自打百瓦快充大戰興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。

在100W輸出功率的氮化鎵適配器中，需要使用PFC電路來修正功率因數。引入功率因數校正，需使用二極管整流。由于目前的PFC電路中大部分使用氮化鎵開關管，開關頻率達到百kHz級別，傳統的快恢復二極管無法滿足氮化鎵的高開關頻率，所以引入碳化硅二極管用于高頻PFC整流。

[國內碳化硅功率器件領先企業基本半導體在國內推出了SMBF封裝碳化硅肖特基二極管產品。SMBF封裝具有小面積占用和超薄封裝的優勢，厚度僅1.35mm，相比TO252封裝有更小的封裝面積和更薄的厚度，相比DFN封裝具有更小的封裝面積?；景雽w的SMBF封裝大大節省了碳化硅二極管器件占板面積。

基本半導體針對大功率氮化鎵PD快充高功率密度的要求，創新性的將SMBF封裝應用到碳化硅肖特基二極管上，推出了業界首款SMBF封裝碳化硅肖特基二極管。

基本半導體的SMBF封裝碳化硅二極管占板面積為19mm2，厚度為1.35mm，非常適合PD快充應用。

基本半導體 SMBF碳化硅肖特基二極管由劉誠先生介紹。

基本半導體的SMBF封裝碳化硅肖特基二極管集占板面積小，厚度薄，正向導通壓降低，抗浪涌電流能力強的優點于一身。

基本半導體推出的SMBF封裝碳化硅肖特基二極管外觀尺寸僅為5.3*3.6mm，面積為19mm2。厚度1.35mm超薄。

與常見的緊湊型碳化硅肖特基二極管尺寸對比，在追求超薄超小的緊湊型應用中，SMBF封裝的碳化硅肖特基二極管綜合優勢明顯。

得益于基本半導體的全新制造工藝，SMBF封裝的碳化硅肖特基二極管正向壓降相比傳統TO252封裝，在常溫結溫下有0.05V的降低，150℃結溫下壓降降低0.1V，正向壓降隨溫度上升增加較低，可降低高溫下的器件導通損耗。

在充電器接入市電中，初級濾波電容通過整流橋和電感與碳化硅肖特基二極管充電，這對PFC電路中碳化硅升壓二極管的抗浪涌能力提出了要求。

通過基本半導體對器件的失效分析，傳統打線封裝浪涌破壞是當邦定線無法傳導芯片表面的肖特基勢壘產生大量的熱，直至芯片表層金屬熔化，溫度過高擊穿損壞。而SMBF采用的銅框架封裝具有增強的散熱性能，可以將浪涌產生的熱量散發出去，抗浪涌電流能力強。

基本半導體SMBF采用Clip Bond封裝，相比其他形式封裝具有更低的熱阻，更好的散熱能力。

基本半導體SMBF封裝的碳化硅肖特基二極管采用Clip Bond條帶鍵合，采用固體銅橋實現芯片和引腳連接的工藝。相比傳統打線鍵合技術，可獲得更低的封裝電阻，更高通流能力和良好的導熱性能。對于小封裝的功率器件，實現雙面散熱，可以大幅提高性能。

SMBF封裝小封裝相比傳統大封裝，由于面積相比很小，熱阻較高，需要增加鋪銅散熱，降低器件溫升。

基本半導體的SMBF封裝與TO252封裝碳化硅肖特基二極管在同等條件進行溫升測試，表面溫升接近。

基本半導體的SMBF碳化硅肖特基二極管對濕氣不敏感，為MSL2等級，在小于或等于30℃/60% RH的車間可保存一年。

目前基本半導體的4A碳化硅肖特基二極管已經生產，其他產品在開發或者規劃中。

SMBF封裝的碳化硅肖特基二極管，相比傳統打線鍵合工藝，封裝熱阻更低。同時其厚度與其他器件相近，可共同使用導熱墊散熱降溫。另外，即使不使用導熱墊散熱，SMBF超薄封裝，也可以與外殼保持足夠的距離，防止器件工作時的高溫傳導至外殼影響使用體驗。

基本半導體推出的SMBF封裝的碳化硅肖特基二極管具有小封裝、高散熱性能和低壓降等多種優勢，是傳統封裝碳化硅肖特基二極管的有力競爭者，超薄超小的封裝對于寸土寸金的氮化鎵適配器再合適不過了。

基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產品也將逐步完成該項測試。