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混合集成電路是由半導體集成工藝與薄(厚)膜工藝結合而制成的集成電路。混合集成電路是通過在基片上形成厚膜或薄膜元件及其互連，然后在同一基片上混合分立的半導體芯片、單片集成電路或微元件，然后進行外部封裝而制成的。與分立元件電路相比，混合集成電路具有組裝密度高、可靠性高和電氣性能好的特點。與單片集成電路相比，混合集成電路設計靈活、工藝方便、易于多品種小批量生產，并且元件參數范圍廣、精度高、穩定性好，可以承受更高的電壓和更高的功率。混合集成電路主要用于模擬集成電路、微波集成電路和光電集成電路。它們還用于具有較高電壓和較大電流的特殊電路中。混合集成電路在微波領域的應用尤為突出。

1.特點

混合集成電路將電路中所有組件的功能部件集中在基片上，這基本上可以消除電子組件中的輔助部件以及組件之間的裝配間隙和焊點，從而提高了電子設備的裝配密度和可靠性。由于這種結構特征，混合集成電路可以用作具有分立組件網絡難以實現的電性能的分布式參數網絡。 混合集成電路的另一個特征是改變導體、半導體和電介質的三層膜的順序、厚度、面積、形狀和特性，以及它們的引線位置，以獲得具有不同性能的無源網絡。

2.種類

存在兩種用于制造混合集成電路的成膜技術：網印燒結和真空成膜。用前一種技術制得的膜稱為厚膜，其厚度通常在15微米以上，而用后一種技術制得的膜稱為薄膜，其厚度在幾百埃至幾千埃之間。如果混合集成電路的無源網絡是厚膜網絡，則稱為厚膜混合集成電路。如果是薄膜網絡，則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路的小型化和集成化的要求，存在微波混合集成電路。根據組成參數的集中和分布，該電路分為集中參數和分布參數微波混合集成電路。集總參數電路的結構與常規厚膜混合集成電路的結構相同，不同之處在于元件尺寸精度更高。分布式參數電路不同。它的無源網絡不是由視覺上可區分的電子組件組成，而是完全由微帶線組成。微帶線的尺寸精度較高，因此薄膜技術主要用于制造分布式參數微波混合集成電路。

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審核編輯：湯梓紅