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標(biāo)簽 > MDD
MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件
一、微波爐為什么需要MDD“高壓二極管”?在家用微波爐中,真正產(chǎn)生微波的是磁控管(Magnetron)。但磁控管工作需要
2026-02-24 標(biāo)簽: 二極管 高壓二極管 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 180 0
MDD從工程故障看三極管三個(gè)極的設(shè)計(jì)誤區(qū)與失效案例
一、為什么三極管問題總是“看起來很隨機(jī)”?在FAE現(xiàn)場(chǎng)支持中,經(jīng)常遇到如下問題:-同一電路,有的板子正常,有的異常-高溫
2026-01-19 標(biāo)簽: 三極管 驅(qū)動(dòng) 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 222 0
告別充電難題,MDD 辰達(dá)半導(dǎo)體針對(duì)清潔電器推出分立器件解決方案
隨著生活水平的提高和智能家居概念的深入人心,清潔家電正以前所未有的速度走進(jìn)千家萬戶。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球智能 掃地機(jī)器人 市場(chǎng)規(guī)
2026-01-14 標(biāo)簽: 半導(dǎo)體 分立器件 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 677 0
MDD保護(hù)器件在應(yīng)用中的效果及常見問題與解決方案
保護(hù)器件在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要角色,尤其是在汽車電子、通信設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)控制系統(tǒng)中。它們的主要作用是防止電路組
2025-12-29 標(biāo)簽: 保護(hù)器件 TVS二極管 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 201 0
高頻整流應(yīng)用中常用的MDD二極管選擇及特點(diǎn)
高頻整流廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代開關(guān)電源、逆變器、RF電路以及通信設(shè)備中。與低頻整流不同,高頻整流要求二極管具備更高的開關(guān)速度、更
2025-12-01 標(biāo)簽: 二極管 高頻整流 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 607 0
MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)作為電子電路中常見的電壓基準(zhǔn)與保護(hù)元件,因其反向擊穿時(shí)能夠提供相對(duì)穩(wěn)定的電壓而被
2025-08-28 標(biāo)簽: 穩(wěn)壓二極管 器件 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 774 0
在電子產(chǎn)品的防護(hù)設(shè)計(jì)中,MDD瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)被廣泛應(yīng)用于應(yīng)對(duì)靜電放電(ESD)、浪涌、電快速脈沖(EFT)
2025-08-20 標(biāo)簽: 二極管 TVS 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 688 0
在功率器件的參數(shù)表中,我們常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent
2025-08-14 標(biāo)簽: 肖特基二極管 功率器件 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 692 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的高效率整流管(如肖特基、快恢復(fù)、超快恢復(fù)以及SiC二極管)是現(xiàn)代電源系統(tǒng)中不可或缺的器件,廣泛應(yīng)用于服
2025-08-07 標(biāo)簽: 整流管 高效率 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 764 0
MDD高效率整流管反向擊穿問題分析與應(yīng)用對(duì)策
在現(xiàn)代電源系統(tǒng)中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的高效率整流管(如肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管)因其低正向壓降、快速反向
2025-08-06 標(biāo)簽: 整流管 電源系統(tǒng) 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè) 1081 0
深圳辰達(dá)行電子有限公司成立于2008年,公司總部位于廣東深圳,是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
公司通過不斷努力,高品質(zhì)的“MDD”品牌得到廣大客戶的信賴與支持,公司投資建設(shè)封裝廠,工廠占地24畝,建筑面積15000平方,現(xiàn)有員工300余人,年產(chǎn)銷二極管、整流橋總量約70億只。
工廠引進(jìn)全套國(guó)外先進(jìn)設(shè)備和科學(xué)管理體系,擁有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多種封裝形式的二極管/整流橋生產(chǎn)線;品種規(guī)格齊全,有普通整流、快速恢復(fù)、高效率、超快速、肖特基、整流橋、以及雙向觸發(fā)、高壓、瞬態(tài)抑制、開關(guān)、穩(wěn)壓等各種系列的二極管/整流橋。
公司通過了ISO9001:2008質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系認(rèn)證,產(chǎn)品通過美國(guó)UL認(rèn)證,并符合歐盟RoHS、REACH環(huán)保要求,可為客戶提供量身定制與研發(fā)設(shè)計(jì)的專業(yè)服務(wù),并可以提供滿足客戶需求的無鹵素產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控類、汽車電子、新能源等領(lǐng)域并遠(yuǎn)銷歐美及東南亞地區(qū),在客戶中享有良好的口碑。
展望未來,辰達(dá)行將常懷感恩的心,竭誠(chéng)為新老客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和完美服務(wù)。力爭(zhēng)為中國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)做出奉獻(xiàn)!
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動(dòng)工具的高效作業(yè),都離不開一...
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
TVS和ESD都是利用二極管反向擊穿特性的原理制成的電壓保護(hù)型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)抑制二極...
電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集,計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過程,...
靜電是如何產(chǎn)生的 任何兩個(gè)不同材質(zhì)的物體接觸后再分離,即可產(chǎn)生靜電,而產(chǎn)生靜電的普遍方法,就是摩擦生電。材料的絕緣性越好,越容易產(chǎn)生靜電。因?yàn)榭諝庖彩怯?..
MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何均流與提高耐壓能力?
電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決均流問...
對(duì)于工程師來說,浪涌保護(hù)不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜,主要涉及在?PCB 布局中放置瞬態(tài)保護(hù)組件并應(yīng)用明確的接地策略。 TVS 二極管是用...
在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐,深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略,為電路可靠性...
整流橋失效深度剖析:MDD從過載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案
MDD整流橋是電子設(shè)備中最常見的功率器件之一,被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、工業(yè)控制、變頻器、汽車電子和家電電源等領(lǐng)域。然而,在長(zhǎng)期運(yùn)行或極端工況下,整流橋可能...
2025-03-11 標(biāo)簽:整流橋機(jī)械應(yīng)力MDD 2.3k 0
截止?fàn)顟B(tài)近似開關(guān)關(guān)斷,飽和狀態(tài)近似于開關(guān)打開,因此三極管工作在這兩種狀態(tài)時(shí),多應(yīng)用于數(shù)字電路中的電子開關(guān);放大狀態(tài)多應(yīng)用于模擬電路中的電流放大。
普通二極管的PN結(jié)多采用面接觸型,即P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間的接觸面積大,具有耐壓高、平均電流大、恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)(幾百納秒到幾毫秒)等顯著特點(diǎn)。
MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET,采用VDMOS芯片技術(shù),具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開關(guān)特性和電容特性,可滿足應(yīng)用中各種...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體榮獲藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)“最具投資價(jià)值獎(jiǎng)”和“杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”
日前,由深圳市電子商會(huì),中小企業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)主辦的“第六屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典暨深圳市電子商會(huì)成立二十周年慶典”在深圳坪山燕子湖國(guó)際會(huì)展中心成功舉行。 第六屆...
MDD推出MOSFET系列產(chǎn)品,助力汽車電子等行業(yè)發(fā)展
根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),2020年全球功率MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模為81億美元,在新能源汽車,工業(yè)控制、5G通訊等市場(chǎng)需求的加持下,全球增速將保持高速增長(zhǎng),...
2023-05-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管汽車電子 1.8k 0
半導(dǎo)體分立器件廠商MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在第八屆“深圳(灣區(qū))國(guó)際品牌周上獲雙項(xiàng)“知名品牌”
近日,以“探索品牌無限未來”為主題的第八屆“深圳(灣區(qū))國(guó)際品牌周暨2024年中國(guó)品牌日·深圳地方特色活動(dòng)”在深圳廣電大廈舉行。現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了第二十一屆“深...
2024-05-14 標(biāo)簽:分立器件半導(dǎo)體分立器件MDD 1.7k 0
? 作為全球范圍內(nèi)規(guī)模首屈一指、影響力極為強(qiáng)大的電子元器件盛會(huì),德國(guó)慕尼黑電子展(Electronica Munich),向來備受電子行業(yè)精英們的高度關(guān)...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相環(huán)球資源香港展
全球最全面的消費(fèi)電子產(chǎn)品采購(gòu)展,匯集中國(guó)及亞洲地區(qū)的最高質(zhì)量 OEM/ODM 生產(chǎn)制造供應(yīng)商,為成熟的零售商?/?電子零售商和經(jīng)銷商提供消費(fèi)電子、電腦周...
MOSFET的低開關(guān)損耗在集成電路中應(yīng)用
MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),當(dāng)VGS電壓達(dá)到M...
2022-11-28 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開關(guān)電源 1.6k 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜全新產(chǎn)品亮相深圳慕尼黑華南電子展
2023年10月30日至11月1日,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體功率器件一線品牌,攜全新產(chǎn)品亮相深圳慕尼黑華南電子展(electronica South ...
| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| MDD15N10D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
獲取價(jià)格
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|
| DFR1J F1J | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.3V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):250ns; |
獲取價(jià)格
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| DSR0.3K S03K | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):300mA;正向壓降(Vf):1.1V@300mA; |
獲取價(jià)格
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|
| SOD1H8 U8 | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns; |
獲取價(jià)格
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|
| BZT52C7V5-WC | 二極管配置:獨(dú)立式;穩(wěn)壓值(標(biāo)稱值):7.5V;穩(wěn)壓值(范圍):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
獲取價(jià)格
|
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