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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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AMD與臺積電聯(lián)手推動先進(jìn)工藝發(fā)展
展望未來,臺積電正通過多個方向推動半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展:包括硅光子學(xué)的研發(fā)、與DRAM廠商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應(yīng)用于晶體管層級的C...
SK海力士考慮在美國或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠
據(jù)了解,由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲,預(yù)計今年內(nèi)存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國設(shè)立新廠,同時也在...
三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項價值30億美元的合作協(xié)議,引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動。
存儲芯片行業(yè)曙光初現(xiàn),上下游漲價拉鋸戰(zhàn)持續(xù)
進(jìn)入4月,固態(tài)硬盤的現(xiàn)貨價格保持穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價格高于官方售價的倒掛現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)了跌價。
江波龍國際合規(guī)成果顯著,Lexar美國業(yè)務(wù)解約
江波龍強(qiáng)調(diào),此次重大突破不僅使Lexar(雷克沙)的業(yè)務(wù)運作更具靈活性,產(chǎn)品與服務(wù)更具效率與創(chuàng)新力,以更好地滿足消費者需求,提升用戶體驗。同時,這也彰顯...
SK海力士發(fā)布2024財年第1季度財報,創(chuàng)歷史同期新高
本季度,SK海力士實現(xiàn)了歷史最高的收入水平,同時營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長期低迷后的全面復(fù)蘇。
韓國創(chuàng)新型相變存儲器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點
然而,盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點,但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高,同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài),導(dǎo)致生產(chǎn)過程耗電量巨大。
SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能
SK海力士將于本月底啟動建設(shè)工程,預(yù)計2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計向M15X投資超過20萬億韓元,以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。
SK海力士提升AI基建產(chǎn)能,助力韓國成為AI半導(dǎo)體強(qiáng)國
SK海力士計劃在本月底啟動建設(shè),預(yù)計到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計在M15X的總投資額將超過20萬億韓元,以此來...
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
東芝計劃裁員5000人,積極為基建和數(shù)字技術(shù)業(yè)務(wù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)
此次裁員主要針對總公司支持部門,旨在優(yōu)化成本結(jié)構(gòu),為基礎(chǔ)設(shè)施與數(shù)字科技領(lǐng)域的新增長鋪路。東芝一直致力于降低龐大業(yè)務(wù)成本,并將重心轉(zhuǎn)向基礎(chǔ)設(shè)施及數(shù)字科技業(yè)務(wù)。
2024-04-19 標(biāo)簽:東芝DRAM先進(jìn)技術(shù) 769 0
SK海力士與臺積電達(dá)成研發(fā)合作,推動HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?
據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個 DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...
三星計劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存
TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應(yīng)增加。
2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1.5k 0
三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高
值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米...
三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
“神仙打架”的車企背后,智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么?
2024 年伊始,汽車市場就開始彌漫著濃濃的硝煙味道,年味還沒散盡,比亞迪就用“電比油低”揭開了新一輪“戰(zhàn)爭”序幕。
受4月3日中國臺灣7.3級地震影響,美光公司曾短暫暫停DRAM芯片生產(chǎn),隨后宣布第二季度DRAM及SSD合約價格上調(diào)幅度超過25%。三星、SK海力士亦在...
存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級別,并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
此外,美光基金會還推出了“1:1配捐”活動,激勵員工愛心捐贈,同時基金會也將向本地NGO和相關(guān)部門捐贈同等金額。這些組織將為受災(zāi)居民和弱勢群體提供臨時住...
ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計算機(jī)存儲技術(shù)的術(shù)語,它們代表了不同類型的存儲器,各自有不同的特性和用途
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