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標(biāo)簽 > uvlo
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TPS2377 具有傳統(tǒng) UVLO 閾值和鎖存保護(hù)的 3 類(lèi) PoE PD數(shù)據(jù)手冊(cè)
這些易于使用的 8 引腳集成電路包含開(kāi)發(fā)符合 IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備 (PD) 所需的所有功能。TPS2375 系列是第二代 PDC(...
TPS2376 3 類(lèi) PoE PD,具有可調(diào)節(jié)的 UVLO 閾值和鎖存保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)
這些易于使用的 8 引腳集成電路包含開(kāi)發(fā)符合 IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備 (PD) 所需的所有功能。TPS2375 系列是第二代 PDC(...
TPS2377-1 3 類(lèi) PoE PD,具有傳統(tǒng) UVLO 閾值和自動(dòng)重試數(shù)據(jù)手冊(cè)
這些易于使用的 8 引腳集成電路包含開(kāi)發(fā)符合 IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備 (PD) 所需的所有功能。TPS2375-1 和 TPS2377...
TPS23770 3 類(lèi) PoE PD,帶反激式集成 DC-DC 控制器和傳統(tǒng) UVLO 閾值數(shù)據(jù)手冊(cè)
該TPS23750將TPS2375的功能與初級(jí)側(cè)DC/DC PWM控制器集成在一起。設(shè)計(jì)人員可以使用最少的外部元件為 PoE-PD 應(yīng)用創(chuàng)建前端解決方案...
TPS543B22 4V 至 18V 輸入、高級(jí)電流模式、20A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS543B22 是一款高效 18V、20A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,采用內(nèi)部補(bǔ)償、固定頻率高級(jí)電流模式 (ACM) 控制架構(gòu),始終在 FCCM 下工作,可產(chǎn)...
TPS543A26 4V 至 18V 輸入、高級(jí)電流模式、16A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS543A26 是一款高效 18V、16A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,采用內(nèi)部補(bǔ)償?shù)墓潭l率高級(jí)電流模式 (ACM) 控制架構(gòu),雖然始終在 FCCM 下工作,...
LMR38015 帶擴(kuò)頻的 80V 輸入、1.5A 同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMR38015 同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié),從而最大限度地減少了對(duì)外部浪涌抑制元件的需求。該LMR38015可在低至 4.2...
UC1710系列 具有 5V UVLO 和分離地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1710 系列 FET 驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和非常高功率的開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
2025-05-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝UVLO 850 0
UC3710系列 具有 5V UVLO、熱關(guān)斷和分離接地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1710 系列 FET 驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和非常高功率的開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
LM5105系列 具有 8V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.8A、1.6A 100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5105 是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和 采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電...
LM5100A 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高...
2025-05-21 標(biāo)簽:CMOS電平轉(zhuǎn)換器電源電壓 813 0
LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高...
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...
TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽車(chē)類(lèi) 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于各種大電流、單相和...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 771 0
LM5114系列 具有 4V UVLO 和分離輸出的 7.6A/1.3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5114 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)升壓型配置中的低側(cè) MOSFET 或驅(qū)動(dòng) 隔離拓?fù)渲械拇渭?jí)同步 MOSFET。具有強(qiáng)大的灌電流能力, LM5114 可以并聯(lián)驅(qū)...
UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27517A 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27517A...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 1.2k 0
UCC27524A-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車(chē)類(lèi) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524A-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。UCC27524A-Q1 器...
UCC27532-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27532-Q1 器件是一款單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 2.5A 的拉電流和 5A 的灌電流(非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng))峰值電流有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和...
LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車(chē)類(lèi) 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5109B-Q1 是一款高性?xún)r(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá)...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該 LMG1205 設(shè)計(jì)用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
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