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CMP指令是由美國斯坦福大學提出的，英文名稱是Chip multiprocessors，翻譯成中文就是單芯片多處理器，也指多核心其思想是將大規模并行處理器中的SMP（對稱多處理器）集成到同一芯片內，各個處理器并行執行不同的進程。與CMP比較， SMT處理器結構的靈活性比較突出。

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cmp技術

新研究：將ITO從顯示器移至芯片

銦化合物（Indium compounds ）在3D存儲器計算和射頻集成方面顯示出巨大的潛力，但還需要更多的研究。

2023-08-19 標簽：3D 存儲器封裝 2.1k 0

金在半導體領域的應用

隨著科技的快速發展，半導體技術已經滲透到我們生活的方方面面，從手機、電腦到各種高精尖的工業設備中。而在這些技術背后，金作為一種貴金屬，以其獨特的物理和化...

2023-08-19 標簽：半導體半導體技術 CMP 3.7k 0

銅在半導體領域的應用

半導體技術在當今社會已成為高科技產品的核心，而在半導體制造的各個環節中，銅憑借其出色的性能特點，已成為眾多工藝應用的關鍵材料。在半導體領域中，銅主要被用...

2023-08-19 標簽：芯片半導體半導體技術 4.8k 0

三星半導體宣布突破背面供電技術

半導體技術的許多進步都取決于減小封裝尺寸，同時結合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會占用晶圓上的大量空間，導致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。

2023-08-16 標簽：處理器半導體技術晶體管 1.8k 0

半導體之ICT技術先通孔的過程詳解

對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k電介質的和覆蓋層(下圖(a))。

2023-08-14 標簽：CMP 光刻膠 ICT技術 3.2k 0

半導體行業之ICT技術介紹（四）

所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表面生長二氧化硅層(見下圖)。

2023-08-04 標簽：MOSFET 半導體 CMP 2.9k 0

CMP的概念、重要性及工作原理

化學機械拋光（CMP）是晶圓制造的關鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術的關鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和...

2023-08-02 標簽：集成電路半導體 CMP 1.1萬 0

半導體行業中的化學機械拋光(CMP)技術詳解

20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，...

2023-08-02 標簽：芯片集成電路半導體 2.0萬 0

GRAPH中的報警-創建順控器監視的報警簡析

可以在編程窗口中使用區域導航內的“報警”窗格，定義報警的屬性和內容。僅當監視的錯誤已經解決并且滿足以下轉換條件時，才會啟用下一步。

2023-07-30 標簽：比較器定時器 CMP 5.7k 0

什么是硅片或者晶圓？一文了解半導體硅晶圓

硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結晶硅的薄片。

2023-07-18 標簽：電容器晶體管硅晶圓 1.0萬 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標簽：光刻 CMP 晶圓制造 2.5萬 1

一文詳解CMP設備和材料

在前道加工領域：CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械...

2023-07-10 標簽：晶圓 CMP 晶圓制造 1.1萬 0

半導體切割-研磨-拋光工藝簡介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標簽：半導體技術 SiC CMP 5.6k 0

CMP工藝影響下的版圖優化

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設...

2023-06-20 標簽：集成電路工藝 CMP 1.4k 0

STC15W408AS單片機比較器的相關寄存器

STC15W408AS單片機內置比較器功能。的比較器內部規劃如下圖所示。

2023-06-23 標簽：單片機寄存器比較器 3.9k 0

一文讀懂CMP拋光墊

在現代工業中，表面加工是至關重要的一環。為了達到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。

2023-06-08 標簽：半導體 mems 晶體管 7.7k 0

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度...

2023-05-31 標簽：半導體工藝 CMP 6.1k 0

先進封裝之TSV及TGV技術初探（二）

另外一個將TGV填實的方案是將金屬導電膠進行TGV填實。利用金屬導電膠的優點是固化后導電通孔的熱膨脹系數可以調節，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標簽：BGA CMP MEMS器件 9.4k 0

SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數、雙整數、實數等數據類型的數值進行比較。

2023-05-14 標簽：plc 指令 CMP 1.4萬 0

SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數、雙整數、實數等數據類型的數值進行比較。

2023-05-11 標簽：plc 指令 CMP 9.5k 0

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