半導體行業在摩爾定律的“魔咒”下已經狂奔了50多年，一路上挾風帶雨的，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業的加速度已經明顯放緩，為獲得更細小“線寬”的投資，未必能夠帶來更劃算的收益。

所以未來半導體技術的提升，除了進一步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。

GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比，其在特性上優勢突出（見表1）。表中這些貌似高深的參數，最終會給半導體器件性能帶來哪些直接影響，我們不妨“翻譯”一下。

由于禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

因此，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導體器件，這與半導體行業一貫的“調性”是吻合的。

表1，不同半導體材料特性對比

與GaN相比，實際上同為第三代半導體材料的SiC的應用研究起步更早，而之所以GaN近年來更為搶眼，主要的原因有兩點。

首先，GaN在降低成本方面顯示出了更強的潛力，目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，以替代昂貴的SiC襯底。有分析預測到2019年GaN MOSFET的成本將與傳統的 Si器件相當，屆時很可能出現一個市場拐點。

其次，由于GaN器件是個平面器件，與現有的Si半導體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導體器件集成，比如有廠商已經實現了驅動IC和GaN開關管的集成，進一步降低用戶的使用門檻。

正是基于GaN的上述特性，越來越多的人看好其發展的后勢。特別是在幾個關鍵市場中，GaN都表現出了相當的滲透力。

射頻（RF）領域將是GaN的主戰場。有分析指出，與目前在RF領域占統治地位的LDMOS器件相比，采用0.25微米工藝的GaN器件頻率可高達其4倍，帶寬可增加20%，功率密度可達6-8W/mm（LDMOS為1~2W/mm），且無故障工作時間可達100萬小時，更耐用，綜合性能優勢明顯。5G的商用無疑會是GaN在射頻市場發展的一個驅動力。

根據市場研究機構Yole的預測，受5G網絡部署的拉動，全球RF功率器件市場在2016年到2022年間將增長75%，年復合增長率達到9.8%；GaN將在未來5~10年成為3W以上RF功率應用的主流技術，而LDMOS的整體市場規模將下降到15%以下。

與此同時，我們會發現，在其他RF領域，也都會有GaN的身影，作為重要的升級換代技術，向原有的半導體器件發起挑戰（詳見表2）。從表2中可以看出，除了雷達等性能敏感型的應用，低成本的Si基GaN都有涉足，無疑會成為GaN開疆擴土的“功臣”。

在電力電子領域，GaN也找到了自己的位置。通常大家認為，由于材料特性的差異，SiC適用于高于1200V以上的高電壓大功率應用，而GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用，GaN 在 600V/3KW 以下的應用場合更占優勢，在微型逆變器、伺服器、馬達驅動、UPS等領域與傳統的MOSFET或IGBT展開競爭，讓電源產品更為輕薄、高效。

而GaN的這個定位也更有利于其向消費類市場的滲透，這后面的市場空間就更為可觀了。

同時，也有人看好GaN單晶襯底在光電子領域的應用，比如在激光顯示方面的應用前景，認為這會與VR/AR等新興行業形成互動，開辟出新的應用領域。

如果我們將半導體技術的發展看做是一臺大戲，與目前絕對的主角Si材料這樣的“老戲骨”相比，GaN還是一個初出茅驢的“小鮮肉”，但是TA在自己的“戲碼”中，已經逐漸挑起了大梁，扮演著當仁不讓的角色，未來GaN的市場“吸粉”能力不容小覷。當前，各個“玩家”圍繞GaN的卡位和布局已經展開，好戲還在后頭。