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電子發(fā)燒友網(wǎng)>RF/無線>老品牌企業(yè)復(fù)興 硅基GaN技術(shù)的應(yīng)用

老品牌企業(yè)復(fù)興 硅基GaN技術(shù)的應(yīng)用

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GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用

在過去幾年中,氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073

集成光量子芯片技術(shù)解析

介紹了光量子芯片在未來實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力,并對(duì)集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。
2023-11-30 10:33:073904

GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。(例如,5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算)GaN不斷突破新應(yīng)用的界限,并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)電源解決方案。 圖1:設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02

GaNLED等ESD敏感器件的靜電防護(hù)技術(shù)(一)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,靜電防護(hù)技術(shù)不斷提高,無論是在LED器件設(shè)計(jì)上,還是在生產(chǎn)工藝上,抗ESD能力都有明顯的進(jìn)步,但是,GaNLED畢竟是ESD敏感器件,靜電防護(hù)必須滲透到生產(chǎn)全過程
2013-02-19 10:06:44

GaN微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00

GaNMOSFET提供的主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而,近年來,這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化,為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09

GaN可靠性的測(cè)試

(MOSFET)是在20世紀(jì)70年代末開發(fā)的,但直到20世紀(jì)90年代初,JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用,但標(biāo)準(zhǔn)無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19

GaN和SiC區(qū)別

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2022-08-12 09:42:07

GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備

已聽到我們的行業(yè)代言人宣布,“GaN將迎來黃金發(fā)展時(shí)間。”這一公告似乎在暗示,GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或?yàn)閿?shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明,GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟,不能認(rèn)為它是一個(gè)有問題的技術(shù)
2018-08-30 15:05:41

GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其在烹飪中的應(yīng)用【6】

方向、提升了效率,以及具有更小的外形尺寸等優(yōu)點(diǎn)。除開在烹飪的應(yīng)用,讓我們一起看看GaN技術(shù)的其他應(yīng)用以及MACOMGaN 技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)吧!其他應(yīng)用除了烹飪行業(yè)之外,固態(tài)射頻能量器件也將在工業(yè)干燥
2017-05-01 15:47:21

GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說,相比LDMOS技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值, 技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說,GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。  
2019-06-26 06:14:34

GaN產(chǎn)品引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)

都能方便地溝通、交易、旅行、獲取信息和參與娛樂活動(dòng)。其技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量。與很多公司的氮化鎵采用碳化硅(SiC)做襯底
2017-08-29 11:21:41

氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)
2019-09-02 07:16:34

Leadway GaN系列模塊的功率密度

場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破: GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導(dǎo)體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)器件
2025-10-22 09:09:58

MACOM:GaN在無線基站中的應(yīng)用

。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過高,但是MACOM公司的最新的第四代氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37

MACOM:GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢(shì)

左右,目前已經(jīng)是第四代產(chǎn)品。MACOM總裁兼CEO John Croteau在財(cái)報(bào)會(huì)中透露,2016年第四季度已經(jīng)完成了Gen4 GaN的資質(zhì)認(rèn)證,接到兩個(gè)主流LTE頻段的基站 OEM廠商的訂單。
2017-05-23 18:40:45

MACOM:氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN

GaN)那么,問題來了,怎么解決高昂的價(jià)格?首先,先了解下什么是氮化鎵,與器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵,因此它可以承受比器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20

Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

,Neway車載級(jí)模塊通過規(guī)模化生產(chǎn),成本較初期降低40%。供應(yīng)鏈議價(jià)權(quán):大規(guī)模采購GaN外延片、被動(dòng)元件等原材料,可獲得供應(yīng)商價(jià)格折扣,進(jìn)一步壓縮成本。技術(shù)路線選擇 vs. SiC:Neway若
2025-12-25 09:12:32

TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

作者: Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53

【高新技術(shù)企業(yè) 】招聘【品牌經(jīng)理(marketing communication)】

高新技術(shù)企業(yè)(多點(diǎn)電容觸控ic及解決方案企業(yè))招聘品牌經(jīng)理(marketing communication),地點(diǎn)深圳福田,本科以上學(xué)歷,三年以上品牌推廣經(jīng)驗(yàn),半導(dǎo)體/電子行業(yè)優(yōu)先,年薪面議,歡迎
2013-07-03 12:11:30

不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別?

認(rèn)為,畢竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗),更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出,這就是GaN,無論是在、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了!至少現(xiàn)在看是這樣,讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別?
2019-07-31 07:54:41

為什么氮化鎵(GaN)很重要?

氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

什么是GaN透明晶體管?

)。因此,注入毫無疑問對(duì)ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。  工作晶體管  為了測(cè)試這種方法,我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上,其設(shè)計(jì)如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11

利用GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)5G移動(dòng)通信:為成功奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

基礎(chǔ)設(shè)施和移動(dòng)電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝,才可與采用塑料封裝的現(xiàn)有LDMOS 或GaAs 器件競(jìng)爭(zhēng)。同樣,移動(dòng)電話注重低成本模塊,包括與其他技術(shù)組合的GaN,其與目前的產(chǎn)品并無二致,但也
2017-07-28 19:38:38

圖形藍(lán)寶石襯底GaN發(fā)光二極管的研制

)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測(cè)試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16

基于GaN的開關(guān)器件

在過去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

基于Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù),看完你就懂了

請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

,但經(jīng)過多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試,GaN定會(huì)成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于材料的工作溫度和電壓下,對(duì)GaN裝置進(jìn)行了2000萬小時(shí)的加速可靠性測(cè)試。在此測(cè)試時(shí)間內(nèi),遠(yuǎn)程
2019-03-01 09:52:45

如何去提高鋰離子電池負(fù)極循環(huán)性能?

如何去提高鋰離子電池負(fù)極循環(huán)性能?
2021-05-13 06:02:45

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

氣流和壓力傳感器使用在哪些醫(yī)療應(yīng)用?

正如每種醫(yī)療過程的背后都有著一門真正的科學(xué),在確定用于輔助疾病的診斷和治療的復(fù)雜醫(yī)療設(shè)備中的氣流和壓力傳感器的背后也存在著一門科學(xué)。三種使用氣流和壓力傳感器的醫(yī)療應(yīng)用是:麻醉機(jī)、睡眠呼吸機(jī)和醫(yī)院診斷設(shè)備。
2019-11-06 08:00:23

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

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2018-11-20 10:56:25

氮化鎵GaN接替支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化鎵芯片未來會(huì)取代芯片嗎?

的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的技術(shù))的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 晶體管

和高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了高頻電子器件的局限性。更重要的是,WBG 半導(dǎo)體可用于可擴(kuò)展的汽車電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(電動(dòng)汽車
2022-06-15 11:43:25

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W~100W之間,最大功率達(dá)到1500W(工作頻率在1.0-1.1GHz,由Qorvo生產(chǎn)),采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外,部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品,目前
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN技術(shù)給機(jī)器人等應(yīng)用帶來什么樣的革新

,這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然,一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代,但經(jīng)過多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試,GaN定會(huì)成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于材料
2020-10-27 10:11:29

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
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什么是LCOS液晶數(shù)碼成像技術(shù)   LCOS 為 Liquid Crystal on Silicon 的縮寫,即液晶,是一種全新的數(shù)碼成像技術(shù)。其成像方式
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液晶,液晶是什么意思   液晶(Liquid Crystal On Silicon,LCOS),一種新型的反射式微液晶投影技術(shù),它采用涂有液晶的CMOS集成電路芯片作為反射式LCD
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目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaNLED專利技術(shù),美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaNLED專利技術(shù)。因此,研發(fā)其他襯底上的GaNLED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
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GaN藍(lán)光LED外延材料轉(zhuǎn)移前后性能

利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年APEC

2015年3月25日,德國慕尼黑和美國夏洛特訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日宣布擴(kuò)充其氮化鎵(GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合。
2015-03-25 15:54:211177

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SITRI發(fā)布8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)品 解決了困擾GaN材料應(yīng)用技術(shù)難題

該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn),同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過1百萬小時(shí),成功解決了困擾GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題,適用于中高壓GaN功率器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2018-01-04 15:36:5317586

上海布局光互連芯片研發(fā)和生產(chǎn)

去年,上海市政府將光子列入首批市級(jí)重大專項(xiàng),投入大量經(jīng)費(fèi),布局光互連芯片研發(fā)和生產(chǎn)。而今,很多業(yè)內(nèi)人士感嘆,上海真是未雨綢繆,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光互連芯片是新一代通信芯片,國內(nèi)通信企業(yè)已在這種器件上被卡了脖子。
2018-07-13 17:07:037214

襯底GaNLED技術(shù),Micro LED將是晶能光電的重大應(yīng)用

顯示技術(shù)。作為全球襯底GaNLED技術(shù)的領(lǐng)跑者,晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127860

ST和Leti合作研制GaN功率開關(guān)器件制造技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)
2018-09-30 14:36:334536

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場(chǎng)爆炸的殺手級(jí)應(yīng)用呢?

市場(chǎng)在引入新技術(shù)時(shí),成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一,但目前成本不是GaN的優(yōu)勢(shì)。GaN器件的主要競(jìng)爭(zhēng)者是MOSFET,后者已經(jīng)上市多年,提供非常具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本,并且平均效率高、質(zhì)量?jī)?yōu)良、可靠性
2018-12-24 17:00:574972

MACOM推出寬帶多級(jí)氮化鎵 (GaN

關(guān)鍵詞:氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊,擴(kuò)展其
2019-02-17 12:32:01659

MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作 擴(kuò)大GaN產(chǎn)能

”)于25日宣布,將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm GaN的產(chǎn)能,200mmGaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè),基于2018年初MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的GaN協(xié)議。
2019-05-16 17:51:234186

MEMS制造技術(shù)分析

MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)是一種使產(chǎn)品集成化、微型化、智能化的微型機(jī)電系統(tǒng)。在半導(dǎo)體集成電路技術(shù)之上發(fā)展起來的MEMS制造技術(shù)目前使用十分廣泛。 國外技術(shù)發(fā)展日趨成熟 上世紀(jì)80年代,在
2020-04-03 15:27:422401

上海芯元新型GaN復(fù)合襯底的制備技術(shù)

科技半導(dǎo)體公司提出的GaN復(fù)合襯底技術(shù),結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù),在大大提高LED出光效率的同時(shí),還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本,改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:574183

技術(shù) 氮化鎵(GaN)將接替

對(duì)于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù))成本低。GaN器件與器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效器件,因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件,從而降低了每個(gè)晶片的成本。
2020-07-04 10:32:522501

GaN技術(shù)可突破IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限

GaN技術(shù)突破了IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限,可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。在電動(dòng)車領(lǐng)域,GaN技術(shù)可直接降低功率損耗,從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長的行駛里程。同時(shí),更高效的功率
2020-09-18 16:19:173486

射頻應(yīng)用-利用氮化鎵外延片實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗

近年來,對(duì) GaN 功率和 RF 器件的各種應(yīng)用越來越多廣泛,GaN 產(chǎn)品的需求不斷增長,總部位于新加坡的 IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)指出其公司積極開發(fā) / 碳化硅氮化鎵外延
2020-10-30 01:16:44915

氮化鎵外延片將 microLED 應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域

近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566

AMOLED微顯示技術(shù)介紹

AMOLED微顯示技術(shù)介紹 ?? 以單晶半導(dǎo)體為襯底,在半導(dǎo)體中集成了由千萬個(gè)晶體管構(gòu)成CMOS驅(qū)動(dòng)電路,CMOS驅(qū)動(dòng)電路頂層制作OLED有機(jī)發(fā)光二極管,是同時(shí)實(shí)現(xiàn)高分辨率和微小尺寸的微型
2021-03-29 15:59:016562

探究Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù)

介紹了Si襯底功率型GaNLED芯片和封裝制造技術(shù),分析了Si襯底功率型GaNLED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù),提供了
2021-04-21 09:55:205390

神州云動(dòng)CRM助力仿生醫(yī)療革新、服務(wù)大眾

企業(yè)高效管理,支撐未來快速發(fā)展的需求。 深圳仿生科技有限公司成立于 2015 年,致力于通過不斷革新底層醫(yī)療技術(shù),集成跨界知識(shí)經(jīng)驗(yàn),開發(fā)創(chuàng)新醫(yī)療產(chǎn)品,從而以最可及的成本和最優(yōu)質(zhì)的服務(wù)造福大眾健康。 擁有自主研發(fā)的兩條產(chǎn)品線,分別為
2021-06-23 09:48:032555

通過GaN實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)

MasterGaN 將GaN 相結(jié)合,以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器,適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN 技術(shù),新設(shè)備可以處理更多功率,同時(shí)優(yōu)化其效率。ST 強(qiáng)調(diào)了將 GaN 與驅(qū)動(dòng)器集成如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00890

GaN使變得容易

就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠。四十多年來,隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)?/div>
2022-07-27 16:42:351185

格芯獲3000萬美元資金,加速氮化鎵產(chǎn)業(yè)化

芯采購設(shè)備并開始在8英寸產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)氮化鎵量產(chǎn)。與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術(shù)路線相比,氮化鎵選用的襯底成本與可及性有顯著優(yōu)勢(shì),GaN外延生長缺陷也顯著降低。
2022-10-21 15:33:231691

國際首支1200V的襯底GaN縱向功率器件

 相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動(dòng)態(tài)特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊(duì)的目光,近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:351894

品牌強(qiáng) 鑄汽車強(qiáng)國——中國汽車品牌強(qiáng)工程啟動(dòng)

。12月13日下午,“中國汽車品牌強(qiáng)工程”正式啟動(dòng)(以下簡(jiǎn)稱“品牌強(qiáng)工程”)。品牌強(qiáng)工程由中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)牽頭主導(dǎo),清華大學(xué)(車輛學(xué)院)發(fā)展研究中心李顯君教授團(tuán)隊(duì)承接,中國汽車企業(yè)首席品牌官聯(lián)席會(huì)(CB20)提供大力
2022-12-21 17:27:251337

什么是氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

 氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在襯底上,可以利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276

什么是氮化鎵?

氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透,長期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場(chǎng)景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965

氮化鎵技術(shù)成熟嗎 氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在襯底上,可以利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975

Gan FET:為何選擇共源共柵

在過去幾年里,GaN技術(shù),特別是GaN HEMT技術(shù),已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而,隨著商用GaN FET變得更容易獲得,一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵?
2023-02-09 09:34:121065

氮化鎵是做什么用?

在過去幾年中,氮化鎵(GaN)在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力,適用于各種高功率應(yīng)用。與半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,具有快速的開關(guān)速度,更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141

氮化鎵介紹

氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在襯底上,可以利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743

碳化硅氮化鎵和氮化鎵的區(qū)別在哪里?

反向恢復(fù)電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優(yōu)勢(shì)。 曾經(jīng)射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)中主要用到的是LDMOS技術(shù),而如今,氮化鎵技術(shù)基本已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù),與傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)相比,氮化鎵技術(shù)可提供的功率效率能夠超過70%,單位面積功
2023-02-12 14:30:283191

氮化鎵什么意思

氮化鎵(GaN-on-silicon)LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期,當(dāng) Bridgelux(普瑞光電)公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照明的成本時(shí),它一舉成為了頭條新聞。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001624

氮化鎵是什么意思 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

  氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù),它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596

氮化鎵技術(shù)原理 氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)

  氮化鎵技術(shù)原理是指利用和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277

氮化鎵的生產(chǎn)技術(shù)和工藝流程

  氮化鎵是一種由和氮化鎵組成的復(fù)合材料,它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外,氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578

氮化鎵芯片 具有哪些特點(diǎn)

  氮化鎵和藍(lán)寶石氮化鎵都是氮化鎵材料,但它們之間存在一些差異。氮化鎵具有良好的電子性能,可以用于制造電子元件,而藍(lán)寶石氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性,可以用于制造熱敏元件。此外,氮化鎵的成本更低,而藍(lán)寶石氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751

氮化鎵未來發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅氮化鎵器件為主。雖然氮化鎵(GaN-on-Si)目前不會(huì)威脅到碳化硅氮化鎵的主導(dǎo)地位,但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈,并可能塑造未來的電信技術(shù)
2023-09-14 10:22:362161

晶能光電:襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311829

GaN藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的發(fā)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的發(fā)展.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 11:13:512

OLED是下一代顯示技術(shù)開始嗎?

OLED屬于公司材料產(chǎn)品中的一種,兩家公司均擁有OLED材料客戶,OLED也是未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向之一。
2024-01-18 10:56:581583

頭部電池企業(yè)負(fù)極領(lǐng)域技術(shù)“角力”已拉開

大圓柱風(fēng)潮或帶動(dòng)負(fù)極批量商用。
2024-02-23 09:59:011425

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng) MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551181

深入解析光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

在信息技術(shù)日新月異的今天,光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢(shì),更以其獨(dú)特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022681

聚智姑蘇,共筑光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

盛夏姑蘇,群賢薈萃。2025年7月7日至10日,由度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司主辦,西交利物浦大學(xué)協(xié)辦,愛杰光電科技有限公司承辦的“光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校,在蘇州西交利物浦大學(xué)北校區(qū)
2025-07-11 17:01:271015

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)
2025-10-21 14:56:442577

GaN(氮化鎵)與功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見型號(hào)

中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢(shì)如下: 1. GaN(氮化鎵)功放芯片 優(yōu)勢(shì): 功率密度高:GaN 的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(3.3 MV/cm)是的 10 倍以上,相同面積下可承受更高電壓(600V+)和電流,功率密度可達(dá)的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片體積僅為的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:573111

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