Texas Instruments TPS62933/TPS62932是一款易于使用的高效同步降壓轉換器,具有3.8V至30V的寬輸入電壓范圍,并支持高達3A (TPS62933)/2A (TPS62932)的持續輸出電流和0.8V至22V的輸出電壓。
數據手冊:*附件:Texas Instruments TPS62933,TPS62932降壓轉換器數據手冊.pdf
該器件采用定頻峰值電流控制模式,可實現快速瞬態響應以及出色的線路和負載調節。內部環路補償經過優化,無需使用外部補償元件。脈沖頻率調制 (PFM) 模式使輕載效率最大化。該ULQ(超低靜態電流)特性非常有益于在低功耗運行時延長電池壽命。在200kHz至2.2MHz范圍內,可以通過配置RT引腳來設置開關頻率,使用戶優化系統效率、解決方案尺寸和帶寬。軟啟動時間可以通過在SS引腳處的外部電容來調節,這樣可以在驅動大電容性負載時最小化浪涌電流。該器件還具有擴展頻譜的性能,有助于降低EMI噪聲。
Texas Instruments TPS62933/TPS62932采用小型SOT583 (1.6mm × 2.1mm) 封裝,引腳間距為0.5mm,并且具有經過優化的引腳排列,便于PCB布局,促進良好的EMI性能。
特性
- 解決方案尺寸小巧且易于使用
- 具有內部補償的峰值電流模式
- 可實現高輕載效率的脈沖頻率調制 (PFM)
- 可調軟啟動時間
- 可選頻率:200kHz至2.2MHz
- 低電磁干擾,具有擴展頻譜性能
- 支持帶預偏置輸出的啟動
- 用于高側和低側MOSFET的逐周期過流限制
- 非閉鎖OTP、OCP、OVP、UVP和UVLO保護
- 1.6mm × 2.1mm SOT583
- 配置用于各種應用
- 輸入電壓范圍:3.8V至30V
- 輸出電壓范圍:0.8V至22V
- 超低靜態電流:12μA(典型值)
- 集成式76mΩ和32mΩ MOSFET
- 0.8V ± 1%基準電壓
- 最大占空比:98%
- 精密EN閾值
- 3A (TPS62933) 和2A (TPS62932) 持續輸出電流
- 工作結溫范圍:–40°C至150°C
功能框圖

Texas Instruments TPS6293x系列同步降壓轉換器技術解析
一、產品概述
TPS6293x是德州儀器(TI)推出的一系列高效率同步降壓轉換器,包含TPS62932(2A)、TPS62933(3A)及其衍生型號(TPS62933F/P/O)。該系列采用1.6mm×2.1mm SOT583封裝,引腳間距0.5mm,專為空間受限的工業應用而設計。
?關鍵特性?:
- ?寬輸入范圍?:3.8V至30V工作電壓
- ?高輸出能力?:0.8V至22V可調輸出,最高3A連續電流
- ?超高效率?:集成76mΩ(HS)和32mΩ(LS)MOSFET,效率高達98%
- ?靈活配置?:
- 可編程200kHz至2.2MHz開關頻率
- 多種工作模式可選(PFM/FCCM/OOA)
- 精密使能閾值(±1.28V)和可調UVLO
- ?全面保護?:過流、過熱、過壓/欠壓保護
- ?超低靜態電流?:12μA(典型值)
二、核心架構分析
1. 控制模式
TPS6293x采用?峰值電流模式控制?架構,具有以下技術優勢:
- 內置補償網絡,無需外部補償元件
- 快速瞬態響應(典型帶寬49.4kHz)
- 優異的線性/負載調整率(±1%精度)
2. 工作模式選擇
| 型號 | 工作模式 | 特點 | 適用場景 |
|---|---|---|---|
| TPS62932/33 | PFM(輕載)+CCM(重載) | 輕載效率>90% @1mA負載 | 電池供電設備 |
| TPS62933F | 強制連續導通模式(FCCM) | 全負載范圍固定頻率,低紋波 | 對EMI敏感的系統 |
| TPS62933O | 超音頻模式(OOA) | fSW>30kHz避免可聞噪聲 | 音頻設備 |
| TPS62933P | PFM+電源正常(PG)指示 | 提供PG信號用于時序控制 | 多電源軌系統 |
3. 關鍵電路設計
?頻率編程?:
- RT引腳浮空:500kHz(默認)
- RT接地:1.2MHz
- RT接電阻:200kHz-2.2MHz可調
?軟啟動?:
- 通過SS引腳電容設置(4.5-6.5μA恒流充電)
- 最小軟啟動時間1ms(CSS≥6.8nF)
?EMI優化?:
- 頻率擴頻技術(±6%調制)
- 優化的引腳布局降低開關節點輻射
三、典型應用設計指南
1. 外圍元件選型
?電感選擇?:
- 計算公式:L = (VIN_MAX - VOUT) × VOUT / (fSW × K × IOUT_MAX × VIN_MAX)
- 推薦值:
- 3.3V輸出:4.7μH@500kHz,2.2μH@1.2MHz
- 5V輸出:6.8μH@500kHz,3.3μH@1.2MHz
- 飽和電流需>IHS_LIMIT(5.8A最大)
?輸入電容?:
- 最低要求:10μF陶瓷電容+X7R/X5R介質
- 布局要點:盡量靠近VIN引腳,并聯0.1μF高頻去耦
?輸出電容?:
- 紋波計算:ΔVOUT = ΔIL×(ESR + 1/(8×fSW×COUT))
- 推薦組合:
- 3.3V輸出:2×22μF MLCC
- 5V輸出:44μF總容量(如2×22μF)
2. PCB布局要點
- ?功率回路最小化?:
- 輸入電容→VIN→SW→GND形成最短路徑
- 使用寬銅箔(≥50mil)降低寄生電感
- ?熱管理設計?:
- 充分利用底層銅箔散熱
- 添加散熱過孔陣列(建議φ0.3mm,間距1mm)
- ?信號布線?:
- FB走線遠離開關節點
- 采用星型接地減少噪聲耦合
四、性能實測數據
1. 效率曲線(典型值)
| 條件 | 效率@輕載(10mA) | 效率@滿載(3A) |
|---|---|---|
| VIN=12V, VOUT=3.3V | 85% | 95% |
| VIN=24V, VOUT=5V | 80% | 93% |
2. 動態響應特性
- 負載瞬變(0.5A→2.5A):輸出電壓偏差<50mV
- 恢復時間:<20μs
3. 熱性能
- 結到環境熱阻(RθJA):46.1°C/W(JEDEC標準)
- EVM實測RθJA:25.6°C/W
五、典型應用場景
六、設計注意事項
- ?最小導通時間限制?:
- tON_MIN=70ns限制最大輸入電壓
- 公式:VIN_MAX ≤ VOUT / (tON_MIN × fSW)
- ?低壓差操作?:
- 頻率自動降低維持調節
- 最小壓差:150mV@1A負載
- ?保護功能?:
- 過流保護響應時間<256μs
- 熱關斷閾值165°C(30°C遲滯)
- ?并聯應用?:
- 可通過均流電阻實現電流擴展
- 需調整RNR/SS和CNR/SS參數
-
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