電機控制器格局發生變化，本土電機控制器廠家市場份額快速增長，這 讓國產功率半導體擁有更多驗證和上車機會，國產功率半導體市場份額將有望進一步 擴大。2022 年 Q1，斯達半導、比亞迪半導體和時代電氣市占率分別穩居國內市場第 二、第三和第五，分別占比 16.4%、14.5%和 9%。

本土電機控制器廠商引領市場，對車載功率半導體競爭格局有著積極影響。2022 年，排名前 20 的電控廠家中，本土廠家占據 12 席。包括 5 家整車廠自制企業、9 家 本土第三方非自制企業（包括聯合電子）以及 6 家海外廠家（包括日本的電裝、電產、 三菱、日立等四家、法國法雷奧和美國博格華納）。包括整車企業在內（除特斯拉外）， 總共有 14 家本土企業入圍前 20，占比 7 成。

國產電控引領市場，有望助力國產功率半導體上車。目前國內電控產品競爭相對 充分，且由本土廠家引領。而國內企業在電控市場上份額的提升，則有望助力國產功 率半導體上車。原因如下：1）供應鏈安全考慮：當功率半導體缺貨時，為保證供應鏈安全，車廠通常采取 一品多點采購戰略，即一個電控產品，多家功率半導體供應商按照與車廠約定好的份 額供貨。對車廠而言，國產功率半導體通常是此時的選項之一；2）電控廠家成本控制需要：國產功率半導體成本相比進口器件具備一定優勢。特別是 A00 級和 A0 級這類電動車，其對整車成本控制要求相對較高，國產功率半導 體應用較為廣泛。國內電控廠家在面臨海外競爭者壓力的時候，成本是其核心優勢之 一。功率半導體作為電控中占比最高的核心器件，國內電控廠家在獲取整車廠項目的 時候，通常也會偏愛選用同樣具有成本優勢的國產功率半導體。3）多數國內車廠和電控廠家加強和國內功率半導體廠家合作，通過投資或戰略 合作或成立合資公司的方式，形成優勢互補，共同開發功率半導體產品。這將對國產 功率半導體上車應用起著很強推動作用。

缺芯緩解過后，功率半導體的“技術和成本”或成核心主線。隨著缺芯緩解，海 外頭部廠家產能恢復，國內廠家或面臨一定程度上的市場競爭。如何突破重圍，長期 來看，技術提升和持續成本優化，以及加快車規產品研發和驗證速度，將有助于重塑 市場格局，這將成為國內廠家可持續發展的兩條核心主線。

2.3 車規器件壁壘重重，國產龍頭曙光破曉

在電動汽車銷量快速增長和缺芯的大背景下，國內功率半導體廠家趁勢在上車驗 證和批量供貨上取得不菲成績。但由于國內車載功率半導體發展起步較晚、器件開發 經驗不足、上車驗證機會不多和可靠性要求高等原因，在“以下諸多方面”與全球第 一梯隊的車規功率半導體企業尚存差距，這也正是車規功率半導體壁壘所在。諸多壁 壘呈現復雜性、多樣性、綜合性以及普遍性等特點。設計和制造工藝。車規功率半導體的設計和制造工藝相對成熟，結構相對簡單， 對工藝制程要求不高（通常大于 90nm）。車規功率半導體與其他芯片比較，結構和制 造工藝有一定差別，且逐漸融合更多的特色工藝（微溝槽、深溝槽和屏蔽柵等）。車 規功率半導體在芯片面積、線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗和封裝等方面 在持續做設計和工藝優化，以達到大電流、高電壓、低損耗、高開關頻率、魯棒性、 散熱快等性能目標。

目前全球車規級功率半導體器件設計、制造工藝和封裝測試等主要由英飛凌等海 外廠商引領。

器件設計：功率半導體自誕生以來，從半導體基材的迭代、微溝槽結構 的優化、先進封裝、大尺寸晶圓的應用等多個方面進行技術創新。據 Yole 數據，功率半導體器件每隔二十年將進行一次產品迭代。相比其他半導體， 迭代周期相對慢，這將給國內功率半導體廠家留有充足的發展時間。目前國內廠商面臨的挑戰主要包括：1）低功耗與高可靠性以及高功率密度 三者的平衡；2）滿足高性能和小型化以及低成本三者的平衡；3）產品平臺 化和客戶定制要求之間的沖突和平衡；6）車規產品設計、制造等管理體系 和流程不健全；

晶圓制造工藝：這方面的挑戰有：1）半導體設備長期依賴進口，采購周期 長且成本高，設備調試時間長，缺乏經驗；2）生產過程管控以達到晶圓一 致性和可靠性的目的；3）適用于車規的材料選型，以達到散熱、高結溫要 求；4）小尺寸、先進封裝與成本之間的沖突等。

封裝測試：這方面的挑戰有：1）封裝環節，鍵合引線、模具、框架等材料 的選擇；2）功率半導體模組的散熱問題和可靠性兩者的平衡；2）缺乏車規 試驗條件或測試經驗，具體試驗參數如何設定沒有經驗。

SJ MOSFET、IGBT、碳化硅 MOSFET 作為中高端功率半導體器件，國內廠家 在器件設計、晶圓制造工藝和封測環節都面臨不同程度上的挑戰和壁壘。對于追趕者 的國產功率半導體廠家而言，技術作為發展的第一要素，技術持續迭代和技術方案的 創新或是超越國際巨頭、主導市場地位的最重要條件之一。

質量管理體系。車規功率半導體相比消費和工業產品，對可靠性、質量一致性、 環境（耐久、高低溫）、供貨周期以及驗證試驗等要求更高。需要嚴格遵守車規芯片 開發流程、質量管理體系、驗證要求等進行以確保車輛行駛安全。車載功率半導體與其他車規芯片一樣，從芯片定義、設計、原材料采購、供應商 管理、生產制造過程、小批量和批量供貨以及售后等，都需要嚴格按照 AECQ-100 試 驗要求和 IATF16949 生產制造過程中的要求執行。對于主驅逆變器中的功率半導體 單管或模塊，甚至要求按照 ISO 26262 對系統和流程體系進行功能安全認證。

比如，在車規 IGBT 模塊的安全性方面，IGBT 模塊通常由多個 IGBT 單管、SBD 以及散熱板等結構組成。IGBT 單管由成百上千個 IGBT 元胞構成。IGBT 模塊實際上 車后，若其中一個元胞出現質量問題，則將直接危及整車安全。國內從事車載功率半導體開發和生產制造的廠商，具有數量多、分布地域廣、產 品種類多、技術能力水平參差不齊等特點。除了少數幾家頭部廠家外，車載領域起步 相對晚，從事車規產品開發累計時間不長。對車規產品質量管理體系認知仍有待提高， 需要未來更長時間上車實踐以提升。

上車機會。傳統燃油車時代，汽車銷量和核心零部件技術均由頭部車廠和供應商 把握，海外整車廠和頭部 Tier1 話語權大，故汽車供應鏈相對封閉，新玩家進入大廠 供應鏈體系相對困難。國內車規功率半導體廠家起步晚、技術經驗少、對車規產品認知缺乏。由于缺乏 批量上車驗證機會。即使部分有很強研發實力的企業，同樣缺乏批量供貨、驗證產品 長期可靠性的機會，從而技術能力一直處在進步緩慢的窘境。且高投入和長期低回報 導致部分廠家信心不足甚至放棄車載產品的開發。在此背景下，即形成了對國內功率 半導體玩家極為不友好的惡性循環。新能源汽車的快速上量以及疫情以來的汽車缺芯，特別是特斯拉以及國內的造車 新勢力們，打破了汽車供應鏈封閉的外墻，愿意嘗試多條腿走路，這給予了國內包括 車載功率半導體廠家在內的汽車零部件供應商們充足的上車機會，也增強了國產替代 的確定性，國產車規功率半導體有望迎來份額進一步提升的機會。

成本。在汽車客戶面臨器件選型時，成本將是一項重要考量的點，同樣滿足客戶 需求的產品，分別來自海外廠家和國內廠家，在不缺芯和沒有國產替代要求下，通常 客戶可能考慮定點給價優者。車規功率半導體和其他***類似，因為起步晚、經驗缺乏、產業鏈相對不成 熟等特點，研發成本（人工、IP、軟件和工具鏈等）攤銷相對較高、核心原材料依賴 進口（框架、模具、引線鍵合相關工藝等）、工藝相對不成熟、良率相對不高、規模 化效應相對不突出、車規器件試驗經驗相對缺乏以及固定資產尚處在攤銷初期等，而 上述或是造成器件成本相對較高的主要因素。

半導體從業人才。截止 2020 年，國內半導體從業人員人數約 54.1 萬，同比增 長 5.7%。預計到 2023 年，人才需求將達 76.7 萬人，人才缺口將近 23 萬人。依前 文所述，功率半導體已超 300 多家。需求旺盛背后也隱藏著行業對專業人才的求賢 若渴。人才競爭也同樣是半導體企業間實力競爭的重要組成部分。成熟、經驗豐富的人才隊伍是行業發展基石。

3. 供應鏈安全迫在眉睫，國產廠商乘勢而上

2023 年 3 月 3 日，美國商務部將 28 家中國實體加入“EL（Entity List，實體清 單）”。自 2018 年中興和華為相繼被制裁以來，美國對中國企業和科研機構等實施多 次貿易限制和打壓，目標直指多家半導體相關企業。

3.1 地緣政治+芯片短缺，產業尋求破局之道

2020 年以來，在多重因素影響下，汽車芯片面臨大缺貨。芯片供求不平衡導致 芯片期貨交期延后，價格漲價，現貨價格更是一路高走。至今，汽車缺芯雖然已有所 緩解，但依然還存在部分芯片供應緊張狀況。長安汽車領導層就曾公開表示，因缺芯等因素影響，2022 年前三季度，已經減 產 60.6 萬輛。據 AFS 預測數據，2022 年因缺芯致汽車減產預計達 450 萬輛，而 2021 年這一數據是 1050 萬輛。

半導體產業鏈全球化受阻。長期以來，半導體行業高度依賴全球化產業鏈的協同， 彼此分工明確，從設計、制造、封裝、設備、材料、軟件等全球通力合作，得以成就 全球半導體產業碩果。但是，近年來國際局勢已經徹底改變了半導體制造商面臨的處 境，全球化和自由貿易變得舉步維艱。國產替代，功率半導體先行。在缺芯之下，功率半導體因為需求大、技術門檻相 對較低、國內產業鏈基礎好，且在消費和工業等有多數產品量產和應用，將有望成為 最先被國產化的領域之一。

***產量逐年增加，國產替代內部驅動力增強。據國家統計局數據，2021 年中國集成電路累計產量達 3594 億塊，同比增長 37.48%。從 2011 年至今的國內集 成電路產量數據可以看出，面對日益增長的市場需求，國內集成電路行業發展穩健， 產量逐年提高。

3.2 IDM 及 Fabless 齊發力，國產替代穩步前行

汽車受智能化、電動化、網聯化和軟件化等產業趨勢驅動。芯片作為智能硬件和 軟件的基石和載體，其重要性不言而喻。功率半導體在汽車電子中價值量高，且產業 鏈相對完整，具備國產替代的現實意義和可操作性。

3.2.1 車企投資不斷，IDM 和 Fabless 齊頭并進

當下，車規功率半導體已然成為車企重點布局和投資熱門領域之一。車載芯片種 類多、型號多、持續“缺芯”和車廠重要控制器自研，使得車廠開始建立控制器硬件 設計和供應鏈部門。車廠將直接參與芯片選型，直接建立與芯片廠家溝通渠道，打破 原有供應鏈的合作模式。車廠和 Tier1 都在開始往半導體設計和制造領域下沉，通過 投資或與芯片企業成立合資的形式進入半導體行業。他們主要聚焦重要、價值高的車 規級芯片并進行布局，與芯片企業共同合作開發，化被動為主動，以應對將來可能會 面臨的汽車芯片供應鏈安全問題。而其中功率半導體，特別是 IGBT 和 SiC，成為車 企投資熱門之一。

IDM 和 Fabless 各顯其能。在功率半導體設計制造環節，目前主要有 IDM 模式 和垂直分工模式，兩方競爭力孰強孰弱尚未分明，都在發揮各自優勢。IDM 在缺芯時， 可以靈活協調產能以滿足不同客戶需求。在產品迭代上，IDM 也頗具優勢。而代工模 式下，設計公司和 Foundry 可以共同合作開發先進工藝以提升產品競爭力。

IDM 模式一般重資產，工廠投入相對較大，對產能規劃要求相對精準可控，對各 類專業人才需求大，在產能協同、成本控制、需求響應速度等多方面或具有較強優勢。國內功率半導體 IDM 有時代電氣、華潤微、士蘭微、華微以及揚杰科技等。國內部分 Fabless 選擇與頭部 Foundry 深度合作，在產品設計、工藝融合優化、 產品規劃、產能調配等方面能達到良好效果。且該模式下，兩方既有各自分工合作， 又能做到優勢互補。設計公司可以專注于產品設計與推廣、可以更精準把握市場需求 和供應節奏，而 Foundry 可以專注于工藝控制和優化。國內成功案例如新潔能與華 虹宏力的合作、捷捷微電與中芯紹興的合作。

目前，全球功率半導體市場上，頭部的功率半導體多數是“IDM 模式”或“IDM 加委外代工混合模式”。后者即部分 IDM 將部分低端制程、即將 EOP（End Of Production）的產品委外專業代工廠加工，比如國內部分晶圓代工企業就接到不少此 類海外客戶的訂單。據 ittbank 數據統計：中國大陸地區 Top60 的功率半導體（不含功率 IC）企業 里，其中 IDM 有 43 家，Foundry 有 5 家，以及 12 家 Fabless。

3.2.2 單車價值名列前茅，“國產替代”率先突圍

據英飛凌統計，在傳統燃油車上，MCU 是其中價值量最高的半導體器件，占比 約 30%，功率半導體（包括功率半導體器件和功率半導體芯片）占比 20%。而對于電動汽車來說，MCU 和功率的價值占比有所變化。細分來看，混動車型和純電動車 型，功率半導體用量和價值存在差異。混動又分輕中混、強混和插混，純電動也要看 動力電池電壓平臺，200V 和 800V 對選用的功率半導體分立器件和模塊差異較大， 成本也存在差異。從英飛凌數據看出，中混電動汽車（MHEV）單車功率半導體價值 150-200 美元， 自動充電混動汽車（FHEV）單車功率半導體價值在400-470美元，純電動汽車（BEV） 單車功率半導體價值在 550-600 美元。可見在各類電動汽車上，功率半導體價值量 高居榜首。

在我國大力發展新能源汽車的當下，車規級功率半導體具備政策支持、產業鏈完 整等優勢，或將率先突圍，實現國產化率穩步提升。

4. 碳化硅器件厚積薄發，產業布局多點開花

4.1 新材料、新機遇、新趨勢

作為第三代半導體材料的代表，相較于硅，碳化硅具有禁帶寬度更大（是硅的 3 倍）、熱導率更高（是硅的 4-5 倍）、擊穿電壓更大（是硅的 8- 10 倍）等優勢。

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（主要是肖特基勢壘二極管 SBD 等）、碳 化硅晶體管（主要是碳化硅 BJT、MOSFET 等）以及碳化硅功率模塊等。碳化硅功 率器件具有耐高壓、大電流、耐高溫、高頻、高功率和低損耗等眾多優點，廣泛應用 于電動汽車及充電樁、光伏、電網、軌道交通和儲能等領域。

據 Yole 數據，碳化硅功率器件 2021 年全球市場規模 10.9 億美金。預計到 2027 年將達到 62.97 億美金，2021-2027 CAGR 達 34%。發展勢頭強勁，未來市場空間 可觀。

全球各國對碳化硅投資熱度不減，目前碳化硅器件市場龍頭依然以海外企業為主， 國內 90%需求依賴進口。我國碳化硅產業鏈布局相對完整，部分頭部企業技術實力 不可小覷，在半絕緣襯底、外延片、射頻器件和碳化硅器件均已量產并批量供貨。

碳化硅性能優于 IGBT，兩者在多個領域或存在應用重疊。從成本變化和晶圓尺 寸發展趨勢分析：碳化硅與 IGBT 成本比較。目前碳化硅功率器件由于技術和工藝尚不成熟、襯底 良率低以及尚未規模化應用等因素，導致當前碳化硅成本居高不下。同等規格、滿足 同個終端應用需求的碳化硅 MOSFET 的價格是 IGBT 的 2.5-3 倍。而硅基 IGBT 技 術成熟，規模化效應已經顯現，成本下探空間有限。隨著上述對碳化硅成本不利因素 日漸改善，其價格有望逐年下調。對于長續航電動汽車，當前碳化硅功率器件的應用 帶來的其他周邊零部件的降本，或將進一步縮小、或打平與選用IGBT帶來的價格差。

碳化硅晶圓制造。目前已量產碳化硅襯底多是基于 2 英寸、4 英寸和 6 英寸晶圓 制造，其中 6 英寸逐漸將成為主流。據 NE 時代數據，安森美 8 英寸襯底于 2021 年 已經投產。未來，隨著 8 英寸晶圓的襯底逐步量產，單片晶圓產量提升，相比 4 英寸 和 6 英寸晶圓，理論上碳化硅器件價格或將會有所下調。

當前碳化硅 MOSFET 主要應用于一些中高端場景，這些應用往往追求更高的性 能表現。如售價 30 萬以上的中高端智能電動汽車，其對續航、瞬間加速以及充電時 間有著更高要求，通常其主逆變器中會采用碳化硅方案。短時間內，IGBT 或依然是 市場主流。長期來看，碳化硅 MOSFET 和 IGBT 市場需求或達到一個相對平衡，兩 者將共存以供不同應用場景所使用。

4.2 襯底和外延占據價值高地

碳化硅產業鏈相對復雜，主要包括襯底、外延、器件設計、晶圓制造以及封裝測 試和終端應用等。

截至 2021 年，國內碳化硅產線已經投入超 20 條，產業鏈上、下游都有相關企 業參與。其中襯底代表企業有天岳先進、天科合達等；外延片代表企業有東莞天域半 導體、瀚天天成等；布局碳化硅器件的企業以 IDM 為主，也有少數幾家 Foundry，還 有多數設計公司。

襯底和外延占據碳化硅器件的價值高地，存在較高技術壁壘。據未來智庫數據， 襯底和外延占碳化硅器件總成本近 70%（其中襯底占 46%，外延占 23%）。兩者同 為碳化硅器件最核心、也是最具瓶頸的兩道制造工藝環節。襯底和外延的技術提升快 慢和良率高低都將對碳化硅器件的應用和推廣產生直接影響。

襯底是碳化硅器件的第一內核。據 Yole 數據，預計到 2027 年，全球應用 于電動汽車和充電樁的碳化硅襯底數量將達到 140 萬片，占市場總量的 78.23%。

碳化硅襯底分類——碳化硅襯底按照電阻率大小，碳化硅可以分為導電型和 半絕緣型。導電型襯底常用于制作碳化硅功率器件，應用于電動汽車、光伏、 儲能等領域。而半絕緣型碳化硅襯底則被常用于制作氮化鎵微波射頻器件和 功率放大器等（GaN-on-SiC），應用于 5G 通信等。目前導電型襯底市場依然由歐、美、日企業主導，美國 Wolfspeed 占全球份 額超 60%以上，其他如美國高意集團（II-VI）、德國 SiCrystalAG（被日本 Rohm 收購）、美國 DowCorning 和日本新日鐵住金等緊隨其后，市占率位 居前列。國內做導電型襯底起步較晚，整體發展處于初期階段，該領域國內 主要企業有天科合達、天岳先進等。

國產廠家在半絕緣型襯底產品開發相對起步較早，有一定經驗積累。2020 年，天岳先進的半絕緣型碳化硅襯底在全球市占率已高達 30%，位居全球 第三，僅次于海外龍頭企業 II-VI 和 Wolfspeed，形成三足鼎立的局面。

襯底制作方法——襯底的形成通常使用物理氣相傳輸法，在高溫下（＞2000℃），碳化硅粉體分解成硅原子等氣相物質，在高低溫形成的溫度梯度 下，氣相物質慢慢在低溫區的碳化硅籽晶表面生長形成碳化硅晶體。再通過 定向、整形、切片、研磨、拋光、檢測和清洗等工藝過程，最后制成碳化硅 襯底。制作優良的碳化硅襯底，存在較高的技術壁壘。碳化硅襯底生長難度大，對 工藝控制和襯底的厚度、翹曲度和彎曲度都有較高要求。其制備過程中，主 要存在以下難點和壁壘：1）碳化硅粉體純度控制要求高，碳和硅的比例控 制要精準；2）溫度要求高，高溫與低溫需控制精準；3）長晶時，生長速率 等需要嚴格控制；4）襯底生長為物理時間，且很難加速，時間成本高，產 能因此受限；5）碳化硅硬度強，切片時損耗高，產出低；6）涉及設備種類 多、要求高，如長晶爐，切片機、研磨機、拋光機和清洗設備等，總投入大。以上眾多壁壘導致目前碳化硅良率較低，單片價格較高。

外延工藝是碳化硅器件的第二內核。由于碳化硅襯底表面或多或少因為生長 過程或加工過程中引入微顆粒，直接基于其表面進行晶圓制造，或將導致最 終器件良率低、性能差等后果。故通常引入外延工藝，即在襯底表面通過化 學氣相沉積（CVD）生長出一層 4H-SiC 單晶薄膜以提高器件良率和性能， 這一層單晶材料即稱為“外延”。在制作過程中，工藝控制不良會直接造成 各類缺陷產生而影響良率和產出。據 Yole 數據，預計到 2027 年，碳化硅外延片全球市場規模將達 8.51 億美 元，2021 年到 2027 年，CAGR 為 28%。全球外延片市場主要被美國 Wolfspeed 和日本昭和電工是碳化硅外延片兩家龍頭企業壟斷。其他廠家有 II-VI、Cree、Norstel、Rohm 和英飛凌等。國內從事碳化硅外延片企業主要 有瀚天天成、東莞天域、中電 55 所和三安光電等。

4.3 碳化硅加速上車，緩解里程焦慮

據 Yole 數據，電動汽車和汽車充電樁為碳化硅第一大應用市場。預計到 2027 年，碳化硅器件在電動汽車和汽車充電樁上應用，全球市場規模將分別達 49.86 億美 金和 1.35 億美金，兩者之和占市場總規模的 81.32%。碳化硅 SBD 和碳化硅 MOSFET 可應用于電動汽車主驅逆變器、OBC、DC/DC 以及充電樁等產品中。自 2019 年 Tesla 首次將碳化硅器件（供應商：STM）應用于 其 Model 3 車型上，碳化硅便正式開啟了上車之路。自 2021 年以來，國內自主品牌 車企紛紛在其新車型上應用碳化硅器件，如蔚來汽車 ET5 和 ET7（主驅，自研模塊， 晶圓從安森美采購），吉利 SMART 精靈(主驅，供應商：芯聚能)、小鵬 G9（主驅， 供應商：英飛凌）、比亞迪海豹（主驅，自研自產模塊，部分晶圓外購）等。

碳化硅將提升電動汽車續航能力和縮短電動汽車充電時間。相較于燃油車，電動 汽車消費者對當前有限的續航里程和相對漫長的充電時間常常感到焦慮。雖然車企在 動力電池、BMS、電機、電控和 OBC 等產品技術上做了很多優化和提升，但相比燃 油車，續航里程受限和充電時間長是電動汽車推廣的兩大痛點。

續航里程。相比硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 有著眾多優點：1）碳化硅在 關斷時無拖尾電流，可以降低損耗；2）碳化硅的高開關頻率特性，不僅可 降低損耗，由于對散熱效率要求相對低，還可減輕和驅動零部件和散熱零部 件重量和體積，周邊器件的成本隨之降低；3）在車輛勻速和輕載情況下， 因為低損耗，可提升 5%-10%的續航里程。另外，采用 800V 高壓平臺的電 動汽車，同等功率下，系統電流可以比 400V 電壓平臺更小，故高壓線束直 徑可以做的更細，線束重量和體積可以更小，電動汽車變的更輕，續航能力 也會得到相應提升。

充電時間。汽車充電樁一般分為交流慢充和直流快充。交流慢充指的是電動汽車通過公共或個人充電樁，需要借用車載充電器 （OBC）交直流轉換給汽車充電。交流慢充的優點是成本低，電池損耗慢；缺點是充電時間長，充電時間長短取決于 OBC 的額定功率（常規在 3kW9kW）。目前 OBC 主要采用硅基 IGBT 或 SJ MOSFET 方案，電池充滿電 時間一般需要 4-8 小時。相比之下，碳化硅 MOSFET 可以耐受更高電壓， 使得 OBC 擁有更高的額定功率。例如采用意法半導體的碳化硅技術，可以 將 OBC 的額定功率提升至 22kW 甚至更高，充電時間可以大大縮短。直流快充是指充電樁自身內部實現交直流轉換模塊，無需借用 OBC，將電 網或儲能設備中的交流電轉換成直流電，直接給汽車充電。直流快充功率取 決于充電樁自身輸出功率和 BMS（電池管理系統），如電池電壓升級至 800V， 直流快充功率通常將超過 120 kW，碳化硅器件的高功率特性即可有其用武 之地，進而提高充電效率和縮短充電時間。

另外，800V 動力電池平臺相比 400V 動力電池平臺，在相同的系統電流和高壓 線束直徑下，電池的充電時間或將縮短一半。

5. 投資分析

5.1 斯達半導

斯達半導成立于 2005 年，總部位于浙江嘉興，國內 IGBT 模塊龍頭企業。目前 公司主要產品是以 IGBT 為主的功率器件的設計和模塊的封裝。對標英飛凌第七代 IGBT 的 FS-Trench 型產品目前進展順利。除 IGBT 外，斯達半導的快恢復二極管以 及 MOSFET、碳化硅模塊等產品同樣廣泛應用各領域。2022 年，公司營收大幅增長， 新能源業務占比從 2022 年上半年的 47.37%進一步提升至 2022 年年終的 54.3%。目前電動汽車主要客戶有長安、上汽、江淮大眾和奇瑞等，以及雷諾、通用等海外車 企。

最新業績預告顯示：公司預計 2022 年全年實現營收 28.03 億元，同比增長 64.28%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為 81,200 萬元至 82,500 萬元，與上年同期 相比大幅增長。

公司在利潤率方面表現同樣不俗，2022 年前三季度，公司銷售毛利率和凈利率 分別達 41.07%和 31.60%。2021 年全年銷售毛利率和凈利潤分別為 36.73%和 23.40%，不論是毛利率，還是凈利率，均實現穩健增長。公司已經獲取多個 800V 高壓電動汽車項目定點。碳化硅模塊也將在 2023 年陸 續迎來驗證上車（宇通客車已經定點等）。此外，光伏儲能對功率器件的持續需求也 有利于公司能持續發揮在 IGBT 模塊產品上所產生的規模效應。公司在車規 IGBT 模 塊上針對設計、封裝和測試的經驗均可以很好的借鑒到碳化硅 MOSFET 模塊的開發 上，為碳化硅 MOSFET 模塊進入車廠供應鏈奠定基礎。

5.2 聞泰科技

聞泰科技業務覆蓋較廣，可提供產品包括半導體、光學模組、智能終端類產品（手 機、平板電腦、筆記本電腦、服務器、汽車電子）等。而半導體業務也是其眾多業務版圖中的亮點之一。2019 年，被聞泰科技以 200 多億元收購安世半導體。其原為恩智浦（NXP）半 導體標準產品事業部，是一家全球知名的半導體 IDM 公司。在德國和英國有自建晶 圓廠，在中國和東南亞設有封測工廠。客戶分布全球各地，產品豐富，主要有功率器 件（二極管、MOSFET、IGBT 和 SiC）、邏輯和模擬 IC 等。在二極管、小信號管及 車載 MOSFET 等產品出貨量位居全球前列。2021 年，安世在功率半導體業務營收 6.72 億美元，同比增長 43.3%。在最新的 全球功率分立器件廠家排名中，安世位列第五名，是唯一一家挺近榜單前十的國內企 業。業績快報顯示：2022 年前三季度，聞泰科技預計營收達 420.85 億元，同比增長 8.9%。歸母凈利為 19.44 億元，同比下滑 4.79%。

從 2022 年半年度公司公告數據看，公司半導體業務實現營收 76.59 億元，同比 增長 13.72%，業務毛利率為 41.97%，實現凈利潤 17.26 億元，同比增長 31.72%。2022 年上半年，第二季度收入和利潤實現同比和環比均增長。

5.3 時代電氣

時代電氣——中車集團子公司，時代電氣是軌交裝備領域的領軍企業，最早為軌 交研發和生產功率器件（包括模塊），具有很深厚的功率器件研發和生產經驗。業務 分為軌道交通裝備產品、新型裝備產品及其他業務三大業務板塊。新型裝備業務板塊 包括功率半導體器件（含模塊）、電動汽車電驅系統、工業變流、海工裝備、傳感器 件等產品。其中，功率半導體器件產品（含 IGBT 模塊），在國內位列第一梯隊，在 IGBT、碳化硅、先進封裝和組件以及可靠性技術等擁有很深的經驗積累。目前在功 率半導體業務板塊，建成有 6 英寸雙極器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的產業化 基地，其中，8 英寸車規 IGBT 目前年產能達 24 萬片，6 英寸 SiC 芯片（溝槽柵）的 年產能將于 2024 年達 2.5 萬片。

業績快報顯示：公司 2022 年營收達 180.34 億元，同比增長 19.26%，歸母凈利 潤達 25.56 億元，同比增長 26.67%。

近年來，公司銷售毛利率和凈利率相對比較平穩，受行業景氣度、公司運營管理 等因素影響而上下微動。毛利率和凈利率分別處于 33%-36%和 14%-17%之間。

5.4 士蘭微

目前士蘭微已發展成為國內功率器件 IDM 龍頭企業，重點圍繞功率器件（含模 塊）、MCU、MEMS 傳感器、模擬 IC（DCDC、LDO、LED 驅動以及數字音視頻 IC 等）等不斷完善自身產品生態。2022 年分立器件（含功率器件、功率 IPM 模塊、肖 特基管等）營收為 44.64 億元，同比增長 17.13%。功率器件：用于主電機驅動模塊的 IGBT 和 FRD 芯片于 2022 年開始在國內多 家汽車客戶通過測試驗證，在部分客戶端實現批量供貨（IGBT 相當于英飛凌第五代）；多顆車規高、中、低壓車規 MOSFET 和 IGBT 芯片陸續批產（車規 IGBT 客戶有比 亞迪和零跑等）；SiC MOSFET 研發穩步推進。

未來展望：隨著電動汽車、光伏等新能源行業快速發展，芯片國產替代持續推進， 產品體系完備的士蘭微將有機會脫穎而出。

5.5 新潔能

國內功率器件設計龍頭企業，主營 MOSFET 和 IGBT 的設計和銷售。MOSFET 為公司拳頭產品，涵蓋不同類型、不同電壓等級的平面 MOSFET、深溝槽 MOSFET、 SGT MOSFET 和 SJ MOSFET。亮點：公司作為功率器件 Fabless 公司，與國內龍頭 Foundry——華虹宏力戰略 合作多年。雙方在產品設計、晶圓制造、工藝優化、產能等方面深度配合，致力于共 同打造工藝出色、質量可靠、成本可控的各類高性能功率器件。目前公司各類功率器 件已超 1300 多種。主要汽車客戶有蔚來、小鵬、理想、上汽、比亞迪、奇瑞、江淮、 五菱和聯合電子等十余家車企。2022 年新潔能用于汽車電子的相關產品的銷售額同 比增長 700%。

業績快報顯示：2021 年新潔能全年實現營收 14.98 億元，同比增長 56.89%。其 中營收約 9 成以上是來自 MOSFET 產品（包括高、中、低壓）。得益于功率器件在各 行業需求增長，2022 年全年營收達 18.11 億元，同比增長 19.87%，歸母凈利預計達 4.35 億元，同比增長 4.51%。

未來，隨著陸續量產的 IGBT 單管產品在光伏和電動汽車上持續拓展，公司營收 和盈利能力有望進一步得到提升。

5.6 捷捷微電

國內領先的功率器件公司，正由 Fabless 模式向 Fabless+封測模式蛻變。公司 功率產品涵蓋晶閘管、二極管、防護類器件、MOSFET、IGBT 器件和芯片和碳化硅 器件等，其中晶閘管市占率排全球前三，國內第一。車規低壓（40V，60V）MOSFET 出貨量在國內遙遙領先。MOSFET 已經上升為公司第一大業務。目前主要汽車客戶有：比亞迪、東風、羅思韋爾等。

5.7 民德電子

公司成立于 2004 年，深耕條碼識別設備的研發及產銷近 20 年，該板塊為行業 龍頭且營收居前，作為業務基本盤持續為公司增量業務輸血。公司通過收購泰博迅睿 涉足電子元器件分銷業務，切入半導體行業。隨后經過多輪精準的收購和參股，成為 國內少有的在功率半導體設計、上游硅片制造和晶圓制造均有布局的企業，形成一套 獨特的功率半導體"Smart IDM" 生態圈。條碼識別技術自主研發，業務穩健增長。公司為國內首家具備獨立自主條碼識讀 技術研發的企業，所有核心技術均系通過自主研發所取得；財務上，客戶回款及時， 現金流充沛，營收穩定，同時成本極低，可達到 30%的凈利；發展動力上，影像掃描 設備滲透率提升疊加物聯網的加速發展支撐條碼業務的推進；客戶上，產品已得到下 游眾多知名客戶的認可，與富士康、比亞迪、新加坡航空、中國移動等建立廣泛、長 期的合作伙伴關系。

元器件分銷業務逐漸拓展新應用領域。2018 年 6 月收購泰博迅睿。作為全資子 公司，泰博迅睿下游客戶廣泛，代理分銷產品豐富，已開拓了新能源動力和儲能電池 業務，發展態勢向好。

5.8 天岳先進

國內第三代半導體襯底龍頭企業，業務覆蓋導電和半絕緣型碳化硅襯底的設計、 生產和銷售。其中，2020 年半絕緣型襯底出貨量位列全球第三，目前半絕緣襯底為 公司的主要營收來源。公司已經掌握襯底制備的全產業鏈技術，包括設備制造、碳硅 粉體合成、熱場搭建和長晶等。導電型碳化硅襯底（主要應用于光伏、電動汽車等） 制備技術已具備批量生產能力，有望為公司成長增加動力。業績快報顯示：公司 2022 年預計實現營收 4.17 億元，同比下滑 15.56%，歸母 凈利潤達-1.75 億元，同比下滑 294.02%。

公司除了襯底技術有著深厚沉淀外，還具備強大的科研平臺，目前在研重點項目 15 個以上，同時具備強大的生產制造能力、優質的客戶體系以及充足的人才儲備優 勢。射頻器件需求持續增長，有利于半絕緣型襯底市場份額逐步擴大。電動汽車和光 伏等景氣度上揚，對碳化硅器件的應用將會提速，而用于制備碳化硅器件的導電型襯 底的需求量將有望迎來增長機遇。

編輯：黃飛

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