互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優勢快速崛起。高通(Qualcomm)推出支持LTE的CMOS PA后，已引起業界對此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關注，尤其中低端手機制造商更將其視為升級產品通訊規格的重要途徑而擴大導入，將有助CMOS PA在傳統三五族(III/V)PA技術環伺的市場殺出重圍。

　　英飛凌(Infineon)應用工程暨技術行銷總監Heiss Heinrich表示，目前用于PA與低雜訊放大器(LNA)等主動式射頻元件的技術共有四種，分別為CMOS、砷化鎵(GaAs)、矽鍺碳(SiGe:C)及最新的氮化鎵(GaN)。由于射頻元件通常要求高穩定性、高線性與效率，因此市場一向由磷化銦鎵(InGaP)/砷化鎵異質接面雙極性電晶體(HBT)等傳統三五族材料，或矽鍺碳技術所把持；然而，近期CMOS方案的效能突飛猛進，已使射頻元件技術競爭態勢產生變化。

　　特別在處理器大廠高通力拱之下，CMOS PA發展聲勢更是一夕高漲。該公司在今年全球行動通訊大會(MWC)中，搶先業界發表可支持LTE多頻多模的CMOS PA，不僅大幅拉近CMOS與傳統三五族PA技術的效能差距，更可望挾CMOS制程成本較低，并可提升周邊元件整合度的設計優勢，助長CMOS PA在低端智能手機的滲透率。

　　Heinrich認為，CMOS PA在入門級手機和低端智能手機應用領域將愈來愈具主導力，主因系CMOS制程相當成熟，用于PA電路設計的彈性與可能性勢必較三五族HBT技術提升不少；同時CMOS PA還能整合周邊元件提高性價比，遂取得有利發展位置。

　　與此同時，高通投資大量資源在中國大陸市場推廣高通參考設計(QRD)，亦有助其CMOS PA加速在中低價手機市場打開能見度。高通表示，CMOS PA整合封包功率追蹤器(Envelope Power Tracker)、諧波預失真、天線切換器和匹配調諧器等元件，效能足以媲美傳統三五族PA方案，占位空間亦可減少一半以上，且能以CMOS制程快速放量壓低成本，未來將吸引更多手機制造商青睞。

　　不過，CMOS PA的高頻操作性能仍有待改善，短期內不容易打進高端LTE Cat.4、LTE-Advanced，或達到Gbit/s傳輸速率的802.11ac手機射頻模組。Heinrich強調，高端手機相當注重射頻性能，傳統PA技術因材料特性相對CMOS穩定，市場占有率將維持高檔表現。為因應未來更高頻的無線通訊應用需求，英飛凌亦已開發全新的第八代雙極矽鍺碳技術，將進一步催生高整合、高效能且小尺寸的射頻模組，防堵CMOS PA業者攻勢。