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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設的企業展示主站與銷售平臺網站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構成的雙極晶體管。

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如何區分HBT、PHMET和MESFET

PHMET是繼MESFET之后最適合用于低噪放設計的管子。FET中的主要噪聲源是熱雜散，主要是由于管子的通道中的載流子的隨機運動造成的。載流子的隨機運動...

2023-02-20 標簽：電容 FET HBT 4.1k 0

HMC632LP5/632LP5E MMIC VCO，帶半頻輸出技術手冊

HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成諧振器、負電阻器件、變容...

2025-04-30 標簽：VCO GaAs HBT 1.4k 0

HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術手冊

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。功率輸出為+4 dBm（...

2025-04-17 標簽：GaAs HBT 倍頻器 1.4k 0

HMC438MS8G/438MS8GE SMT GaAs HBT MMIC技術手冊

HMC438MS8G 和 HMC438MS8GE 是低噪聲的 5 分頻靜態分頻器，運用 InGaP GaAs HBT 技術，并采用低成本的 8 引腳表面...

2025-04-17 標簽：分頻器 GaAs HBT 1.3k 0

HMC434使用InGaP HBT技術，8分頻，采用SMT封裝技術手冊

HMC434是一款低噪聲、靜態、8分頻預分頻器單芯片微波集成電路(MMIC)，利用磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/GaAs)異質結雙極性晶體管(HBT)技...

2025-04-17 標簽：分頻器 GaAs HBT 1.3k 0

HMC432/432E使用InGaP HBT技術，2分頻，采用SMT封裝，DC-8GHz技術手冊

HMC432(E)是一款低噪聲2分頻靜態分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入...

2025-04-17 標簽：分頻器 GaAs HBT 1.3k 0

HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器，采用SMT封裝技術手冊

HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。功率輸出為+6 dBm（典...

2025-04-17 標簽：GaAs HBT 倍頻器 1.2k 0

HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術手冊

HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器，采用4x4 mm無引腳表貼封裝。該分頻器可以通過編程設置為以N = 1到N = 17...

2025-04-18 標簽：分頻器 GaAs HBT 1.1k 0

HMC362 InGaP HBT 4 分頻芯片，DC-11GHz技術手冊

HMC362 是一款低噪聲 4 分頻靜態分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術，尺寸小，僅為 1.30 x 0.69 mm。該器件采用單個 +...

2025-04-17 標簽：分頻器 GaAs HBT 1.1k 0

HMC583LP5/583LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變...

2025-04-30 標簽：VCO GaAs HBT 1.1k 0

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TQP7M9103高線性度驅動放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-28 標簽：芯片放大器 HBT 2.3k 0

SBB3089Z高性能InGaP HBT MMIC放大器立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標簽：放大器 HBT MMIC 2.2k 0

設計HBT PA應該如何選擇偏置點立即下載

類別：射頻無線論文 2020-09-18 標簽：射頻 PA HBT 2.2k 0

TQP369184直流通用緩沖放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-10 標簽：放大器 LTE HBT 2.1k 0

TQP369182通用緩沖放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：傳感與控制 2018-08-13 標簽：放大器封裝 HBT 1.8k 0

NBB-500可級聯寬帶GaAs MMIC放大器的詳細數據手冊和應用免費下載立即下載

類別：電子元器件應用 2018-09-12 標簽：放大器射頻 HBT 1.5k 0

TQP7M9106高線性驅動放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-23 標簽：放大器 QFN HBT 1.4k 0

EC1078通用緩沖放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：傳感與控制 2018-08-13 標簽：放大器封裝 HBT 1.3k 0

ECG001F-G晶體管通用緩沖放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：傳感與控制 2018-08-13 標簽：放大器晶體管 HBT 1.3k 0

TQP5523 WLAN功率放大器的詳細數據手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-16 標簽：WLAN 功率放大器 QFN 1.2k 0

hbt資訊

唐晶量子攜高端GaAs外延片產品VCSEL和HBT亮相第22屆光博會

　在第22屆中國國際光電博覽會上，位于1號館1b41展位，由中科創星領銜組織的光電領域最硬核科技企業展團——“光子硬科技展團”參展，該展團囊括了17家國...

2020-09-15 標簽：VCSEL HBT 5.3k 0

功放如何為智能手機提供最佳效率

隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機輕薄化要求不斷提升，集成度和性能的重要性前所未有。因此，功放必須在這兩方面進一步提高，以幫助移動設...

2012-10-08 標簽：td-lte 功放 GaN 3.8k 0

SiGe HBT芯片在成像方面的應用簡析

基于計算機斷層掃描原理的三維太赫茲成像（太赫茲 CT）是可能探索的新興應用之一，太赫茲輻射是非電離的，因此不需要專門的安全措施

2023-10-08 標簽：HBT 太赫茲技術 3.2k 0

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設計

本文采用兩個晶體管構成回轉器，利用晶體管內部本征電容合成電感。設計了采用不同組態的四種有源電感電路結構，并就其中一個性能較好的電路做了詳細的討論

2011-03-30 標簽：射頻 SiGe 電感 2.1k 0

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