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標簽 > GaN FET
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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關頻率...
正如我們在2020年Electronica電力電子論壇上的演講中所說的那樣,電力行業的歷史令人著迷,并且充滿了令人驚嘆的天才級工程師,他們正在使電源解決...
利用TI的600V GaN FET功率級實現高性能功率轉換革命
達拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數十年的電源管理創新,德州儀器(TI)(納斯達克股票代碼:TXN)今天宣布推出600 -V...
技術資料#LMG3522R030-Q1 具有集成驅動器、保護和溫度報告的汽車類650V 30mΩ GaN FET
LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開...
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力 在當今的電子領域,功率器件的性能提升對于實現高效、緊湊的電源設計至關...
2026-03-01 標簽:電源設計GaN FETLMG3425R050 1.1k 0
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用解析
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用解析 在現代電子設計領域,高效、高功率密度的功率器件一直是工程師們追求的目標。...
2026-03-01 標簽:電源轉換器GaN FETLMG3425R030 1.1k 0
“芯”品發布|鎵未來推出“9mΩ”車規級 GaN FET,打破功率氮化鎵能效天花板!
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步,打破車規級功率半導體性能邊界 近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
安世推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET GAN FET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mo...
Nexperia為多個汽車應用領域貢獻力量,約270款Nexperia產品運用在不同的汽車應用中。
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結合
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結合 引言 在當今電子技術飛速發展的時代,功率半導體器件...
2025-12-29 標簽:功率器件GaN FETTP65H070G4RS 484 0
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件...
2025-12-29 標簽:電路設計GaN FETTP65H070G4PS 392 0
探索LTC7891:用于GaN FET的高性能降壓控制器 引言 在當今的電子設計領域,高效、可靠的電源管理是至關重要的。LTC7891作為一款專門為Ga...
深度解析LTC7892:高性能雙路升壓控制器的卓越之選 一、引言 在電子設備的電源管理領域,對于高性能、高效率的升壓控制器的需求始終不斷攀升。特別是在面...
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