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在車載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

通過(guò)采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%。

2021-08-06 標(biāo)簽：SBD 肖特基勢(shì)壘二極管 1.5k 0

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 2.6k 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機(jī)制

根據(jù)《漲知識(shí)啦》第32期可知，隨著反向偏壓的增大，肖特基二極管漏電流的增幅遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流的水平，隨后，研究人員發(fā)現(xiàn)在肖特基勢(shì)壘二極管...

2021-05-12 標(biāo)簽：二極管 SBD 5.8k 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機(jī)制 (上)

肖特基勢(shì)壘二極管 (Schottky barrier diodes, 簡(jiǎn)稱 SBD) 是與PN結(jié)二極管有著同樣整流接觸的功率二極管結(jié)構(gòu)，它是通過(guò)金屬和半...

2021-04-07 標(biāo)簽：二極管 SBD 3.4k 0

JBS or MPS：兩種結(jié)構(gòu)相似和設(shè)計(jì)方法完全不同的器件

本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混...

2020-11-19 標(biāo)簽：二極管 SBD 1.2萬(wàn) 0

肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)基本的電流輸運(yùn)機(jī)制的講解

大家好，本周小賽給大家介紹的是《漲知識(shí)啦》系列內(nèi)容：肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)基本的電流輸運(yùn)機(jī)制。圖1展示了SBD外加正向偏置時(shí)，器件內(nèi)部的能帶及載流...

2020-11-19 標(biāo)簽：電流 SBD 3.5k 0

關(guān)于SBD基本的電流輸運(yùn)機(jī)制的介紹

2020-11-02 標(biāo)簽：二極管 SBD 1.6k 0

肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)基本的電流輸運(yùn)機(jī)制

2020-11-02 標(biāo)簽：電流 SBD 2.5k 0

VCSEL激光器、SBD肖特基二極管最新研究成果

成果一基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)深入探索了實(shí)現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn)，橫向電流限制不是...

2020-03-10 標(biāo)簽：激光器肖特基二極管 SBD 1.5k 0

200V肖特基勢(shì)壘二極管在xEV市場(chǎng)迎來(lái)替代良機(jī)

將電機(jī)和外圍部件集成于一個(gè)模塊的“機(jī)電一體化”已成為趨勢(shì)，也對(duì)于在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的需求日益高漲。

2019-09-06 標(biāo)簽：二極管 SBD xEV 8k 0

肖特基勢(shì)壘二極管新品:散熱特性提高28％、尺寸縮小39％

松下元器件公司發(fā)布了散熱特性較該公司原產(chǎn)品提高28％的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“DB2P系列”。可用于智能手機(jī)、平板終端和筆記本電腦機(jī)身電源電路部分。

2012-09-11 標(biāo)簽：松下 SBD 肖特基勢(shì)壘二極管 1.4k 0

電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

具有 TI 無(wú)線 SoC 處理器以及時(shí)鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)。

2012-06-13 標(biāo)簽：SBD 電信基帶單元 3.2k 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

2011-10-12 標(biāo)簽：MOSFET SBD SiC 1.6k 0

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動(dòng)電路

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動(dòng)電路豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為“NaFlux法”的結(jié)晶成長(zhǎng)法制成的GaN底板，試制出

2010-03-04 標(biāo)簽：LED 驅(qū)動(dòng)SBD 1.6k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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