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SiGe和GaAs工藝對比

GaAs工藝中也可以像傳統的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優勢，尤其是高頻應用。

2023-07-11 標簽：二極管電感器 GaAs 6.2k 0

精密電路監控負電源門限

該電路采用IC （MAX971），包括漏極開路比較器和精密1%電壓基準，監測負電源電壓的大小，并提供故障情況的數字警告。如需監測多個負電壓，請使用MAX...

2023-06-26 標簽：電源比較器 GaAs 1.3k 0

可編程線性霍爾效應集成電路(霍爾IC)-GS302

GS302通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。

2023-05-26 標簽：集成電路 GaAs 電流傳感器 1.7k 0

VCSEL制造工藝全流程

作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節能等優點的VCSEL（Vertical Cav...

2023-05-24 標簽：半導體制造工藝 VCSEL 2.9k 0

半導體材料在納米光子學中的作用

半導體材料在開發納米光子技術方面發揮著重要作用。

2023-05-14 標簽：半導體納米 GaAs 2.3k 0

碳化硅功率器件及應用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 2.9k 0

GaAlAs/GaAs半導體激光器簡述

可見光激光器的應用是十分廣泛的，甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對應的生長工藝。

2023-03-08 標簽：半導體激光器工藝 3.9k 0

帶PIN二極管的電流源DAC提供RF衰減和熱補償

PIN二極管通常用作電視調諧器中RF信號的可變衰減器，以及固定設備中的寬帶RF的可變衰減器。這些二極管可以作為分立器件安裝在電路板上，也可以集成到混合G...

2023-02-27 標簽：二極管 RF GaAs 1.7k 0

什么是電力電子？為什么碳化硅對電力電子很重要？

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產業（包括太陽的,燙的和風力）、EV/HEV動力系統，以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

2023-02-06 標簽：MOSFET 電力電子 SiC 2k 0

無線設計LNA 和PA 的作用和要求介紹

LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號，這些信號通常是微伏數量級的信號或者低于-100 dBm，然后將該信號放大至一個更有用的水平，通常約為0....

2023-02-06 標簽：LNA GaAs 無線設計 4.9k 0

寬禁帶半導體是什么？

寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷...

2023-02-02 標簽：半導體 GaAs 寬禁帶半導體 1.1萬 0

無線設計LNA和PA的作用和要求及其主要特性

2023-02-01 標簽：無線 LNA GaN 3.1k 0

采用砷化鎵(GaAs)工藝制造的HMC232A

HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。

2023-01-31 標簽：GaAs LFCSP SPDT開關 1.7k 0

產品教程｜Nanodcal 材料學與化學（生成能02）

Nanodcal是一款基于非平衡態格林函數-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...

2022-11-24 標簽：模擬器件化學 GaAs 1.9k 0

介紹一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關

HMC849ALP4CE是一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關，采用低成本無引腳表貼封裝。

2022-10-10 標簽：無線電 GaAs 高電平 1.7k 0

一文詳解氧化剝離技術（1）

光發射器與硅電子器件的融合是許多應用的長期挑戰，例如芯片級光互連、片上光學系統、光通信芯片等。[1]. 在這些應用中，光發射機通常被設想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標簽：發射器蝕刻 GaAs 1.8k 0

GaAs基激光器的減薄和拋光問題

激光器都是在外延的基礎上做出芯片的結構設計，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要對晶圓進行減薄，厚度有做到80um的，...

2022-07-15 標簽：激光器 GaAs 砷化鎵 3.9k 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標簽：光刻蝕刻晶片 2.6k 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方...

2022-03-31 標簽：傳感器蝕刻 GaAs 1.5k 0

氮化鎵(GaN)是否將在所有應用中取代砷化鎵(GaAs)

之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項革命性技術，在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮巨...

2022-03-22 標簽：半導體 GaAs 砷化鎵 6.6k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網”，準確的翻譯應該為“物聯網”。物聯網（Internet of Things）又稱傳感網，簡要講就是互聯網從人向物的延伸。
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