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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2.8k 0
多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 1.1萬 0
MOSFET陣列并聯(lián)放置多個(gè)功率MOSFET以減輕系統(tǒng)負(fù)擔(dān)
在強(qiáng)悍的動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)者應(yīng)該知道所有關(guān)于MOSFET和他們的特殊電氣特點(diǎn),但與MOSFET的陣列工作還可以另有一個(gè)獸。您可能會(huì)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中看到的一種布...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC轉(zhuǎn)換器 8.3k 0
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里MOSFET驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)
MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱作...
2020-12-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器 3.4k 0
ROHM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC解決方案
ROHM擁有超過220款機(jī)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,而且擁有豐碩的市場業(yè)績。涵蓋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC包括有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、單相無刷直流電機(jī)、三相無刷直流電機(jī)...
2020-12-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 6.2k 0
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0
提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)方案
電機(jī)在現(xiàn)代生活中無處不在,從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署(International Energy Agency)的數(shù)...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4.1k 0
高速M(fèi)OSFET中誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制詳解
過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性 某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。 什么是誤...
MPM3805A汽車級(jí)降壓模塊變換器產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
MPM3805A 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和電感的汽車級(jí)降壓模塊變換器。該模塊含有的集成電感可簡化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì),并提供簡單高效的解決方案。DC/D...
隨著氮化鎵器件性能的提高,人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
耗盡型JFET在模擬設(shè)計(jì)中的應(yīng)用分析
目前市場上有6種不同類型的場效應(yīng)管(FET),在兩類主要的FET中,增強(qiáng)型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計(jì)中...
2020-09-24 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管模擬設(shè)計(jì) 6.4k 0
MOSFET器件用于相移ZVS轉(zhuǎn)換器中可能存在的隱患分析
零壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器被廣泛用于滿足電源應(yīng)用市場,比如電信電源、主機(jī)計(jì)算機(jī)-服務(wù)器以及高功率密度和高效率是必需的任何應(yīng)用。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo),我們必...
2020-09-22 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 1.6k 0
半導(dǎo)體制造商羅姆研發(fā)出VCSEL模組,實(shí)現(xiàn)空間識(shí)別和ToF測距系統(tǒng)的高精度化
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)研發(fā)出全新VCSEL模組,通過提升VCSEL光源的輸出功率,實(shí)現(xiàn)了空間識(shí)別和ToF測距系統(tǒng)的高精度化。
2020-09-21 標(biāo)簽:MOSFET測距系統(tǒng)TOF 4.4k 0
雙極性電源提供電流的工作原理是怎么樣的吶?下圖的波形顯示了雙極性電源電路的工作狀態(tài)。在 VIN 端施加輸入電壓時(shí),如果輸入降至 12 V 以下,升壓轉(zhuǎn)...
2020-10-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 3.8k 0
如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意數(shù)量的電流沉/源設(shè)計(jì)
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡單、直接的過程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
基于DSP實(shí)現(xiàn)具有PID參數(shù)自整定功能的智能調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)
由于經(jīng)驗(yàn)不易精確的描述,控制過程中各種信號(hào)及評(píng)價(jià)指標(biāo)不易定量的表示,模糊理論是解決這一難題的最好方法,運(yùn)用模糊控制規(guī)則,DSP根據(jù)電子負(fù)載系統(tǒng)的實(shí)際響應(yīng)...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)MC34063擴(kuò)流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng),后級(jí)功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當(dāng)?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.1萬 0
同步降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2384/86的主要特性及應(yīng)用
ADI公司的ADP2384/ADP2386是兩款4mm×4mm LFCSP封裝的高效、同步降壓DC/DC穩(wěn)壓器,內(nèi)部集成一個(gè)44mΩ的高邊檢測功率MOS...
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