美國德州儀器(TI)天津舉辦的模擬技術研討會上，公布了集成有NexFET MOSFET技術的兩款降壓轉換器TPS56221與TPS56121，采用22引腳5mmx6mmQFN封裝。

　　其主要特性包括：1.輸入電壓為4.5V～14V時，在25A與15A峰值負載電流下，效率可超過90%;2.總體解決方案尺寸僅為315mm2，功率密度超過200W/in3。

　　TI(中國)華北區技術應用部經理李志林TI解釋說：“NexFET MOSFET是我們于2009年收購的以高功率MOSFET著稱的CICLON公司的第4代MOS管工藝技術。其此前第2代技術的特點是，柵極電容小，可以實現快速開關，但導通電阻RDS(on)也較高;第2代技術的柵極電容大，導通電阻RDS(on)低。這次的第4代MOS管技術，即NexFET MOSFET綜合了前兩代的優勢，利用它開發出的降壓轉換器TPS56221與市場上的競爭方案相比，尺寸減小了30%，功耗低了20%。在25℃、12V輸入、1.2V輸出、開關頻率500kHz時，低熱阻設計可在無風扇條件下實現25A全額定電流。”

　　圖 降壓轉換器TPS56221演示板

　　15A、14V的TPS56121同步開關轉換器在5V輸入、1.2V輸出時，效率比競爭方案高3%，開關速度高1倍。

　　另外，此前的CSD86350Q5D NexFET功率模塊的5mmx6mm堆棧型MOSFET采用接地引線框架SON封裝，頻率達1.5MHz。在25A電流下效率超過90%。與TPS40140雙相位DC/DC控制器一起使用時，可進行50A、100A以上大電流的高效率、多相位負載點設計。

　　李志林表示，板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是大電流系統，如電信、網絡等應用。這兩款產品就是在此背景下推出的。

　　同時公布的還有另外兩款寬范圍輸入與高壓保護的降壓穩壓器TPS7A4001和TPS40170。100V LDO與60V DC/DC控制器可在保持高效率的同時承受高壓瞬態，適于電機控制、HVAC繼電器、智能電表以及汽車零配件等應用。

　　TPS7A4001 50 mA LDO的輸入電壓在7V～100V;50V瞬態事件只需不到500ns的快速建立時間;靜態電流Iq為25μA;4.7μF陶瓷輸出電容可確保噪聲環境下的高輸出精度。采用8引腳散熱增強型3mmx5mmMSOP封裝。

　　TPS40170同步降壓DC/DC控制器支持具備輸入電壓前饋補償的電壓模式控制，輸入電壓為4.5V～60V，輸出電流12A。提供62V峰值電壓保護功能，支持75ns的快速FET接通時間與1.0μA的關閉電流。180°同步特性減小了紋波幅度，使輸入電容降低了50%。采用3.5mmx4.5mmQFN封裝。