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半導體“化學氣相沉積（CVD）碳化硅（Sic）”工藝技術詳解；

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業質量管理從業者，旨在業余時間不定期的分享半導體行業中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用...

2025-11-09 標簽：SiC 碳化硅 CVD 3.6k 0

PIC16F18026/46：功能豐富的14/20引腳微控制器深度解析

Microchip Technology PIC16F18026/46 14/20引腳微控制器具有數字和模擬外設，用于成本敏感的傳感器和實時控制應用。...

2025-10-13 標簽：微控制器數模轉換器 CVD 795 0

半導體FAB中常見的五種CVD工藝

Hello,大家好，今天來分享下半導體FAB中常見的五種CVD工藝。化學氣相沉積（CVD）主要是通過利用氣體混合的化學反應在硅片表面沉積一層固體膜的工...

2025-01-03 標簽：半導體 FAB CVD 1.3萬 0

Aston Impact 高靈敏度質譜分析儀 CVD 清洗終點優化

上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質譜分析儀, 基于四級桿的質量分離, Aston 質譜分析儀設計緊湊, 適用于氣體分析和...

2024-10-18 標簽：半導體分析儀 CVD 909 0

什么是無定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構成但沒有長程有序結構的薄膜材料。

2024-03-22 標簽：NAND PVD CVD 5.6k 0

CVD成為工業制造應用更優選

金剛石具有低密度、高彈性模量、高強度、高熱導率、化學惰性和生物相容性等優異特性，在聲學領域主要應用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。

2024-01-08 標簽：金剛石 CVD 工業制造 1.4k 0

銅材料的CVD工藝是怎么實現的

介紹了銅材料的CVD工藝是怎么實現的以及什么情況下會用到銅CVD工藝。

2024-01-07 標簽：晶圓工藝 CVD 3.2k 0

CVD金剛石在機械密封領域中的應用

隨著科技的不斷發展，金剛石在許多領域中都展現出了巨大的應用潛力。其中，化學氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨特的物理和化學性質，尤其在機械密封領域中有著廣...

2024-01-04 標簽：金剛石機械密封 CVD 1.9k 0

金剛石晶體的不同類型及應用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應用。

2024-01-02 標簽：金剛石 CVD 5.2k 0

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，...

2023-12-15 標簽：芯片半導體碳化硅 5.3k 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材質不好在后續加工中容易碎裂

2023-11-25 標簽：PVD 壓力機 HRC 3.4k 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細了解一下。

2023-11-24 標簽：CVD 氮化硅 5.3k 0

介紹一種可行的方法和潛在的機制來輔助自組裝的轉角石墨烯

近年來，能夠生產無缺陷單層石墨烯和其他2D材料的生長技術得到了長足的發展。

2023-09-04 標簽：電容器電阻器電感器 1.9k 0

石墨烯基導熱薄膜的研究進展情況分析

CVD因具有可控、高質量生長石墨烯的優點而引起國內外關注，據報道石墨烯薄膜可在多個襯底上生長，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長...

2023-09-01 標簽：芯片晶體管石墨烯 2k 0

石墨烯的制備方法有哪些石墨烯膜提升智能手機散熱性能的方法

石墨烯內部碳原子的排列方式與石墨單原子層一樣以sp2雜化軌道成鍵，并有如下的特點：碳原子有4個價電子，其中3個電子生成sp2鍵，即每個碳原子都貢獻一個位...

2023-08-18 標簽：傳感器智能手機石墨 2.8k 0

即插即用的視頻深度預測框架是什么

在實驗方面，我們在VDW數據集，以及公開的Sintel和NYUDV2數據集上，均取得了SOTA的空間精度和時域一致性。其中VDW和Sintel為自然場景...

2023-08-09 標簽：網絡視頻數據傳輸 CVD 1.6k 0

自下而上設計，精細合成硬碳微結構—高效堿金屬負極！

堿金屬離子電池（AMIBs）的電化學特性在很大程度上取決于負極材料。作為最有前途的負極材料之一，碳質材料具有成本低、資源豐富和環境友好等優點，在鋰、鈉和...

2023-08-07 標簽：鋰離子電池熱處理電池充放電 4.5k 0

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應用

在集成電路領域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個重要指標，通常與刻蝕的特征...

2023-07-14 標簽：集成電路晶體管 PVD 4.2k 0

國產CVD設備在4H-SiC襯底上的同質外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.6k 0

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。

2023-06-15 標簽：半導體 PVD CVD 6.2k 0

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