引言

多芯片混合集成技術是實現瓦級LED的重要途徑之一。由于傳統小芯片工藝成熟，集成技術簡單，側光利用率較高（相對于大尺寸芯片），散熱效果較好（相對于傳統炮彈型LEDs），用鋁基板或金屬陶瓷基板集成的實用型LED產品已經問世。其綜合光學性能可以與Lumileds公司的相應瓦數的LED產品相比。我們提出了一種由基板+具有反射碗的散熱支架構成的封裝新結構（簡稱帽式結構）和用于傳統礦燈的T型支架以及可作為標準化的瓦級封裝結構。實驗表明，1瓦級LED的發光效率提高了80-100%，防靜電和工程化問題可以得到較好的解決。本文對新結構和初步實驗結果作簡單的介紹。

新結構

一，帽式結構，由具有反射碗的散熱支架+基板兩部份構成。

1．散熱支架

具有反射碗的散熱架，其作用有三：

其一，反射碗（含硅基板）改善了LED的出光率，相對于市售鋁基板，流明效率約提高30%以上;

其二，散熱效果良好;

其三，縱向電極引出線，便于照明燈具的組合插接。

2．基板： 有三種形式，各有特點。

硅基板由硅襯底，高導熱絕緣層和金屬反光導電層組成。 襯底基板材料為單晶硅片，具有導熱性能好、表面光潔度好、便于加工、 集成成本低等優點。其主要參數如下：熱導率：144 w/ m .k，與鋁基板基本相同， 厚度適中，以利于導熱和加工，成本：每個基板 0.15元（包括加工費）， 表面鍍銀：光反射率98%. 絕緣層材料選擇要考慮導熱性能、耐壓特性、粘附性和層厚度。實驗表明，只要該層特性和參數適中，絕緣性能良好，對散熱效果影響不大。 金屬層是導電層，也是反光層，要求具有良好的導電性能和鏡面反射效果。實驗表明，它好于一般市售的鋁基板。多個芯片混合集成其上，再貼在散熱支架上。硅基板最宊出的特點是便于在硅層上做防靜電集成和工程化。

2）金屬板

多個芯片以4x4陣列形式直接混合集成在金屬板上，再貼在散熱支架上。其特點是便于工程化。

3）無板

多個芯片以4x4陣列形式直接混合集成在散熱支架上。 其特點是散熱更好，效率更高，但工程化難度大。

二，礦燈專用T型支架。

結構特點是：

可以直接裝在已定型的礦燈罩里，代替里面傳統的2.8w燈泡。保持罩內原來的結構和功能，用罩上的原開關扭通斷鋰電池。

散熱好。

結構簡單。

互換容易。

三，第三種是可作為標準化通用的瓦級LED封裝結構。

其結構特點是：

設計基于帽式結構光學尺寸和市售瓦級支架。

尺寸緊湊小巧，在散熱片上可實現任何組合。外徑約6mm，厚約2mm.

光學性能適中。

工程化相對簡單。

成本低。
來源；國際led網