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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC驅(qū)動測試：探頭與示波器的核心選型要求

碳化硅（SiC）器件憑借ns級開關(guān)速度、數(shù)百至數(shù)千伏高電壓以及超100kV/μs的dv/dt特性，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用愈發(fā)廣泛，但也給驅(qū)動測試帶來了更高挑...

2026-02-02 標(biāo)簽：示波器探頭 SiC 211 0

全球電能百年未有之大變局：全SiC碳化硅SST固態(tài)變壓器的中國解決方案報(bào)告

全球電能百年未有之大變局：全SiC碳化硅SST固態(tài)變壓器的中國解決方案報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Chan...

2026-02-01 標(biāo)簽：SiC 碳化硅固態(tài)變壓器 261 0

SiC賦能天基基礎(chǔ)設(shè)施：基本半導(dǎo)體在太空光伏與太空算力領(lǐng)域的價(jià)值

SiC賦能天基基礎(chǔ)設(shè)施：基本半導(dǎo)體在太空光伏與太空算力領(lǐng)域的價(jià)值評估報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Chang...

2026-02-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光伏 SiC 224 0

SiC碳化硅MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動電源架構(gòu)的解析

在全球電力電子產(chǎn)業(yè)向第三代半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型的宏大背景下，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其寬禁帶特性帶來的高頻、高壓、耐高溫優(yōu)勢，正重塑新能源汽車、光伏儲能及...

2026-02-01 標(biāo)簽：MOSFET DC-DC SiC 533 0

SiC碳化硅功率模塊與配套驅(qū)動技術(shù)的系統(tǒng)性變革：從IGBT模塊替代到電力電子架構(gòu)重構(gòu)

當(dāng)前，全球電力電子產(chǎn)業(yè)正處于從硅（Si）基器件向?qū)捊麕В╓BG）半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵歷史時期。隨著“雙碳”戰(zhàn)略的推進(jìn)和工業(yè)裝備電氣化程度的加深，對電能轉(zhuǎn)...

2026-02-01 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 1.4k 0

SiC MOSFET功率模塊硬并聯(lián)環(huán)流產(chǎn)生機(jī)理與抑制手段剖析報(bào)告

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度方向演進(jìn)，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其寬禁帶特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基I...

2026-02-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 582 0

電力電子深層物理機(jī)制與SiC控制駕馭：電壓、電流、電位與拓?fù)淇刂频谋举|(zhì)解析

楊茜SiC碳化硅功率器件銷售團(tuán)隊(duì)認(rèn)知培訓(xùn):電力電子深層物理機(jī)制與SiC控制駕馭：電壓、電流、電位與拓?fù)淇刂频谋举|(zhì)解析 BASiC Semiconduct...

2026-01-31 標(biāo)簽：SiC 525 0

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體銷售團(tuán)隊(duì)認(rèn)知教程：電力電子硬開關(guān)與軟開關(guān)技術(shù)的演進(jìn)邏輯

楊茜SiC碳化硅功率半導(dǎo)體銷售團(tuán)隊(duì)認(rèn)知教程：電力電子硬開關(guān)與軟開關(guān)技術(shù)的演進(jìn)邏輯及SiC MOSFET的顛覆性賦能作用研究報(bào)告 BASiC Semico...

2026-01-30 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體 453 0

2025羅姆產(chǎn)品榮獲多項(xiàng)行業(yè)大獎

在蓋世汽車主辦的“金輯獎”頒獎典禮上，羅姆的4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”榮獲“2025中國汽車新供應(yīng)鏈百強(qiáng)”，此次是羅姆第...

2026-01-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 羅姆 492 0

安森美SiC方案賦能儲能系統(tǒng)升級

在全球儲能產(chǎn)業(yè)加速擴(kuò)張與技術(shù)迭代的浪潮中，安森美（onsemi）聚焦功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新，圍繞儲能核心需求持續(xù)發(fā)力，在效率提升、成本控制、場景適配等關(guān)鍵維度...

2026-01-28 標(biāo)簽：安森美 SiC 儲能系統(tǒng) 1.9k 0

森國科發(fā)布兩款創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品

在追求更高效率、更高功率密度的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的性能優(yōu)勢已得到廣泛認(rèn)可。然而，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)正成為限制其潛能全面釋放的關(guān)鍵瓶頸。森...

2026-01-26 標(biāo)簽：MOSFET SiC 森國科 676 0

森國科微型化750V SiC MOSFET晶圓的破局之道

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)以其卓越的電氣性能已成為不爭的未來趨勢。

2026-01-26 標(biāo)簽：SiC 碳化硅森國科 876 0

深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機(jī)制、動態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制

深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機(jī)制、動態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電...

2026-01-26 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 碳化硅 247 0

SiC碳化硅功率電子在下一代太空光伏基礎(chǔ)設(shè)施中的戰(zhàn)略集成

SiC碳化硅功率電子在下一代太空光伏基礎(chǔ)設(shè)施中的戰(zhàn)略集成：評估BASiC基本半導(dǎo)體在馬斯克太空生態(tài)系統(tǒng)中的潛能 BASiC Semiconductor基...

2026-01-25 標(biāo)簽：光伏 SiC 碳化硅 605 0

基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC模塊電力電子積木PEBB方案在變壓器斷供危機(jī)下的技術(shù)商業(yè)雙重價(jià)值

在二十一世紀(jì)的第三個十年，全球電力基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)正遭遇一場前所未有的完美風(fēng)暴。隨著電氣化浪潮的加速推進(jìn)——從電動汽車（EV）的普及到人工智能（AI）數(shù)據(jù)中...

2026-01-24 標(biāo)簽：變壓器 SiC 功率半導(dǎo)體 1.7k 0

森國科KC027Z07E1M2 SiC S-Cell助力PCB嵌入式3D封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化

在碳化硅（SiC）技術(shù)飛速發(fā)展的今天，我們正面臨一個關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn)：芯片本身的卓越性能，正日益被傳統(tǒng)封裝的寄生參數(shù)和熱管理瓶頸所制約。要實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)在...

2026-01-24 標(biāo)簽：嵌入式 SiC 3D封裝 789 0

基于SiC功率器件與配套驅(qū)動方案的固態(tài)變壓器（SST）全流程設(shè)計(jì)

在當(dāng)今全球能源互聯(lián)網(wǎng)（Energy Internet）與智能電網(wǎng)（Smart Grid）飛速發(fā)展的宏觀背景下，傳統(tǒng)的電力傳輸與分配基礎(chǔ)設(shè)施正面臨著前所未...

2026-01-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 固態(tài)變壓器 322 0

SiC功率器件與驅(qū)動方案在主網(wǎng)核心設(shè)備固態(tài)變壓器（SST）的戰(zhàn)略價(jià)值

隨著中國能源轉(zhuǎn)型步入“十五五”規(guī)劃（2026-2030年）的深水區(qū)，國家電網(wǎng)公司預(yù)計(jì)將投入超過4萬億元人民幣用于固定資產(chǎn)投資，旨在構(gòu)建以新能源為主體的新...

2026-01-24 標(biāo)簽：變壓器功率器件 SiC 242 0

新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認(rèn)證，采用Pr...

2026-01-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.3k 0

特瑞仕推出650V SiC肖特基勢壘二極管XBSC41/XBSC42/XBSC43系列

特瑞仕半導(dǎo)體株式會社（東京都江東區(qū)，代表董事：木村岳史，以下簡稱特瑞仕）開發(fā)了具備優(yōu)異耐浪涌電流與浪涌沖擊能力的 650V SiC 肖特基勢壘二極管“X...

2026-01-22 標(biāo)簽：二極管特瑞仕 SiC 682 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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