4 月 19 日，韓國 SK 海力士發布聲明，已與中國臺灣地區的臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），共同推進高帶寬內存（HBM）技術的下一代研發及封裝應用。預計于 2026 年實現 HBM4 的量產。

據協議內容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片（Base Die）性能。HBM 由多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片之上，再經由 TSV 技術進行垂直互連，基礎裸片同時連接到 GPU，其重要性不言而喻。

自 HBM3E（第五代 HBM 產品）起，SK 海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產品）開始，該公司將轉用臺積電的先進邏輯（Logic）工藝。

據悉，雙方將密切合作，探索利用臺積電的 CoWoS 技術封裝 SK 海力士的 HBM 產品，以期在性能和效率等方面更好地滿足客戶對定制化（Customized）HBM 產品的需求。

今年 2 月，SK 海力士提出“One Team”戰略，計劃借助臺積電構建 AI 半導體聯盟，進一步強化其在 HBM 領域的領先地位。

展望未來，AI 半導體將從 HBM 時代的 2.5D 封裝邁向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲芯片的新型高級封裝。存儲企業與芯片代工+高級封裝企業的深度合作有助于推動相關研發進程。