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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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DDR/LPDDR/GDDR的關(guān)系與區(qū)別
近日,三星S20系列和小米10系列先后發(fā)布,全新的LPDDR5內(nèi)存成為兩家的共同賣點(diǎn)之一,作為面向移動(dòng)式電子產(chǎn)品的新一代內(nèi)存芯片,LPDDR5與當(dāng)前主流...
SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條,性能有巨大的提升
根據(jù)Tom's Hardware的報(bào)道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
美光最新DDR5內(nèi)存開始出樣,性能更強(qiáng)功耗更低
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開...
中國瀾起DDR4架構(gòu)被國際標(biāo)準(zhǔn)采納,能參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定
內(nèi)存價(jià)格每次大起大落,中國公司都很受傷,因?yàn)閲鴥?nèi)幾乎沒有公司可以參與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也掌握在Int...
長鑫儲(chǔ)存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠
根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級制造工藝的路線圖...
隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的大范圍普及,使得智能終端設(shè)備領(lǐng)來了大幅發(fā)展。如今的智能電子終端設(shè)備正朝著更便捷、可穿戴、低功耗的趨勢飛速發(fā)展。
2019-11-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)ddr 3.1k 0
下一代DRAM將帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性
近日,全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢發(fā)布了2020年十大科技趨勢,預(yù)測了未來一年里半導(dǎo)體、通信技術(shù)、人工智能、新型顯示、智能手機(jī)等領(lǐng)域的新...
基于向?qū)У牟樵兒苋菀自O(shè)置批處理模式模擬評估時(shí)間和信號質(zhì)量DDR 1/2/3和LPDDR 1/2/3設(shè)計(jì)。
這15分鐘的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)探討了DDR內(nèi)存接口和顯示一個(gè)易于使用的向?qū)Э梢詭椭芾鞤DR問題在設(shè)計(jì)。
2019-10-28 標(biāo)簽:ddr網(wǎng)絡(luò)研討會(huì) 3.1k 0
要安裝這些歌曲,您必須將它們復(fù)制到通常位于C:\ Program Files \ StepMania \ Songs的文件夾中,只需閱讀該頁面上的說明文...
2019-11-13 標(biāo)簽:DDR計(jì)算機(jī) 2.7k 0
解決智能家居用網(wǎng)需求 宏旺半導(dǎo)體DDR助力光貓領(lǐng)域
隨著生活越來越智能化,存儲(chǔ)芯片出現(xiàn)在我們生活中的各個(gè)角落,與日常生活緊密相關(guān),從隨身攜帶的手機(jī)到家庭用網(wǎng)必不可少的光貓,都離不開存儲(chǔ)芯片。隨著5G的落地...
DDR 模塊的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)有哪一些
DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
瀾起科技即將上會(huì) 已布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片!
近日,上交所公布第三批上會(huì)企業(yè)名單,瀾起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司將于6月13日接受科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)的審核。
通過確定 DDR 1/2/3 和 LPDDR1/2/3 設(shè)計(jì)中常有的時(shí)序和 SI 等問題來減少設(shè)計(jì)和調(diào)試周期。
2019-05-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器ddr設(shè)計(jì) 3.5k 0
目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存,一種是LPDDR3,多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中,不可更換;另一種是DDR4,常見于14英寸輕薄本或游戲本中,可更換。
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
國產(chǎn)內(nèi)存尚在追趕 DDR內(nèi)存短時(shí)間內(nèi)不會(huì)被HBM干掉
這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上,紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破,小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存,下半年還會(huì)...
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