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技術(shù)文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測

科技綠洲 ? 2025-02-24 10:12 ? 次閱讀
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LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率,可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R030包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,當(dāng)實現(xiàn)零電壓開關(guān)時,該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。LMG3427R030 包括零電流檢測 (ZCD) 功能,當(dāng)檢測到正漏源電流時,該功能從 ZCD 引腳提供脈沖輸出。

*附件:LMG342xR030 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表 .pdf

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告,從而簡化了器件負(fù)載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

  • 符合 JEDEC JEP180 硬開關(guān)拓?fù)湟?/li>
  • 600V 硅基氮化鎵 FET,帶集成柵極驅(qū)動器
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 抑制
    • 2.2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和 EMI 抑制
    • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 逐周期過流和鎖存短路保護(hù),具有 < 100ns 響應(yīng)
    • 在硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R030 包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
    • LMG3427R030 包括零電流檢測 (ZCD) 功能,有助于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

應(yīng)用
?開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
?商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
?商業(yè)電信整流器
?太陽能逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
?不間斷電源

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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    具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動器</b>和<b class='flag-5'>保護(hù)</b>功能的<b class='flag-5'>LMG</b>341xR070 <b class='flag-5'>600V</b> 70<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b>數(shù)據(jù)表

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