近期，韓國科技先進研究院成功研發出一種新型相變存儲器（PCM），該技術可根據需求靈活執行結晶（低電阻）或非晶體（高電阻）的切換，使其既具備DRAM高速且易丟失數據的特點，又具NAND閃存的掉電保護功能，堪稱兩者優點集大成者。

然而，盡管PCM技術兼具速度與非易失性兩個優點，但由于制造工藝復雜且成本較高，同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態，導致生產過程耗電量巨大。

針對此問題，Shinhyun Choi教授領導的科研團隊創新地提出了另一種解決方案——即僅對直接參與相變過程的組件進行壓縮，以此創造一種名為相變納米絲的全新相變材料。

這種新方法顯著提升了制造成本與降低了能耗，相對于傳統采用高價光刻工具制造的相變存儲器，新式PCM的耗電量僅為原來的1/15。此外，新型相變存儲器仍保留了傳統存儲器的諸多優良特性，如速度快、ON/OFF比大、變化小以及多級存儲特性等。

Choi教授表示，他們預期這項研究成果將成為未來電子工程領域的重要基石，有望廣泛應用于高密度3D垂直存儲器、神經形態計算系統、邊緣處理器及內存計算系統等領域。