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TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅動器技術手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括...
突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術解析與應用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統中實現新的功率...
基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設計與應用
Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護功能和...
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術解析
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN電源FET半橋,適用于開關電源應用中 < 75w的有源鉗位...
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)丨助力 LED 緩沖層性能優化
在現代生活中,氮化鎵(GaN)基LED應用廣泛,其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結合技術,在藍寶石襯底上制備了不同緩沖...
LMG3612 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動...
LMG3616 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護,適用于開關模式電源應用。 ...
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和溫度報告數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電流檢測數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 ...
TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級,集成驅動器數據手冊
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋,集成柵極驅動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅動器的集成簡化了設計,減少...
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