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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數據）

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2023-12-01 標簽：DRAM NAND 存儲器 1.2k 0

三星將于明年量產LPDDR5T DRAM芯片

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2023-12-01 標簽：芯片 DRAM 三星電子 1.5k 0

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2023-11-29 標簽：DRAM 封裝技術數據安全 2.6k 0

長鑫存儲推出自主研發的LPDDR5 DRAM存儲芯片

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2023-11-29 標簽：DRAM 存儲芯片長鑫存儲 2.8k 0

國內首家，長鑫存儲推出多款 LPDDR5產品

長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產品，...

2023-11-29 標簽：芯片半導體 DRAM 3k 0

淺談DRAM的常用封裝技術

目前，AI服務器對HBM（高帶寬內存）的需求量越來越大，因為HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經歷了幾代產品，包括HBM...

2023-11-28 標簽：DRAM 封裝技術存儲芯片 3.3k 0

AI PC推動存儲規格升級預期明年上半年DDR5將會超越DDR4

隨著三大國際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴大減產幅度，業內普遍認為，供給減少疊加AI帶動的需求擴大，存儲器市場有望揚升。

2023-11-25 標簽：DRAM 存儲器 DDR4 1.4k 0

未來四年HBM市場將飆升52%

DRAM產業在生成式AI中受益匪淺，未來DRAM產業格局將發生重大變化。

2023-11-25 標簽：DRAM 存儲芯片機器學習 1.8k 0

DRAM的范式轉變歷程

DRAM制造技術進入10nm世代（不到20nm世代）已經過去五年了。過去五年，DRAM技術和產品格局發生了巨大變化。因此，本文總結和更新了DRAM的產品...

2023-11-25 標簽：芯片 DRAM 半導體制造 3.1k 0

DDR5實現大幅增長美光計劃明年初大量出貨HBM3E

預計2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預計...

2023-11-24 標簽：DRAM NAND HBM 1.9k 0

機構：未來四年HBM市場將飆升52%

omdia首席研究員Jung Sung-kong表示：“dram產業正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產業的地形圖將發生巨大變化。”在生成型...

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世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

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異質集成時代半導體封裝技術的價值

隨著對高性能半導體需求的增加，半導體市場越來越重視“封裝工藝”的重要性。根據這一趨勢，SK海力士正在大規模生產基于HBM3（高帶寬存儲器3）的高級封裝產...

2023-11-23 標簽：DRAM 存儲器 SK海力士 1.9k 0

速度優勢是HBM產品成功的關鍵

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三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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SK海力士資本支出大增，HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元...

2023-11-22 標簽：半導體 DRAM SK海力士 1.7k 0

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2023-11-22 標簽：DRAM NAND 內存 1k 0

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