TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵(GaN)HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:26
1621 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半,同
2012-12-19 10:19:09
1538 當(dāng)測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細(xì)心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI
2018-04-26 11:45:39
5811 )晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢,需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多,并可降低開關(guān)損耗,原因在于: 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:28
10231 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 m?、170 V)氮化鎵場效應(yīng)晶體管
2020-11-13 08:01:00
2013 GaN Systems其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:44
3429 ,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率,從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅MOSFET產(chǎn)品?! ?b class="flag-6" style="color: red">GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同,高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
和功率密度,這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此,開始了氮化鎵晶體管(GaN)的概念?! D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量,需要更大的散熱器。不幸的是,這增加了系統(tǒng)成本、重量和解決方案總尺寸,這在空間受限的應(yīng)用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)具有優(yōu)于硅MOSFET的多種優(yōu)勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高,這種外部電感會導(dǎo)致接地反彈增加[4]?! ≡鰪娦?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵晶體管采用晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),端子采用焊盤柵格陣列 (LGA) 或球柵陣列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供單獨
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
轉(zhuǎn)換器,將性能與兩種可比場景進(jìn)行了比較:第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作,第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
怎么測量 信號的上升時間?
2015-03-15 08:36:34
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內(nèi)匹配(IM)場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比,提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
范圍;4.Vgs信號上升時間240ns左右。(以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù))▲圖4:測試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶目標(biāo)板設(shè)計合理,Vgs控制信號近乎完美;2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩,共模干擾被完全抑制;3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs,沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2019-07-17 13:58:50
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
當(dāng)測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細(xì)心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI
2018-09-07 14:52:23
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
電子產(chǎn)品中。這種氧化物是個好選擇,因為它能與AlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸,并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報道證實在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物(ITO)柵極,并且已經(jīng)表明,在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?!喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇 驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅(qū)動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
”的器件。它有多好呢?擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一,達(dá)到這個臨界點,半導(dǎo)體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下,氮化鎵花了近20年的時間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
低壓氮化鎵(GaN)器件市場越來越重要,EPC是低壓硅上氮化鎵(GaN-on-silicon)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:07
12441 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢,需要使用良好的測量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來進(jìn)行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術(shù),利用測量設(shè)備來準(zhǔn)確地評估高性能的氮化鎵晶體管。此外,本文評估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時的情況。
2018-06-08 16:43:00
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經(jīng)過大量實踐檢驗,已被證明安全可靠的硅MOSFET已經(jīng)成為電源電路設(shè)計的中流砥柱,但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術(shù)的發(fā)展,電源設(shè)計的趨勢正逐漸轉(zhuǎn)向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:37
6648 
EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用,提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 A、脈寬則可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:00
3619 什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限
2020-05-24 11:30:05
9114 振蕩上升時間(start up time)是指IC電源啟動時,從振蕩過渡的狀態(tài)向恒定區(qū)移動所需的時間,村田的規(guī)定是達(dá)到恒定狀態(tài)的振蕩水平的90%的時間。 振蕩上升時間受振蕩電路中使用的元件的影響,與晶體諧振器相比較的話,CERALOCK的振蕩上升時間會快1位數(shù)到2位數(shù)。 編輯:hfy
2021-03-31 10:21:05
3610 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度
2020-12-26 04:10:19
1058 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢,意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2,作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品,是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:44
3769 IR-HiRel氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容
2021-08-27 11:40:03
3330 GaN(氮化鎵)功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46
1081 TPH3206PSB 650V,150m? 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管是一個正常關(guān)閉的設(shè)備。它結(jié)合了最先進(jìn)的高科技電壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 14:51:33
10 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中,GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認(rèn)可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應(yīng)物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:30
2352 電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方案正變得越來越流行,但與其硅對應(yīng)物一樣,單個
2022-08-04 09:35:48
2219 
氮化鎵晶體管和碳化硅 MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管
2022-11-02 16:13:06
5427 您是否在準(zhǔn)確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時間?
2022-11-04 09:51:25
0 (GaN)。在這些潛在材料中,氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因為GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個優(yōu)勢。
2022-12-13 10:00:08
3918 氮化鎵工藝優(yōu)點是什么呢? AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)是開關(guān)功率晶體管的有希望的候選者,因為它們具有高的斷態(tài)擊穿強度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:47
2725 作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子,氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視,且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 17:13:06
970 氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V,非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-08 09:52:02
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一個器件的成本效益,從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開始計算。宜普公司的工藝技術(shù),基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 (Aluminum Nitride/Al),隔離了器件結(jié)構(gòu)和基底。這個隔離層能隔離300V電壓。在這隔離層上是一層厚厚的氮化鎵,晶體管就建立于這個基礎(chǔ)上。
2023-02-08 09:57:30
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法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
2023-02-08 17:39:07
1360 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵
2023-02-09 16:59:57
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氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。2DEG用于在電場作用下,高效
2023-02-10 11:05:17
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氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V,非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-12 17:09:49
1031 氮化鎵(氮化鎵)是一種半導(dǎo)體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比,GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:17
6710 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高
2023-02-17 14:18:24
12177 了氮化鎵呢?? 下圖是充電器的主要電子元器件。 ? 其實充電電子元器件里面,是晶體管里面添加了氮化鎵,而其他元器件均是常規(guī)電子件。 這里的晶體管是指MOSFET半導(dǎo)體場效益晶體管。 而氮化鎵晶體管與普
2023-02-21 15:04:24
6 當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇,它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此,縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中,GaN晶體管是,但是什么使它們與眾不同呢?
2023-05-24 11:08:30
1742 摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中,二維
2023-05-25 16:11:29
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解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實現(xiàn)上述目標(biāo),隨著該項技術(shù)商用步伐的加快,在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比,GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢?GaN在品質(zhì)因數(shù)(
2023-08-03 14:43:28
694 如今,越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07
880 在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06
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氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:00
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晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6132 氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力,使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15
4274 GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),融合了多種材料和工藝,以實現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:06
3439 GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細(xì)分析。
2024-08-15 11:16:21
2935 GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細(xì)闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景,并結(jié)合具體實例進(jìn)行說明。
2024-08-15 11:27:20
3066 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2024-09-04 11:27:59
1 1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
1358 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:25
7 。 ? 目的 ?:本手冊詳細(xì)闡述了氮化鎵(GaN)晶體管并聯(lián)設(shè)計的具體細(xì)節(jié),旨在幫助設(shè)計者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?:有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?:在工作
2025-02-27 18:26:31
1103 列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計。產(chǎn)品型號:■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:05
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