ldo

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LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器。這是相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器，如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。

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ldo技術(shù)

LDO參數(shù)指標(biāo)淺談

2023-11-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源 ldo 線性穩(wěn)壓器 2.3k 0

一種基于電流源基準(zhǔn)型LDO的放大器供電時(shí)序電路的應(yīng)用

2023-11-23 標(biāo)簽：放大器 ldo 時(shí)序電路 1.5k 0

LDO的參數(shù)指標(biāo)分析(2)

首先看一下load regulation。這個(gè)指標(biāo)是為了衡量regulator的負(fù)載電流變化會引起多少輸出電壓的變化，也就是?Vout/?iL。從公式容...

2023-11-22 標(biāo)簽：負(fù)載電流 ldo 運(yùn)放 4.6k 0

LDO的參數(shù)指標(biāo)分析(1)

文章一開始介紹了LDO的歷史和由來，以及為什么需要LDO這個(gè)東西。像在鎖相環(huán)或者SAR ADC這樣的系統(tǒng)里，由于不同模塊的瞬態(tài)電流具有不同的頻率分量，為...

2023-11-22 標(biāo)簽：負(fù)載電流鎖相環(huán)ldo 5.8k 0

LDO中使用cascode運(yùn)放的補(bǔ)償方法

上次講了一篇文章里關(guān)于LDO的buffer設(shè)計(jì)的部分，那篇文章里還有很重要的一部分是講如何在全負(fù)載范圍內(nèi)對LDO進(jìn)行補(bǔ)償，那么這次就繼續(xù)總結(jié)一下。

2023-11-22 標(biāo)簽：負(fù)載 ldo 運(yùn)放 1.2萬 0

一種用于LDO的super current mirror結(jié)構(gòu)

這篇文章實(shí)際是之前的文章“一種用于LDO的super source follower結(jié)構(gòu)”的姐妹篇。在前一篇文章里提到過，在LDO輸出有片外大電容穩(wěn)壓的...

2023-11-22 標(biāo)簽：負(fù)載電流 ldo 運(yùn)放 4.7k 1

一種用于LDO的super source follower結(jié)構(gòu)

根據(jù)我們之前文章的介紹，在有基準(zhǔn)電壓的情況下，一個(gè)簡單的LDO只需要用一個(gè)誤差放大器和一個(gè)pass device構(gòu)成。然而，要保證LDO在全負(fù)載范圍內(nèi)的...

2023-11-22 標(biāo)簽：放大器負(fù)載電流 ldo 4.9k 0

LDO簡介和基本選型要素 LDO熱耗定義相關(guān)說明

LDO，其實(shí)LDO是線性電源的一種，即Low drop out低壓降的線性電源，這個(gè)dropout是線性電源的一個(gè)重要特性，行業(yè)內(nèi)最低好像能實(shí)現(xiàn)50mV...

2023-11-22 標(biāo)簽：LDO設(shè)計(jì)ldo 輸出電流 8.7k 0

LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管的實(shí)際案例

關(guān)于LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管，網(wǎng)絡(luò)上有一些解釋原因的文章。但網(wǎng)絡(luò)上太多不靠譜的文章，遇到問題還是先看芯片的datasheet數(shù)據(jù)手冊，數(shù)據(jù)手冊是最權(quán)威的。

2023-11-16 標(biāo)簽：電容器穩(wěn)壓器 ldo 1.9k 0

降壓DCDC有輸入輸出電壓差嗎

在LDO specfication里面，有Dropout Voltage（輸入輸出電壓差）的參數(shù)。如下圖，輸出電流100mA時(shí)，典型壓差是100mV；輸...

2023-11-15 標(biāo)簽：ldo PMOS buck電路 7.1k 0

基于分立元件構(gòu)成的LDO電路分析

如果我們需要將12V降到5V，我們反推下三極管，如圖示。

2023-11-10 標(biāo)簽：三極管電路分析穩(wěn)壓二極管 2.3k 0

硬件電路設(shè)計(jì)之板載電源電路設(shè)計(jì)

板載電源設(shè)計(jì)常用的有兩種方式：DC-DC電路和 LDO電路。LDO即Low Dropout Regulator，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器。這是相對于傳統(tǒng)...

2023-11-10 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)ldo DC-DC 4k 0

ldo知識總結(jié)：影響電源抑制比因素有哪些？

低壓降穩(wěn)壓器(LDO)最受歡迎的優(yōu)勢之-是，能夠衰減開關(guān)模式電源生成的電壓紋波。這對于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、鎖相環(huán)(PLL)和時(shí)鐘等信號調(diào)節(jié)器件而言尤為重要，因?yàn)?..

2023-11-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源 ldo 電源電壓 1.1k 0

耗盡型MOSFET在非隔離式電源電路中的應(yīng)用

　　在上述電路中，無需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin...

2023-11-08 標(biāo)簽：mcu MOSFET ldo 1.5k 0

使用DMZ1520E直接給MCU供電的方案

　　目前常見的MCU的工作電壓大多為2.7V～5.5V，在高輸入電壓供電的應(yīng)用里，MCU的供電大多使用耗盡型MOSFET+LDO的方案。

2023-11-08 標(biāo)簽：mcu MOSFET ldo 1.2k 0

快速判斷LDO VOUT的變化方向

我們知道，在LDO或者開關(guān)變換器里，VIN（輸入電壓）以及i（負(fù)載電流）的突變會引起VOUT（輸出電壓）的瞬態(tài)變化，引起overshoot（過沖）或un...

2023-11-07 標(biāo)簽：負(fù)載電流 ldo 輸入電壓 3k 0

耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路

當(dāng)電路工作時(shí)，電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會超過對應(yīng)電流下的閾值電壓，即V R_...

2023-11-07 標(biāo)簽：電源 MOSFET 應(yīng)用電路 3.2k 0

LDO電路的基本原理介紹三種使用分立元件搭建的LDO

LDO是大家最常見的電源芯片了吧，雖然存在效率不高的缺點(diǎn)，但相對于開關(guān)電源紋波更小、電路規(guī)模通常也更小，適用于低壓差、小功率的應(yīng)用場合。

2023-11-07 標(biāo)簽：三極管 ldo 仿真 1.0萬 0

關(guān)于LDO的常見問題分享

為什么總是這么燙？ LDO主要的功耗來自于內(nèi)部的MOS管上的壓差與輸出電流的乘積。壓差越大，電流越大，功耗越大，因此芯片就會越燙。

2023-11-06 標(biāo)簽：電流電容 ldo 3k 0

LDO相關(guān)內(nèi)容介紹

在電壓轉(zhuǎn)換電路中，LDO和DC-DC電路是最常用的兩種方式，本篇主要介紹LDO相關(guān)內(nèi)容。 LDO是線性電源的一種，它可以實(shí)現(xiàn)電源電壓的轉(zhuǎn)換，不過主要用在...

2023-11-06 標(biāo)簽：電容 ldo DC電路 1.7k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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