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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 Nand flash 8.1k 0

基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒，使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會(huì)有 A0-A16 （因?yàn)?RAS\_n 復(fù)用為 ...

2023-03-15 標(biāo)簽：DRAM DDR4 7.8k 0

一文解 DRAM 中Cells 的組織方式

在DRAM Storage Cell章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。為了更清晰的描述 ...

2020-09-22 標(biāo)簽：DRAM Cells 7.8k 0

一文看清SRAM與DRAM真正區(qū)別！

近年來SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。

2020-08-21 標(biāo)簽：DRAM sram 7.7k 0

一文解析四種機(jī)制的1T-DRAM技術(shù)

隧穿電流的機(jī)理圖如圖七所示，EVB和HVB分別代表的是來自N+多晶硅柵到硅襯底的電子隧穿電流和硅襯底價(jià)帶到P+多晶硅柵的空穴隧穿電流。

2022-07-11 標(biāo)簽：DRAM sram 7.7k 0

R128點(diǎn)燈指南加強(qiáng)篇—LEDC點(diǎn)三色流水燈（WS2812）

R128-DevKit 擁有4顆 WS2812LED，本文將詳細(xì)敘述如何點(diǎn)亮他們。

2023-10-13 標(biāo)簽：led 控制器 DRAM 7.3k 0

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別

SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 7.3k 0

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash...

2025-09-08 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 7.1k 0

SRAM的基礎(chǔ)電路及原理分析

硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說...

2023-10-01 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 6.9k 0

嵌入式應(yīng)用存儲(chǔ)技術(shù)介紹 DRAM發(fā)展動(dòng)態(tài)

DRAM的容量越來越大，速度越來越高，價(jià)格也越來越便宜。DDR3雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)目前的最高容量已經(jīng)達(dá)到16GB，運(yùn)行速率為533至800MH...

2018-03-12 標(biāo)簽：dram 嵌入式系統(tǒng) 6.9k 0

如果固態(tài)硬盤沒有了DRAM緩存還能不能工作

在討論固態(tài)硬盤時(shí)經(jīng)常會(huì)聽到“無緩存方案”一詞，缺少了DRAM緩存的固態(tài)硬盤還能正常工作嗎？會(huì)不會(huì)因?yàn)樯倭司彺娑堂?/p>

2020-01-31 標(biāo)簽：閃存 DRAM 固態(tài)硬盤 6.9k 0

基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 6.8k 0

從低速Flash到高速Dram，輸出電路有哪些不同？

這篇文章聊一聊輸入輸出（IO）中的輸出。大家都知道IO是芯片跟系統(tǒng)交互的直接路徑，IO做的好與壞系統(tǒng)很容易就能檢測出來。

2018-09-12 標(biāo)簽：Dram Flash 輸出電路 6.8k 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢

靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的

2022-11-17 標(biāo)簽：CMOS DRAM 晶體管 6.7k 0

SAP HANA 和非易失性存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)分析

SAP HANA 也對(duì)介質(zhì)的特點(diǎn)做了仔細(xì)的考量，結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點(diǎn)（例如容量大、讀多寫少等），很自然的，先把 DCPMM 當(dāng)做字節(jié)尋址的持...

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 非易失性存儲(chǔ)器 6.7k 0

新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口

近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一...

2020-10-23 標(biāo)簽：DRAM 信號(hào)完整性 AI 6.6k 0

深入探討DDR5測試技術(shù)的最新技術(shù)

DDR SDRAM，是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一，應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到...

2024-01-24 標(biāo)簽：DRAM SDRAM AI 6.6k 0

DRAM的矩陣存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)方案

DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，...

2020-12-01 標(biāo)簽：DRAM cpu 存儲(chǔ)單元 6.6k 0

DRAM在計(jì)算機(jī)中的應(yīng)用

DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于存...

2024-07-24 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 6.5k 0

DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器（Dynamic Ra...

2024-12-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 6.5k 0

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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史。總部設(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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