LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅動器設計用于驅動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側驅動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅動，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101A/B/C）。
*附件：lm5101a.pdf

提供集成高壓二極管，用于為高側柵極驅動自舉充電 電容器。堅固的電平轉換器以高速運行，同時功耗低，并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅動器的 Clean Level 轉換。欠壓鎖定 在低側和高側電源軌上均提供。這些設備在 標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道
  MOSFET
• 獨立的高電平和低電平驅動器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達 118 V DC
• 快速傳播時間（典型值為 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  時間驅動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數

方框圖

一、產品概述

LM1A是一款高壓、高速柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。該驅動器提供獨立的高端和低端邏輯輸入，并支持高達8V DC的自舉電源電壓。LM1A提供TTL輸入閾值，并具備A的峰值輸出電流能力。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：高端浮動驅動器支持高達8V的電源電壓。
• ?高速性能?：具有5ns的典型傳播時間，適用于高頻應用。
• ?獨立邏輯輸入?：高端和低端輸入均獨立控制，具有TTL輸入閾值。
• ?高峰值輸出電流?：可達A，適用于驅動大功率MOSFET。
• ?低功率消耗?：低功耗設計，適用于多種電源管理應用。
• ?多種封裝選項?：提供SOIC-、SO PowerPAD-、WSON-等多種封裝形式。

三、應用領域

• ?同步降壓轉換器?
• ?半橋和全橋功率轉換器?
• ?固態電機驅動器?
• ?雙開關正向功率轉換器?
• ?帶有有源箝位的轉換器?

四、引腳配置與功能

• ?HB?：高端柵極驅動器自舉電源。
• ?HO?：高端柵極驅動器輸出。
• ?HS?：高端MOSFET源極連接。
• ?LO?：低端柵極驅動器輸出。
• ?VSS?：地參考。
• ?LI?：低端控制輸入。
• ?HI?：高端控制輸入。
• ?VDD?：正柵極驅動電源。

五、電氣特性

• ?工作條件?：推薦VDD電源電壓為9V至4V，結溫范圍為-0°C至5°C。
• ?輸出特性?：具有高峰值輸出電流（3A），低輸出阻抗，適用于快速切換大功率MOSFET。
• ?傳播延遲?：具有快速的傳播時間（5ns典型值），確保高效的控制信號傳輸。
• ?欠壓鎖定?：內置欠壓鎖定功能，保護電路免受低電壓條件的影響。

六、功能描述

• ?啟動與欠壓鎖定?：高端和低端驅動器均包含欠壓鎖定保護電路，確保在電源電壓穩定后才開始工作。
• ?電平移位?：提供從控制邏輯到高端柵極驅動器的干凈電平轉換，確保高效驅動。
• ?自舉二極管?：集成自舉二極管用于生成高端偏置電壓，簡化電路設計。
• ?輸出級?：輸出級設計具有高速率、低電阻和高峰值電流能力，確保MOSFET的快速切換。

七、應用與實施

• ?設計信息?：提供了詳細的設計要求和步驟，包括自舉電容器和VDD電容器的選擇、外部自舉二極管和電阻的選擇、柵極驅動器電阻的選擇等。
• ?功率耗散?：討論了柵極驅動器的功率耗散問題，并提供了估算方法。
• ?布局指南?：強調了布局中需考慮的關鍵因素，如旁路電容器的放置、MOSFET和驅動器的接近程度等，以確保最佳性能。

八、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供SOIC-8、SO PowerPAD-8、WSON-0等多種封裝形式。
• ?訂購代碼?：提供了不同封裝和狀態的訂購代碼選項。