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激光雷達的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實際的激光雷達系統中，傳統的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅動器實現提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...

2021-02-21 標簽：散熱器氮化鎵 GaN 7.9k 0

GaN將徹底改變數據中心電源數據中心市場是下一個角逐點

高可靠性，高性能氮化鎵功率轉換產品供應商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...

2021-01-22 標簽：功率轉換器氮化鎵 GaN 2.5k 0

功率GaN出現爆炸式增長基于GaN的RF器件獨特優勢眾多

Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業和軍事雷達，以及電子戰應用”而設計。

2021-01-19 標簽：SiC GaN 射頻技術 2.5k 0

具有保護功能的GaN器件實現下一代工業電源設計的挑戰

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標簽：開關電源場效應晶體管氮化鎵 3.6k 0

【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據，儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

2020-08-11 標簽：SiC GaN 泰克科技 1.7k 0

德州儀器白皮書：GaN將能源效率推升至新高度

GaN也面臨著挑戰。過去，這些挑戰與制造和提供高質量、可靠GaN的能力相關。然而，隨著整個行業制造工藝的改進和采用率的增加，挑戰逐漸集中到實施和系統設計上

2020-08-04 標簽：德州儀器 GaN 柵極驅動器 1.7k 0

半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiC GaN 半導體器件 1.4萬 0

【泰克電源設計與測試】致工程師系列之三：高效GaN電源設計八部曲，泰克系列視頻課堂實操秘籍

由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和 GaN）現在配合傳統硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應用中。

2020-05-11 標簽：元器件 GaN 泰克科技 1.2k 0

氮化鎵GaN詳細對比分析納微和英諾賽科氮化鎵GaN產品應用

作者：馬坤（郵箱：kuner0806@163.com）隨著中國芯GaN產品上市，引起了大家的關注，PD產品更是多姿多彩；納微GaN產品和英諾賽科Ga...

2020-05-12 標簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 2.8萬 2

我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！

音頻是一個復雜的應用，尤其是對于發燒友領域各個層面的需求。最高端的音頻設備通常都價格高昂，不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求，他們相信其選擇可以最...

2020-04-23 標簽：音頻放大器 D類放大器 GaN 3.5k 0

5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點？是下一個風口？

由于2 月13 日小米在新品發表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題，快...

2020-04-14 標簽：氮化鎵 GaN 功率半導體 1.7萬 1

NV612X GaNFast? 功率半導體器件的熱處理

介紹最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 9.7k 1

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者：馬坤郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列半橋應用電路圖...

2020-03-24 標簽：pcb 氮化鎵 GaN 7.8k 0

面對5G基站巨大的耗電挑戰，GaN是業界需要的英雄

消費者目前已經開始體驗5G技術的優勢，它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網寬帶匹敵，而且將來還可能在蜂窩網絡服務區域內支持更高密度的移動設備和互連的物聯網...

2020-01-09 標簽：移動通信 GaN 蜂窩網絡 4.3k 0

一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解

近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導體的典型代表，具有很多優異的特性，如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導率高和峰值電子漂...

2020-01-22 標簽：功率放大器 GaN 6.9k 0

PI的PowiGaN技術的使用優勢及應用

Power Integrations（PI）于2019年7月27日發布了結合PowiGaN技術的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關...

2020-01-02 標簽：電源 ic gan 4.7k 0

基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設計

新一代半導體功率器件主要有SiC場效應晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管，新一代SiC和Ga...

2020-01-25 標簽：功率放大器 PCB設計 GaN 4.7k 0

新一代PowiGaN技術在LED照明中的應用解析

PI CEO Balu Balakrishnan在季報電話會議上所說：“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率，實現了硅開關無法達到的功率...

2019-10-08 標簽：led照明 led驅動器 GaN 1.3k 0

基于模型的GaN PA設計基礎知識

在之前的介紹中，我們了解了關于I?V 曲線和負載線路的基礎知識，但還有另一種分析設備的非線性行為的方法，即查看設備的I-V 波形--也就是電流和電壓與時...

2019-09-28 標簽：RF GaN 7.2k 0

GaN功率電子器件的技術路線

目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面...

2019-08-01 標簽：MOSFET GaN 8.6k 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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