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gan技術(shù)

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率器件 1.5萬(wàn) 0

高功率GaN放大器的主要特征和特性詳解

GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)，已有成千上萬(wàn)的放大器交付實(shí)際使用。現(xiàn)在，該技術(shù)也被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域，開發(fā)中的放大器能夠在RF/微波...

2017-12-01 標(biāo)簽：RF gan papr 1.5萬(wàn) 0

淺談氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，有了化合物半...

2022-04-01 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 1.5萬(wàn) 0

電腦電源為什么不用氮化鎵氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 標(biāo)簽：充電器功率器件氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

圖像生成領(lǐng)域的一個(gè)巨大進(jìn)展：SAGAN

近年來，生成圖像建模領(lǐng)域出現(xiàn)了不少成果，其中最前沿的是GAN，它能直接從數(shù)據(jù)中學(xué)習(xí)，生成高保真、多樣化的圖像。雖然GAN的訓(xùn)練是動(dòng)態(tài)的，而且對(duì)各方面的設(shè)...

2018-10-08 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)圖像 GAN 1.4萬(wàn) 0

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0

隨著硅基半導(dǎo)體達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）正成為推動(dòng)發(fā)光二極管（LED）技術(shù)、高頻晶體管和光伏器件的下一代材料。然而，阻礙GaN發(fā)展的是其體內(nèi)存在的...

2018-07-09 標(biāo)簽：LED gan 1.4萬(wàn) 0

全球首款“反AI變臉刑偵檢測(cè)工具”，專用于檢測(cè)AI變臉/換臉造假技術(shù)

DARPA 的這款工具主要是基于紐約州立大學(xué)奧爾巴尼分校教授Siwei Lyu和他的學(xué)生 Yuezun Li 和 Ming-Ching Chang 的共...

2018-08-10 標(biāo)簽：AI GAN 人臉識(shí)別 1.3萬(wàn) 0

GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...

2021-03-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路 GaN 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個(gè)充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標(biāo)簽：充電器 asic 氮化鎵 1.3萬(wàn) 0

GaN有哪些特點(diǎn)為什么5G通信要使用GaN技術(shù)來實(shí)現(xiàn)

在射頻和功率應(yīng)用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正日益盛行已成為行業(yè)共識(shí)。GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、 LNA、開關(guān)器、 MMI...

2019-02-03 標(biāo)簽：PCB GaN 5G 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 GaN 1.3萬(wàn) 0

GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命

氮化鎵（GaN）開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開關(guān)效率很高。這允許開發(fā)轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標(biāo)簽：充電器 GaN 1.3萬(wàn) 0

探討條件GAN在圖像生成中的應(yīng)用

條件GANs已經(jīng)應(yīng)用與多種跟圖像有關(guān)的任務(wù)中了，但分辨率通常都不高，并且看起來很不真實(shí)。而在這篇論文中，英偉達(dá)和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員共同提出了一...

2018-01-11 標(biāo)簽：gan 深度學(xué)習(xí) 1.3萬(wàn) 0

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

　通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 1.3萬(wàn) 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管 SiC 損耗 1.2萬(wàn) 0

納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管？

2021-03-15 標(biāo)簽：二極管氮化鎵 GaN 1.2萬(wàn) 0

什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計(jì)算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計(jì)算的關(guān)系？

異構(gòu)集成主要指將多個(gè)不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個(gè)封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。

2023-11-27 標(biāo)簽：SiC 芯片封裝 GaN 1.2萬(wàn) 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.2萬(wàn) 0

生成式人工智能背后的算法和原理

GAN的優(yōu)點(diǎn)是能夠生成高質(zhì)量的數(shù)據(jù)，但其訓(xùn)練過程相對(duì)復(fù)雜，需要平衡生成器和判別器的性能，避免生成器落入局部最優(yōu)解。

2023-03-31 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)AI GaN 1.2萬(wàn) 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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