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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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三星日前簡(jiǎn)要介紹了GAAFET中核心技術(shù)MCBFET(多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),基于它打造的3nm芯片,相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗,...
中芯國(guó)際發(fā)布2019年年報(bào) 第一代14nmFinFET技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)
3月31日晚,中芯國(guó)際發(fā)布了2019年年報(bào),去年錄得營(yíng)收31.16億美元,不含阿韋扎諾200mm晶圓廠于2019年及2018年的貢獻(xiàn)及2018年技術(shù)授權(quán)...
中芯國(guó)際下一代主要節(jié)點(diǎn)N+1的投產(chǎn)計(jì)劃
去年,中芯國(guó)際表示將在四季度開(kāi)啟基于 14nm FinFET 制程的量產(chǎn)芯片。同時(shí),該公司也在努力開(kāi)發(fā)下一代主要節(jié)點(diǎn)(N+1),宣稱具有可媲美 7nm ...
曝英特爾5nm制程放棄FinFET電晶體轉(zhuǎn)向GAA
有消息表示,處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄 FinFET 電晶體,轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
如果說(shuō)在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極(GAA)”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù),F(xiàn)inFET猶可淡定;而到如今,英特爾表示其...
Intel放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管 GAA工藝性能提升或更明顯
Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝,首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了,因?yàn)镮nt...
中芯國(guó)際第一代FinFET已成功量產(chǎn) 預(yù)計(jì)四季度公司營(yíng)收將保持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)
中芯國(guó)際11月12晚發(fā)布未經(jīng)審核的2019年第三季度業(yè)績(jī)。2019年第三季度,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入8.16億美元,同比減少4.0%,環(huán)比增長(zhǎng)3.2%;公司擁...
FinFET技術(shù)未來(lái)有怎樣的發(fā)展的前景
FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù),是一種全新的新型的多門3D晶體管。
中芯國(guó)際發(fā)布2019年二季度財(cái)報(bào) 14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)
中芯國(guó)際8月8日晚發(fā)布2019年二季度財(cái)報(bào),二季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.909億美元,環(huán)比增長(zhǎng)18.2%,同比減少11.2%;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1853.9萬(wàn)美元,環(huán)...
FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展之路
隨著最先進(jìn)工藝不斷向7nm、5nm、2nm邁進(jìn),半導(dǎo)體行業(yè)面臨最大的挑戰(zhàn)是找到長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展之路。
中芯國(guó)際今天下午發(fā)布了2019年第一季度報(bào)告。
中芯國(guó)際兩位聯(lián)席CEO就先賺錢還是拼命發(fā)展先進(jìn)工藝問(wèn)題上產(chǎn)生了分歧
國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際Q1季度盈利下滑了58%,雪上加霜的是兩位聯(lián)席CEO趙海軍、梁孟松對(duì)公司發(fā)展的理念也不同,兩人在公司應(yīng)該先賺錢還是拼命發(fā)展先...
益華計(jì)算機(jī)宣布已與臺(tái)積電合作 助推臺(tái)積電5納米FinFET制程技術(shù)制造交付
Cadence客制/類比工具獲得臺(tái)積電領(lǐng)先業(yè)界的5納米制程技術(shù)認(rèn)證,這些工具包括Spectre加速平行模擬器(APS)、Spectre eXtensiv...
三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)
4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
格芯回應(yīng)為何擱置7納米FinFET項(xiàng)目
三個(gè)月前,晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目,業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí),格芯為何作出此舉?放棄7...
三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資,全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了,不過(guò)英...
格芯擱置7納米FinFET項(xiàng)目!是技術(shù)的羈絆,還是成本的考量?
此外,為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資,公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持...
中芯國(guó)際上半年?duì)I收17.22億美元 14納米FinFET技術(shù)獲重大進(jìn)展
8月30日,中芯國(guó)際發(fā)布2018年中期業(yè)績(jī),收入同比增長(zhǎng)11.5%至17.22億美元;毛利同比增長(zhǎng)5.6%至4.38億美元。中芯國(guó)際在14納米FinFE...
GlobalFoundries宣布將暫停所有7納米FinFET技術(shù)的研發(fā)
格芯方面表示,他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開(kāi)發(fā)資源,讓14/12納米 Fi...
近日,中芯國(guó)際發(fā)布了2018年中期業(yè)績(jī)報(bào)告,報(bào)告顯示,2018年上半年?duì)I收達(dá)17.22億美元,同比增長(zhǎng)11.5%。毛利為4.38億美元,同比增長(zhǎng)5.6%...
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