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作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地...

2023-06-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理德州儀器 9.7k 0

碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)？能應(yīng)用在那些方面

電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

2020-10-17 標(biāo)簽：二極管 MOSFET GaN 9.6k 0

什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點(diǎn)及應(yīng)用？

GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。

2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 9.6k 0

深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，從最近的芯片到功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。

2018-11-28 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 SiC GaN 9.5k 0

GaN成為半導(dǎo)體界矚目的焦點(diǎn)

氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的魔咒下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風(fēng)帶雨的，好不風(fēng)光。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對(duì)半...

2017-10-11 標(biāo)簽：GaN 9.4k 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。目...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 9.2k 0

基于GaN的LLC解決方案縮小尺寸并提高效率

GaN 高電子遷移率晶體管 (GaN HEMT) 具有更低的驅(qū)動(dòng)損耗和更短的死區(qū)時(shí)間電路優(yōu)勢(shì)，因?yàn)闁艠O顯著減少與硅 MOSFET 相比，GaN 高電子...

2021-10-11 標(biāo)簽：GaN LLC 9.1k 0

應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標(biāo)題是針對(duì)GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則，但實(shí)際上對(duì)GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...

2023-05-10 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管偏置電路 9k 0

在PA設(shè)計(jì)中GaN的I-V曲線有多重要？

作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵 (GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。

2018-06-27 標(biāo)簽：GaN PA 8.9k 0

GAN應(yīng)用缺陷的解決方法分享

盡管 GAN 領(lǐng)域的進(jìn)步令人印象深刻，但其在應(yīng)用過(guò)程中仍然存在一些困難。本文梳理了 GAN 在應(yīng)用過(guò)程中存在的一些難題，并提出了最新的解決方法。

2019-02-22 標(biāo)簽：GaN Model 8.8k 0

#參考設(shè)計(jì)#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源

72 W隔離反激式電源，適用于采用InnoSwitch 4-QR（INN 4275 C-H186）高頻準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)IC的電器，可實(shí)現(xiàn)最小Transform...

2024-06-11 標(biāo)簽：電源 GaN 隔離反激式電源 8.8k 0

#參考設(shè)計(jì)#（900 V PowiGaN 開(kāi)關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 開(kāi)關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 標(biāo)簽：GaN POWI 隔離反激式適配器 8.7k 0

一起來(lái)看看更全面、更詳細(xì)的GaN產(chǎn)品介紹！

當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代，但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和可靠性測(cè)試，GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在...

2018-11-15 標(biāo)簽：電源模塊 GaN 工業(yè)機(jī)器人 8.7k 0

GaN功率電子器件的技術(shù)路線

目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面...

2019-08-01 標(biāo)簽：MOSFET GaN 8.6k 0

詳盡解釋GAN的發(fā)展脈絡(luò)和最新進(jìn)展PPT

GAN 網(wǎng)絡(luò)是近兩年深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的新秀，一時(shí)風(fēng)頭無(wú)兩。從計(jì)算機(jī)視覺(jué)頂會(huì)盛會(huì) CVPR 2018 接受的論文統(tǒng)計(jì)就可見(jiàn)一斑：根據(jù) Google Resea...

2018-09-18 標(biāo)簽：GAN 機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 8.6k 0

GaN功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻對(duì)于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，許多工程師都在努力評(píng)估動(dòng)態(tài) RDS(ON)，因?yàn)楹茈y以足夠的分辨率對(duì)其進(jìn)行一致測(cè)量。...

2021-10-27 標(biāo)簽：電阻晶體管測(cè)量 8.3k 0

新GAN技術(shù)應(yīng)用多層次特征的風(fēng)格遷移人臉生成器你了解嗎

GAN 自 2014 年提出以來(lái)得到了廣泛應(yīng)用。前不久效果令人震驚的 ICLR 2019 論文 BigGAN 引發(fā)了眾多關(guān)注。去年英偉達(dá)投稿 ICLR ...

2018-12-23 標(biāo)簽：RGB GAN 英偉達(dá) 8.3k 0

四大創(chuàng)新基礎(chǔ)技術(shù)驅(qū)動(dòng)雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展

氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來(lái)影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2019-04-03 標(biāo)簽：人工智能 GaN 雷達(dá)技術(shù) 8.2k 0

激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封裝介紹

激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來(lái)的三元或者四元體系。

2023-10-19 標(biāo)簽：激光器芯片設(shè)計(jì)諧振器 8.2k 0

四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用

除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標(biāo)簽：逆變器電池電壓氮化鎵 8.2k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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