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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

MRAM會(huì)取代DDR嗎？簡(jiǎn)單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。

2023-10-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 6.4k 0

xilinx仿真實(shí)驗(yàn)：IP核之RAM的配置

背景 RAM和ROM也是類似的，由于這也是常用的IP核，所有完全有必要在這里記錄一下，以后用到了實(shí)際后，再補(bǔ)充到實(shí)際工程中。隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），它可以...

2020-11-21 標(biāo)簽：DRAM SRAM RAM 6.4k 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與CPU結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行指令集（程序）和存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 6.4k 0

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來(lái)展望

這些年來(lái)，記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點(diǎn)出這些...

2021-01-22 標(biāo)簽：處理器 DRAM 6.4k 1

淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無(wú)論是使用ASIC還是FPGA技術(shù)，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必...

2014-02-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 SOC 6.3k 0

如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板及利用Zynq DRAM進(jìn)行測(cè)試

在本視頻中，我們將學(xué)習(xí)如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板，利用每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序提供的應(yīng)用示例并測(cè)試各種外設(shè)。我們將詳細(xì)介紹Zynq DRAM測(cè)試，并...

2018-11-29 標(biāo)簽：dram 電路板賽靈思 6.2k 0

隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長(zhǎng)，現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒(méi)有得到提升。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布的最新第一代協(xié)議是由對(duì)DRAM容量和帶...

2021-03-17 標(biāo)簽：DRAM DDR FLASH閃存 6.1k 0

淺談IC封裝技術(shù)中常見(jiàn)的10術(shù)語(yǔ)詞解析

在3D IC封裝中，邏輯模塊堆疊在內(nèi)存模塊上，而不是創(chuàng)建一個(gè)大型的系統(tǒng)片上（SoC），并且模塊通過(guò)一個(gè)主動(dòng)交互器連接。

2020-10-26 標(biāo)簽：DRAM IC封裝晶圓級(jí)封裝 6.1k 0

如何提高信號(hào)完整性，降低噪聲或降低功耗

EDN文章中介紹的一些技術(shù)向您展示了如何提高信號(hào)完整性，降低噪聲或降低功耗。我們作為工程師最大限度地提高性能的方法之一就是堅(jiān)持建立設(shè)計(jì)規(guī)則。但是，如果遵...

2021-04-21 標(biāo)簽：處理器電容器 DRAM 6k 0

隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的工作過(guò)程及類型

　　隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。

2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 6k 0

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與前景展望

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲(chǔ)介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)主要可分為磁性存...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)EEPROM 5.9k 0

CoWoS先進(jìn)封裝是什么？

隨著chatGPT橫空出世，生成式AI紅遍全球，帶動(dòng)AI芯片的需求強(qiáng)勁，英偉達(dá)（NVIDIA）的H100、A100全部由臺(tái)積電代工，并使用臺(tái)積電的CoW...

2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電 cpu 5.9k 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標(biāo)簽：CMOS DRAM AFM 5.8k 0

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使...

2023-07-28 標(biāo)簽：電容 DRAM 存儲(chǔ)器 5.8k 0

內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀

當(dāng)時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失，也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù)，...

2022-10-09 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 德州儀器 5.8k 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和工作原理

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)中...

2024-09-26 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 5.7k 0

DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization

在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。

2017-03-17 標(biāo)簽：DRAM Memory Cells 5.7k 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 5.7k 0

以SDR SDRAM 為例，DRAM Device 與 Host 端的接口描述

本文則以 SDR SDRAM 為例，描述 DRAM Device 與 Host 端的接口，以及其內(nèi)部的其他模塊，包括 Control Logic、IO、...

2020-09-22 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 5.7k 0

DRAM實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)最大增長(zhǎng)，無(wú)線連接等技術(shù)大有可為

2018年McClean報(bào)告的年中更新中，IC Insights更新了WSTS定義的33個(gè)主要IC產(chǎn)品類別中每個(gè)類別的銷售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)(圖1)。IC Ins...

2018-09-19 標(biāo)簽：DRAM 無(wú)線連接汽車芯片 5.7k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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