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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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SN74CB3Q3257DGVR 4 位 2 選 1 FET 總線開關(guān)
SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開關(guān)產(chǎn)品型號(hào):SN74CB3Q3257DGVR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:TVSOP16產(chǎn)品功...
2025-12-17 標(biāo)簽:FET總線開關(guān) 520 0
ROHM推出兼具低FET發(fā)熱量和低EMI特性的三相無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC
ROHM(羅姆半導(dǎo)體)宣布,推出適用于中等耐壓系統(tǒng)(12V~48V系統(tǒng))的采用“TriC3?”技術(shù)的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC“BD67871MWV-Z...
單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “NB7123 系列”(高邊FET驅(qū)動(dòng)類型)和 “NB7130 系列”(低邊FET驅(qū)動(dòng)類型)開始上市
~行業(yè)領(lǐng)先水平的超高精度過充檢測功能有助于進(jìn)一步提高安全性~ 日清紡微電子推出的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “高邊FET驅(qū)動(dòng)類型的NB7123系列”和“低邊...
PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)...
Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓...
一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管 1.7k 0
在2024年底剛開過IEDM的主題演講(keynote speech),二維場效電晶體(2D Field Effect Transistor;2D FE...
安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢,深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員,...
2024-12-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FETGaN 1.4k 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 3.7k 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 2k 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個(gè)終端市場...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動(dòng)保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 1.5k 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和...
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場效應(yīng)晶體管 2.8k 0
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管FET 1.5k 0
MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器,適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。
2023-11-22 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器FET 3.2k 0
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種使用電場效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管FET 4.1k 0
如何簡單判斷一個(gè)場效應(yīng)管的好壞? 場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判...
2023-11-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET 2.8k 0
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