国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

旺材芯片 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-06-23 14:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2021年6月,富士經(jīng)濟(jì)對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達(dá)到 40471 億日元,而 2020 年為 28043 億日元。

該調(diào)查針對使用SiC、GaN(氮化鎵)、Ga 2 O 3(氧化鎵)和 Si 功率半導(dǎo)體(例如 MOSFETIGBT)的下一代功率半導(dǎo)體。我們還調(diào)查了與功率半導(dǎo)體相關(guān)的組件和制造設(shè)備市場。調(diào)查時間為2020年11月至2021年2月。

2020年,Si功率半導(dǎo)體將占功率半導(dǎo)體市場的大部分,達(dá)27529億日元。Si功率半導(dǎo)體在中國市場擴(kuò)大,但在其他地區(qū),汽車和工業(yè)設(shè)備的銷售額下降,與2019年相比下降了4.0%。從 2021 年開始,汽車和 5G(第 5 代移動通信)相關(guān)產(chǎn)品的需求有望增加,預(yù)計 2030 年將達(dá)到 37,981 億日元。

預(yù)計到 2030 年,下一代功率半導(dǎo)體市場將達(dá)到 2490 億日元,而 2020 年為 514 億日元。雖然市場規(guī)模仍然較小,但預(yù)計2021年后年增長率仍將接近20%。

Fuji Keizai將SiC 功率半導(dǎo)體、GaN 功率半導(dǎo)體和 Ga 2 O 3功率半導(dǎo)體列為未來功率半導(dǎo)體市場感興趣的產(chǎn)品。

SiC 功率半導(dǎo)體用于 SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC-FET 和 SiC 功率模塊。盡管 2020 年受到新型冠狀病毒感染的影響,但由于對信息和通信設(shè)備和太陽能發(fā)電的強(qiáng)勁需求,市場規(guī)模同比增長 9.6% 至 493 億日元。未來,汽車、鐵路車輛、能源設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等的采用將增加,預(yù)計到2030年將達(dá)到1859億日元。

GaN 功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年為 166 億日元,而 2020 年為 22 億日元。數(shù)據(jù)中心和5G基站投資將繼續(xù)增加,信息通信設(shè)備領(lǐng)域有望保持堅(jiān)挺。預(yù)計在2022年后安裝在xEV等汽車上。

Ga 2 O 3功率半導(dǎo)體的市場仍然很小,但預(yù)計到2021年開始量產(chǎn)時市場將達(dá)到2億日元。與SiC功率半導(dǎo)體和GaN功率半導(dǎo)體相比,具有高耐壓、低損耗等特點(diǎn),可以降低成本。首先,它將用于消費(fèi)設(shè)備和其他耐壓為600V的應(yīng)用,預(yù)計2025年后將安裝在汽車上。2030年市場規(guī)模預(yù)計為465億日元。

此外,預(yù)計到 2030 年功率半導(dǎo)體相關(guān)組件市場為 3752 億日元,而 2020 年為 2068 億日元。2030年制造設(shè)備市場預(yù)計為3144億日元,2020年為1449億日元。中國和臺灣市場計劃大力資本投資,預(yù)計2021年后需求將主要在亞洲增長。

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce調(diào)查指出,受惠車用、工業(yè)與通訊需求挹注,今年第三代半導(dǎo)體成長動能可望高速回升,又以GaN功率元件成長力道最明顯,預(yù)估其今年市場規(guī)模將達(dá)6100萬美元,年增幅高達(dá)90.6%。

2018 至2020 年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足。不過,TrendForce 預(yù)期,首先,疫苗問世后疫情有所趨緩,將帶動工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器變頻器等,及通訊基地臺需求回穩(wěn);其次,隨著特斯拉Model 3 電動車逆變器逐漸改采SiC 元件制程后,第三代半導(dǎo)體于車用市場逐漸備受重視。

第三,中國政府為提升半導(dǎo)體自主化,今年提出十四五計畫,投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能,三大因素都將成為推升今年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長的動能。

觀察各類第三代半導(dǎo)體元件,GaN元件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電、世界先進(jìn)等,嘗試導(dǎo)入8吋晶圓生產(chǎn),但目前主力仍以6吋為主。

TrendForce預(yù)估,因疫情趨緩,所帶動的5G基地臺射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘A(yù)期今年GaN通訊及功率元件營收分別達(dá)6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%。

其中,GaN 功率元件成長主要動能來自手機(jī)品牌如小米、OPPO、Vivo 率先推出快充,筆電廠商也有意跟進(jìn)。TrendForce 預(yù)期,GaN 元件將持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件,且年增率將在2022 年達(dá)到最高峰,后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及,成長動能將略為趨緩。

SiC元件部分,由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該基板,6吋晶圓供應(yīng)吃緊,預(yù)估今年SiC元件于功率領(lǐng)域營收可達(dá)6.8億美元,年增32%。目前各大基板商如CREE、II-VI、意法半導(dǎo)體等已陸續(xù)開展8吋基板研制計畫,但仍有待2022年后,才有望逐漸紓緩供給困境。

編輯:jq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233529
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264132
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263020
  • SBD
    SBD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    196

    瀏覽量

    14560
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69399

原文標(biāo)題:?聚焦 | 功率半導(dǎo)體預(yù)測,氧化鎵前景可期

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?637次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?392次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?257次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?374次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1015次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?335次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1426次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?593次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?790次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?731次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1296次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2446次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?891次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)