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激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封裝介紹

激光器芯片根據材料體系有GaN基藍光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。

2023-10-19 標簽：激光器芯片設計諧振器 8.2k 0

競爭籌碼幾何？GaN和SiC是共存還是替代呢？

如今，追求功率密度和效率是當今眾多行業創新的最大動力，包括數據中心、可再生能源、消費電子產品、電動汽車和自動駕駛汽車等。

2023-10-17 標簽：電動汽車 SiC GaN 804 0

開關管的驅動器及驅動電路設計

電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅動型器件，不同類型器件的驅動電路也不完全相同

2023-10-16 標簽：MOSFET 驅動器變換器 2.7k 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...

2023-10-16 標簽：電容器功率器件氮化鎵 2.7k 0

晶能光電：硅襯底GaN材料應用大有可為

硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化...

2023-10-13 標簽：GaN 硅襯底晶能光電 2.1k 0

氮化鎵能實現多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...

2023-10-13 標簽：芯片驅動器 FET 1.6k 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標簽：電感氮化鎵蝕刻 1.3k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 7.6k 1

淺談GAN在汽車里面的應用案例

從全球來看，豪華電動汽車趨向于采用800V系統，核心優勢是電流小（銅線少）、更低的傳導損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年，中國的15萬在研產品都會...

2023-10-07 標簽：電動汽車汽車電子 GaN 847 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。

2023-09-28 標簽：電機驅動晶體管 GaN 2.5k 0

如何集成 GaN 功率級以實現高效的電池供電 BLDC 電機推進系統

作者：Jens Wallmann 電池供電的應用，如協作機器人（cobot）、電動自行車、工業無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機...

2023-10-03 標簽：電機 BLDC GaN 1.6k 0

使用Buck芯片直接生成負壓的解決方案

在產品設計、電子電路應用中，會經常使用到負電壓電源。

2023-09-27 標簽：BUCK 晶體管 GaN 1.7萬 0

寬帶隙技術能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

作者：得捷電子事實證明，高壓 LED 照明可以有效地取代高強度放電（HID）照明等先前技術。隨著高壓 LED照明得到采用，許多制造商爭相生產并在各...

2023-10-03 標簽：led 二極管轉換器 1.4k 0

分階段雷達的電源解決方案

2023-10-26 標簽：電源雷達 PMIC 1.2k 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

2023-09-27 標簽：PCB 驅動器氮化鎵 2.4k 0

一個集成濾波功能的低噪聲放大器設計原理圖

濾波器在前端中也有著重要的作用，在接收機下變頻時，鏡像頻段處的信號會變頻到中頻帶處，引入干擾，此時濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見的前端設計中...

2023-09-16 標簽：濾波器 SiC GaN 2.2k 0

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，...

2023-09-15 標簽：英飛凌半導體 SiC 5.7k 0

硅基氮化鎵未來發展趨勢分析

GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 2.3k 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 983 0

IGBT的結構和應用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統”技術，但它在高功率應用中仍然發揮著重要作用。

2023-09-11 標簽：半導體 IGBT SiC 2k 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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