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標(biāo)簽 > hbm4
2025年4月,國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進(jìn)行了顯著改進(jìn),將為生成式AI、高性能計(jì)算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來革命性的變化。
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人工智能(AI)與機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅(qū)動(dòng)著各行各業(yè)的革新。隨著模型復(fù)雜度與數(shù)據(jù)量的激增,實(shí)時(shí)處理海量數(shù)據(jù)的需求對(duì)底層硬件基礎(chǔ)設(shè)...
2024-10-11 標(biāo)簽:人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)HBM 1.8k 0
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電
據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電,并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...
GPU集成12顆HBM4,臺(tái)積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前消息,臺(tái)積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術(shù),該技術(shù)是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))...
三星與臺(tái)積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天,三星電子與臺(tái)積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報(bào)道,雙方正攜手并進(jìn),共同開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)人工智...
三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)
據(jù)最新報(bào)道,三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長(zhǎng)的人工智能芯片市場(chǎng)...
三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電...
SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士...
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,...
2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)SK海力士 2k 0
英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中,英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)...
ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,韓國(guó)后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了...
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Band...
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單
在科技浪潮的涌動(dòng)下,臺(tái)積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》6月24日?qǐng)?bào)道,繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD等科技巨頭AI芯片之后,臺(tái)積電近日攜手旗...
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在...
臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片
在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn),臺(tái)積電計(jì)劃使用其N12和...
臺(tái)積電將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案
在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn),而臺(tái)積電計(jì)劃利用其...
三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存
早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上,三星電子代表曾表示,該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對(duì)1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn);而關(guān)于HBM4,他們預(yù)見在明年會(huì)完成研發(fā),...
臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝
目前,我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的...
SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從...
SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4...
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