耗盡型MOSFET在非隔離式電源電路中的應(yīng)用
應(yīng)用電路如下
在上述電路中，無需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關(guān)系滿足：Vin=VOUT+|Vth|(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。
該電路具有如下優(yōu)點：
上述電路可直接應(yīng)用于寬電壓范圍中(DMD4523E的最高工作電壓為450V，需考慮器件的功耗)。DMD4523E可以為LDO電路提供良好的瞬態(tài)浪涌防護(hù)。
MOSFET響應(yīng)速度快，該電路結(jié)構(gòu)簡單且成本低，由于MOSFET可以承擔(dān)輸入部分的高壓，因此僅需要選擇能滿足輸出電壓要求的低壓LDO即可。該電路應(yīng)用范圍廣泛，可應(yīng)用于MCU、通訊設(shè)備的電路中。
DMD4523E
DMD4523E系列產(chǎn)品在容性負(fù)載、儀表、通訊設(shè)備中用于過壓過流保護(hù)的應(yīng)用。該電路通過選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。
該系列產(chǎn)品可工作在較高電壓下，能為負(fù)載回路提供過壓保護(hù)及瞬態(tài)浪涌抑制。當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)短路時，為負(fù)載提供過流保護(hù)。該系列MOSFET響應(yīng)速度快，電路結(jié)構(gòu)簡單。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
mcu
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
18925瀏覽量
398106 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9674瀏覽量
233505 -
ldo
+關(guān)注
關(guān)注
35文章
2442瀏覽量
159955 -
電源電路
+關(guān)注
關(guān)注
48文章
1028瀏覽量
67126 -
非隔離式電源
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
6546
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性曲線
N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
發(fā)表于 09-16 09:41
?2.5w次閱讀
耗盡型MOSFET在開關(guān)電源啟動電路中的應(yīng)用
在大多數(shù)反激式開關(guān)電源中，都是通過變壓器附加繞組給PWM控制 IC供電，在電路的啟動階段，附加繞
LED驅(qū)動電源隔離與非隔離的區(qū)別
不單是設(shè)計生產(chǎn)成本，批量大的產(chǎn)品也包括維修成本。就LED電源電路結(jié)構(gòu)而言，目前的隔離型方案多是AC/DC的反激式(Flyback)
發(fā)表于 11-19 20:47
560V輸入No-Opto隔離型反激式轉(zhuǎn)換器
設(shè)計要點 : 引言在傳統(tǒng)的隔離型高電壓反激式轉(zhuǎn)換器中，嚴(yán)緊的調(diào)節(jié)是采用光耦合器把調(diào)節(jié)信息從副邊參考電路
發(fā)表于 10-29 17:04
當(dāng)耗盡型MOSFET和JFET的柵源電壓大于0時電流怎么變化
電壓等于0的時候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結(jié)工作在反偏，當(dāng)所有的討論都是基于源級接地的電路時，當(dāng)耗盡型
發(fā)表于 04-08 03:57
開關(guān)電源：隔離式與非隔離式資料
電路之間的接地環(huán)路以改善抗噪聲能力。 ；在系統(tǒng)中輕松完成輸出接線，而不與主接地發(fā)生沖突。反激式拓?fù)涫沁m合隔離
發(fā)表于 10-27 10:48
耗盡型MOSFET的基本概念及主要類型
MOSFET應(yīng)用包括以下幾方面內(nèi)容：耗盡型MOSFET可在恒流源和線性穩(wěn)壓器電路中用作傳輸晶體管。廣泛用于啟動輔助
發(fā)表于 09-13 08:00
耗盡模式功率MOSFET的應(yīng)用有哪些？
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路
發(fā)表于 02-21 15:46
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道
增強型和耗盡型MOSFET的區(qū)別
功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應(yīng)用中，它們用作開關(guān)。然而，在 SMPS 中的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用
發(fā)表于 09-11 09:11
?1.1w次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論