標(biāo)簽　>　gan

gan

廠商產(chǎn)品 +關(guān)注21人關(guān)注

文章：2070個(gè) 瀏覽：82480次帖子：161個(gè)

全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊

gan技術(shù)

氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb 驅(qū)動器晶體管 1.3k 0

使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。

2023-02-19 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體器件 1.5k 0

GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級優(yōu)勢分析

數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。

2023-02-19 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管數(shù)字控制 991 0

SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體...

2023-02-17 標(biāo)簽：FET SiC GaN 597 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵 GaN 6.1k 0

什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系分解

小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)？什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系？以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

2023-02-16 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 3.1k 0

氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化合物 GaN 2.2k 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 7.5k 0

GaN HEMT推動電機(jī)變革

對緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出，工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 GaN 1k 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 2.2k 0

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫A...

2023-02-14 標(biāo)簽：歐姆 GaN HEMT 5.1k 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 6.9k 0

氮化鎵屬于無機(jī)非金屬材料嗎

　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 5.8k 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應(yīng)用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

2023-02-13 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 GaN 1.5k 0

采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

2023-02-13 標(biāo)簽：放大器充電器晶體管 6.5k 0

第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)

　　GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝，在新一代高...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件 GaN 2.3k 0

絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

由于界面固定電荷沒有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計(jì)算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN HEMT 3.4k 0

一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...

2023-02-13 標(biāo)簽：二極管功率器件 GaN 2k 0

氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備

按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批...

2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓 GaN 半導(dǎo)體器件 792 0

氮化鎵技術(shù)是什么意思

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管 GaN 4.8k 0

1... 上一頁 24 25 262728 29 30 下一頁 43

相關(guān)話題

換一批

藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

+關(guān)注

藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

Qorvo

+關(guān)注
5G手機(jī)

5G手機(jī)

+關(guān)注

5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

+關(guān)注

自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

智慧家庭

+關(guān)注

智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

+關(guān)注

　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

Keysight

+關(guān)注

是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
AD9361

AD9361

+關(guān)注
nRF52832

nRF52832

+關(guān)注
無線收發(fā)模塊

無線收發(fā)模塊

+關(guān)注

無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

+關(guān)注

太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

+關(guān)注

三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

藍(lán)牙5.0

+關(guān)注

藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

Elektron

+關(guān)注
樂鑫

樂鑫

+關(guān)注

樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

WiGig

+關(guān)注

WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

lorawan

+關(guān)注

LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

KeyStone

+關(guān)注
5G毫米波

5G毫米波

+關(guān)注

5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

JN5168

+關(guān)注
802.11ax

802.11ax

+關(guān)注
ZigBee3.0

ZigBee3.0

+關(guān)注
貼片天線

貼片天線

+關(guān)注
射頻元件

射頻元件

+關(guān)注
無線設(shè)備

無線設(shè)備

+關(guān)注

無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

+關(guān)注

LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

LTE-Advanced

+關(guān)注
超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

+關(guān)注

　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

+關(guān)注

藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

+關(guān)注

　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

換一批

電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無刷電機(jī)	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機(jī)	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進(jìn)電機(jī)	SPWM	充電樁	IPM	機(jī)器視覺	無人機(jī)	三菱電機(jī)	ST
伺服電機(jī)	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯海科技	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機(jī)	金升陽	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變增益放大器	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計(jì)	溫度傳感器	壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器	步進(jìn)驅(qū)動器	TWS	BLDC	無刷直流驅(qū)動器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
數(shù)字隔離器	ESD 保護(hù)	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

開關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
5G	m2m	DSP	MCU	ASIC	CPU	ROM	DRAM
NB-IoT	LoRa	Zigbee	NFC	藍(lán)牙	RFID	Wi-Fi	SIGFOX
Type-C	USB	以太網(wǎng)	仿真器	RISC	RAM	寄存器	GPU
語音識別	萬用表	CPLD	耦合	電路仿真	電容濾波	保護(hù)電路	看門狗
CAN	CSI	DSI	DVI	Ethernet	HDMI	I2C	RS-485
SDI	nas	DMA	HomeKit	閾值電壓	UART	機(jī)器學(xué)習(xí)	TensorFlow

Arduino	BeagleBone	樹莓派	STM32	MSP430	EFM32	ARM mbed	EDA
示波器	LPC	imx8	PSoC	Altium Designer	Allegro	Mentor	Pads
OrCAD	Cadence	AutoCAD	華秋DFM	Keil	MATLAB	MPLAB	Quartus

搜索歷史

gan

gan技術(shù)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(21人)

C++	Java	Python	JavaScript	node.js	RISC-V	verilog	Tensorflow
Android	iOS	linux	RTOS	FreeRTOS	LiteOS	RT-THread	uCOS
DuerOS	Brillo	Windows11	HarmonyOS

林超文PCB設(shè)計(jì)：PADS教程，PADS視頻教程	鄭振宇老師：Altium Designer教程，Altium Designer視頻教程
張飛實(shí)戰(zhàn)電子視頻教程	朱有鵬老師：海思HI3518e教程，HI3518e視頻教程
李增老師：信號完整性教程，高速電路仿真教程	華為鴻蒙系統(tǒng)教程，HarmonyOS視頻教程
賽盛：EMC設(shè)計(jì)教程，EMC視頻教程	杜洋老師：STM32教程，STM32視頻教程
唐佐林：c語言基礎(chǔ)教程，c語言基礎(chǔ)視頻教程	張飛：BUCK電源教程，BUCK電源視頻教程
正點(diǎn)原子：FPGA教程，F(xiàn)PGA視頻教程	韋東山老師：嵌入式教程，嵌入式視頻教程
張先鳳老師：C語言基礎(chǔ)視頻教程	許孝剛老師：Modbus通訊視頻教程
王振濤老師：NB-IoT開發(fā)視頻教程	Mill老師：FPGA教程，Zynq視頻教程
C語言視頻教程	RK3566芯片資料合集
朱有鵬老師：U-Boot源碼分析視頻教程	開源硬件專題