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TSV（Through Silicon Vias）硅片通道通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認為是半導體行業(yè)最先進的技術(shù)之一。硅片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進展。

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先進封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進展

2023-09-06 標簽：封裝電鍍 TSV 2.5k 0

全球封裝技術(shù)向先進封裝邁進的轉(zhuǎn)變

先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1.6k 0

先進封裝關鍵技術(shù)之TSV框架研究

先進封裝處于晶圓制造與封測的交叉區(qū)域先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...

2023-08-07 標簽：集成電路芯片封裝 TSV 3.5k 0

一文看懂TSV技術(shù)

來源：半導體風向標從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通...

2023-07-26 標簽：芯片半導體存儲器 2.3k 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器 TSV 3d nand 1.7k 0

什么原因會影響TSV的可靠性呢？

就像PCB中的高縱橫比通孔和小直徑通孔一樣，半導體封裝中的3D互連也面臨著與3D晶片堆棧的熱力學行為相關的可靠性挑戰(zhàn)。

2023-07-21 標簽：pcb DRAM HDI 2.6k 0

盤點先進封裝基本術(shù)語

先進封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時代的一大技術(shù)亮點。當芯片在每個工藝節(jié)點上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際，工程師們將多個芯片...

2023-07-12 標簽：fpga 晶圓封裝 2k 0

TSV硅轉(zhuǎn)接基板的工藝結(jié)構(gòu)特點及可靠性分析

隨著三維集成技術(shù)的發(fā)展，如何將不同材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能的芯片器件實現(xiàn)一體化、多功能集成化是未來系統(tǒng)集成發(fā)展的重點。基于TSV、再布線（RDL）、微凸點...

2023-07-01 標簽：芯片制造基板 TSV 4.6k 0

先進封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標簽：晶圓 SiP 封裝 5.9k 0

封裝設計中的電-熱-力多物理場耦合設計

集成電路及其封裝是典型的由名種材料構(gòu)成的復合結(jié)構(gòu)體系，也是典型的多物理場耦合系統(tǒng)。

2023-05-17 標簽：集成電路晶體管 TSV 2.1k 0

封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協(xié)會標準 SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標簽：集成電路 TSV 1.1k 0

封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協(xié)會標準 SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標簽：芯片封裝 TSV 1.8k 0

硅通孔封裝工藝流程與技術(shù)

硅通孔（TSV）是當前技術(shù)先進性最高的封裝互連技術(shù)之一。基于 TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。

2023-05-08 標簽：封裝工藝流程 TSV 5.8k 0

先進封裝之TSV、TGV技術(shù)制作工藝和原理

摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出：“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18-24個月就翻一倍；微處理器的性能提高一倍，或價格下降一半。

2023-04-13 標簽：集成電路摩爾定律 TSV 2.9萬 0

TSV核心技術(shù)：深硅刻蝕和電鍍

肖特基的硅片上制作孔專利此后， IBM開始在集成電路領域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。

2023-04-06 標簽：集成電路 IBM 摩爾定律 4.2k 0

一文看懂TSV

肖特基的硅片上制作孔專利此后， IBM開始在集成電路領域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。

2023-03-31 標簽：集成電路 mems TSV 2.6k 0

三維封裝技術(shù)介紹

三維封裝技術(shù)是指在二維封裝技術(shù)的基礎上，進一步向垂直方向發(fā)展的微電子組裝技術(shù)。

2023-03-25 標簽：傳感器 gpu 封裝技術(shù) 5k 0

TSV制造關鍵工藝流程 TSV關鍵設備具體應用

國產(chǎn)化超薄晶圓減薄拋光設備已實現(xiàn)了量產(chǎn)應用，實現(xiàn)了國際同類設備的高性能水平。

2023-02-20 標簽：電鍍銅 TSV 3.1k 0

分享一種將芯片裝配到PCB上的方法

結(jié)束前工序的每一個晶圓上，都連接著500~1200個芯片（也可稱作Die）。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后，再...

2023-02-17 標簽：pcb 連接器晶圓 3.2k 0

TSV的工藝流程和關鍵技術(shù)綜述

TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術(shù)之一，已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關，在某種程度上直接決定了 TSV 的...

2023-02-17 標簽：半導體 PVD CMP 1.1萬 0

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