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用于單片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點激光器研究

硅基光電子技術以光電子與微電子的深度融合為特征，是后摩爾時代的核心技術。硅基光電子芯片可以利用成熟的微電子平臺實現量產，具有功耗低、集成密度大、傳輸速率...

2024-10-24 標簽：芯片光電子激光器 3.5萬 0

GaAs太陽能電池的簡述,主要特點及主要應用及市場情況

砷化鎵（GaAs）材料在無線通信、光傳輸、消費電子（如3D人臉識別）和太陽能電池等領域獲得廣泛應用。前幾期已經介紹過砷化鎵在射頻領域的相關情況，本期1°...

2018-07-06 標簽：太陽能電池 GaAs 3.1萬 0

基于GaAs IPD的K波段濾波器芯片的設計資料分析總結

基于砷化鎵集成無源器件（Integrated Passive Device，IPD）工藝，研制出了一款性能優良的K波段發夾型帶通濾波器芯片，測試結果表明...

2018-08-18 標簽：濾波器 GaAs IPD 1.2萬 0

常見的三類太陽能電池介紹

為增進大家對太陽能電池的了解，本文將介紹三種太陽能電池：1.多元化合物薄膜太陽能電池，2.聚合物多層修飾電極型太陽能電池，3.納米晶化學太陽能電池。如果...

2021-02-17 標簽：太陽能電池智能電網 GaAs 1.2萬 0

分子束外延(MBE)工藝及設備原理介紹

分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態下，進行材料外延技術，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和...

2024-01-15 標簽：半導體晶體管 GaAs 1.2萬 0

寬禁帶半導體是什么？

寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷...

2023-02-02 標簽：半導體 GaAs 寬禁帶半導體 1.1萬 0

盤點GaAs在光電子方面的應用及市場規模

GaAs在光電子方面主要應用于激光器、光電二極管、LED等。本文將詳細介紹該應用的產業鏈情況。

2018-09-01 標簽：光電子 gaas 8.8k 0

GaAs邏輯電路ADS仿真不收斂怎么辦？

使用GaAs工藝設計過邏輯電路的人大概率都遇到過各種各樣奇奇怪怪的收斂性問題，比如一個+5V供電的電路竟然出現了幾十上百伏的節點電壓；又比如一個反相器T...

2024-05-06 標簽：邏輯電路反相器仿真器 7.5k 0

多晶硅太陽能電池結構的優點詳細介紹

雖然太陽能電池在生活中十分常見，但大家對與太陽能電池缺并非十分了解。為增進大家對太陽能電池的了解，本文將對多晶硅太陽能電池結構以及多晶硅太陽能電池的優點...

2020-11-28 標簽：太陽能電池二極管 GaAs 7.1k 0

氮化鎵(GaN)是否將在所有應用中取代砷化鎵(GaAs)

之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項革命性技術，在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮巨...

2022-03-22 標簽：半導體 GaAs 砷化鎵 6.6k 0

ADS調用spectre網表仿真異?！Χㄖ@的NetlistInclude

ADS是支持調用spice/spectre等網表文件進行仿真的，可以用NetlistInclude控件來進行調用。

2024-03-07 標簽：MOS管芯片設計晶體管 6.3k 0

SiGe和GaAs工藝對比

GaAs工藝中也可以像傳統的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優勢，尤其是高頻應用。

2023-07-11 標簽：二極管電感器 GaAs 6.2k 0

磁強計是如何定義的？磁強計有哪些分類？

磁強計(Magnetic Field Sensor)也稱磁場傳感器（Magnetometer），是一種測量環境磁感應強度與方向的傳感器。

2024-02-19 標簽：mems GaAs 諧波電壓 5.8k 0

光電子應用推動砷化鎵晶圓和外延片市場進入新時代

在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星據麥姆斯咨詢介紹，作為最成熟的化合物半導體之一，GaAs無處不在，儼然成為每部智...

2018-09-04 標簽：光電子 gaas 外延片 4.9k 0

微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微觀組織結構研究

摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進行焊接，分析了焊接溫度、摩擦次數等工藝參數對共晶焊接的影響，給出了GaAs芯片共...

2023-07-15 標簽：芯片焊接 GaAs 4.9k 0

無線設計LNA 和PA 的作用和要求介紹

LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號，這些信號通常是微伏數量級的信號或者低于-100 dBm，然后將該信號放大至一個更有用的水平，通常約為0....

2023-02-06 標簽：LNA GaAs 無線設計 4.9k 0

GaAlAs/GaAs半導體激光器簡述

可見光激光器的應用是十分廣泛的，甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對應的生長工藝。

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GaAs基激光器的減薄和拋光問題

激光器都是在外延的基礎上做出芯片的結構設計，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要對晶圓進行減薄，厚度有做到80um的，...

2022-07-15 標簽：激光器 GaAs 砷化鎵 3.9k 0

半導體材料的發展歷程

第一代半導體材料以錯和硅為主。

2023-07-17 標簽：集成電路半導體晶體管 3.8k 0

激光測溫之干涉測溫技術知識簡析

干涉測溫技術是幾種主要的激光測溫方法之一。

2024-01-16 標簽：半導體激光器 GaAs 3.8k 0

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